公开(公告)号：DE102021109003A1

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE102021109003

申请日：2021-04-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MACKH GUNTHER ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

Abstract: Ein Verfahren zum Trennen eines elektronischen Chips (100) von einem Wafer (102), wobei