公开(公告)号：DE102017106854A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：DE102017106854

申请日：2017-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  KOLLER ADOLF ,  MACKH GUNTHER ,  MÜLLER JOCHEN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/322 ,  H01L29/32

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) für die Bearbeitung eines Trägers (202) Folgendes beinhalten: Ausbilden einer Anordnung von Defekten (206) im Träger (202), wobei ein Oberflächengebiet (204f) des Trägers (202) über der Anordnung von Defekten (206) an einer ersten Oberfläche (202f) des Trägers (202) angeordnet ist, wobei die Anordnung von Defekten (206) konfiguriert ist zum Generieren einer Rissstruktur (208), die sich von der Anordnung von Defekten (206) in das Oberflächengebiet (204f) erstreckt; teilweises Entfernen des Trägers (202), um die Anordnung von Defekten (206) zu entfernen; und Trennen des Oberflächengebiets (204f) des Trägers (202) in mehrere Oberflächengebietsabschnitte (204p) entlang der Rissstruktur (208).

公开(公告)号：DE102016111629B4

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE102016111629

申请日：2016-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  MARIANI FRANCO ,  MÜLLER JOCHEN ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  GOLLER BERNHARD

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, aufweisend:Ausbilden einer Mehrzahl von Trenngräben in einer ersten Hauptfläche eines Halbleitersubstrats;Montieren der ersten Hauptfläche des Halbleitersubstrats auf einem Träger;Entfernen von Substratmaterial nur von einem mittleren Bereich einer zweiten Hauptfläche des Halbleitersubstrats derart, dass die Mehrzahl von Trenngräben von der zweiten Hauptfläche her freigelegt ist, wobei ein Randbereich des Halbleitersubstrats verbleibt, wobei der Randbereich eine Dicke von mehr als 150 µm aufweist; undEntfernen des Randbereichs von dem Träger mittels Zuführens eines Luftstroms zum Randbereich.

公开(公告)号：DE102016111629A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102016111629

申请日：2016-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  MARIANI FRANCO ,  MÜLLER JOCHEN ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  GOLLER BERNHARD

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Ausbilden einer Mehrzahl von Trenngräben in einer ersten Hauptfläche eines Halbleitersubstrats, ein Montieren der ersten Hauptfläche des Halbleitersubstrats auf einem Träger, und ein Entfernen von Substratmaterial nur von einem mittleren Bereich einer zweiten Hauptfläche des Halbleitersubstrats derart, dass die Mehrzahl von Trenngräben von der zweiten Hauptfläche her freigelegt ist, wobei ein Randbereich des Halbleitersubstrats verbleibt, wobei der Randbereich eine Dicke von mehr als 150 µm aufweist.