公开(公告)号：DE102019108754A8

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102019108754

申请日：2019-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  HOECHBAUER TOBIAS

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102018116051A1

公开(公告)日：2020-01-09

申请号：DE102018116051

申请日：2018-07-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHÄFFER CARSTEN ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  KERN RONNY ,  RUPP ROLAND ,  GOLLER BERNHARD ,  PICCIN MATTEO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/60 ,  H01L23/492

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines hierin beschriebenen Verfahrens wird ein Siliziumcarbidsubstrat (700) geschaffen, das eine Vielzahl von Vorrichtungsgebieten (650) enthält. Eine vorderseitige Metallisierung (610) kann an einer Vorderseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) vorgesehen werden. Das Verfahren kann ferner ein Vorsehen einer Hilfsstruktur (800) an einer Rückseite des Siliziumcarbidsubstrats (700) umfassen. Die Hilfsstruktur (800) enthält eine Vielzahl lateral getrennter Metallbereiche (810). Jeder Metallbereich (810) ist mit einem der Vorrichtungsgebiete (650) in Kontakt.

公开(公告)号：DE102015104765A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104765

申请日：2015-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KARLOVSKY KAMIL ,  JANSKI RAFAEL ,  SORGER MICHAEL ,  FORSTER MAGDALENA ,  SCHMUT KATHARINA ,  RAJARAMAN VIJAYE KUMAR ,  LEUSCHNER RAINER ,  GOLLER BERNHARD

IPC: H01M10/04 ,  H01L27/06 ,  H01M2/04 ,  H01M10/0525

Abstract: Eine Lithium-Ionen-Batterie (2) umfasst ein erstes Substrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110) und einen Deckel (200) einschließlich eines leitenden Abdeckelementes (205), wobei der Deckel (200) an der ersten Hauptoberfläche (110) angebracht ist. Ein Hohlraum (126) ist zwischen dem ersten Substrat (100) und dem Deckel (200) gebildet. Die Batterie (2) umfasst weiterhin einen Elektrolyten (130), der in dem Hohlraum (126) angeordnet ist. Eine Anode (11) der Batterie (2) umfasst eine aus einem Halbleitermaterial hergestellte Komponente und ist an dem ersten Substrat (100) gebildet, und eine Kathode (12) der Batterie (2) ist an dem Deckel (200) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102014017098A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102014017098

申请日：2014-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FORSTER MAGDALENA ,  GOLLER BERNHARD ,  MOTZ MARIO ,  SCHERR WOLFGANG ,  SCHMUT KATHARINA ,  SCHWEIZER PHILEMON ,  SORGER MICHAEL ,  WELLENZOHN GUENTHER

IPC: G11C5/14

Abstract: Es wird ein Speichersystem mit eigener Stromversorgung offenbart. Das System weist eine unbeständige Stromversorgungskomponente, eine Batteriekomponente, eine Schalterkomponente und eine flüchtige Speicherkomponente auf. Die unbeständige Stromversorgungskomponente ist so konfiguriert, dass sie eine zeitvariante Stromversorgung vorsieht. Die Batteriekomponente ist so konfiguriert, dass sie eine beständige Stromversorgung erzeugt. Die Schalterkomponente ist so konfiguriert, dass sie aus der zeitvarianten Stromversorgung und der beständigen Stromversorgung eine Dauerstromversorgung erzeugt. Die flüchtige Speicherkomponente ist so konfiguriert, dass sie Daten unter Verwendung der Dauerstromversorgung hält.

公开(公告)号：DE102014106770A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：DE102014106770

申请日：2014-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HAMMERSCHMIDT DIRK ,  GOLLER BERNHARD ,  HOLWEG GERALD ,  HERNDL THOMAS

IPC: G01D9/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat, eine am Halbleitersubstrat befestigte Batterie und einen am Halbleitersubstrat befestigten Sensor. Die Batterie ist elektrisch mit dem Sensor verbunden und dazu ausgestaltet, dem Sensor elektrische Energie zuzuführen.

公开(公告)号：DE112023000944T5

公开(公告)日：2025-03-13

申请号：DE112023000944

申请日：2023-04-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  RENA TECH GMBH

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  FISCHER PETRA ERIKA ,  BAY NORBERT ,  GAY XAVIER

IPC: C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L21/677

Abstract: Vorrichtung zur elektrochemischen Behandlung eines Halbleitersubstrats, umfassend mindestens einen ersten Tank, der mit einem Elektrolyt gefüllt ist und mindestens eine erste Elektrode umfasst, mindestens einen zweiten Tank, der mit einem Elektrolyt gefüllt ist und mindestens eine zweite Elektrode umfasst, und eine Trenneinheit, die den ersten und zweiten Tank einschließlich ihrer Elektrolyte elektrisch trennt, eine elektrische Stromversorgung, die mit der ersten und zweiten Elektrode verbunden ist, ein Transportmittel, das zum Transportieren des Substrats über den ersten und zweiten Tank konfiguriert ist, und eine Steuerung zum Steuern des Transportmittels auf eine spezifische Weise. Ferner wird ein Verfahren zur elektrochemischen Behandlung eines Halbleitersubstrats unter Verwendung der hierin beschriebenen Vorrichtung offenbart.

公开(公告)号：DE102017105000B4

公开(公告)日：2025-03-13

申请号：DE102017105000

申请日：2017-03-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MURI INGO ,  BINTER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  GRINDLING CHRISTIAN

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  H01L21/304

Abstract: Werkstückplanarisierungsanordnung (100), aufweisend:einen Chuck (102), der einen Stützträger (102c) und einen Werkstückträger (102s) umfasst, wobei der Werkstückträger (102s) zumindest einen zum Tragen von einem odermehreren Werkstücken (106) konfigurierten Abschnitt (102p) aufweist, wobei der zumindest eine Abschnitt (102p) eine Trägeroberfläche (122s) aufweist, die konfiguriert ist, einen physischen Kontakt mit dem einen oder mehreren Werkstücken (106) bereitzustellen; undein Planarisierungswerkzeug (104), das konfiguriert ist, die Trägeroberfläche (122s) des zumindest einen Abschnitts (102p) des Chucks (102) zu planarisieren und ein odermehrere Werkstücke (106) auf dem zumindest einen Abschnitt (102p) des Chucks (102) zu planarisieren;wobei der zumindest eine Abschnitt (102p) des Chucks (102) zumindest eines von Partikeln, Poren und/oder einem Polymer aufweist,wobei eine mechanische Härte des zumindest einen Abschnitts (102p) kleiner als eine mechanische Härte des Stützträgers (102c) ist.

公开(公告)号：DE102016111629B4

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：DE102016111629

申请日：2016-06-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  MARIANI FRANCO ,  MÜLLER JOCHEN ,  VON KOBLINSKI CARSTEN ,  GOLLER BERNHARD

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, aufweisend:Ausbilden einer Mehrzahl von Trenngräben in einer ersten Hauptfläche eines Halbleitersubstrats;Montieren der ersten Hauptfläche des Halbleitersubstrats auf einem Träger;Entfernen von Substratmaterial nur von einem mittleren Bereich einer zweiten Hauptfläche des Halbleitersubstrats derart, dass die Mehrzahl von Trenngräben von der zweiten Hauptfläche her freigelegt ist, wobei ein Randbereich des Halbleitersubstrats verbleibt, wobei der Randbereich eine Dicke von mehr als 150 µm aufweist; undEntfernen des Randbereichs von dem Träger mittels Zuführens eines Luftstroms zum Randbereich.

公开(公告)号：DE102019108754A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102019108754

申请日：2019-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MODER IRIS ,  GOLLER BERNHARD ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER SANTOS ,  HOECHBAUER TOBIAS

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Halbleitersubstrat (700) umfasst einen Basisbereich (705), eine Zusatzschicht (710) und eine Oberflächenschicht (720). Die Zusatzschicht (710) ist auf dem Basisbereich (705) ausgebildet. Die Oberflächenschicht (720) ist auf der Zusatzschicht (710) ausgebildet. Die Oberflächenschicht (720) ist mit einer ersten Hauptoberfläche (701) des Halbleitersubstrats (700) in Kontakt. Die Zusatzschicht (710) weist eine andere elektrochemische Auflösungseffizienz als der Basisbereich (705) und die Oberflächenschicht (720) auf. Zumindest ein Bereich der Zusatzschicht (710) und ein Bereich der Oberflächenschicht (720) werden in eine poröse Struktur (820) transformiert. Anschließend wird auf der ersten Hauptoberfläche (701) eine epitaktische Schicht (730) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102015104816A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：DE102015104816

申请日：2015-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JOSHI RAVI KESHAV ,  BREYMESSER ALEXANDER ,  GOLLER BERNHARD ,  KARLOVSKY KAMIL ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  ZORN PETER

IPC: H01M10/0525 ,  H01L21/50 ,  H01L27/06

Abstract: Eine Batterie (2) umfasst ein erstes Substrat (100), das eine erste Hauptoberfläche (110) hat, ein zweites Substrat (155), das aus einem leitenden Material oder einem Halbleitermaterial hergestellt ist, und einen Träger (150) aus einem isolierenden Material. Der Träger (150) hat eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (151, 153), wobei das zweite Substrat (155) an der ersten Hauptoberfläche (151) des Trägers (150) angebracht ist. Eine Öffnung (152) ist in der zweiten Hauptoberfläche (153) des Trägers (150) gebildet, um einen Teil einer zweiten Hauptoberfläche (156) des zweiten Substrates (155) freizulegen. Die zweite Hauptoberfläche (153) des Trägers (150) ist an dem ersten Substrat (100) angebracht, um dadurch einen Hohlraum (162) zu bilden. Die Batterie umfasst weiterhin einen Elektrolyten (130), der in dem Hohlraum (162) angeordnet ist.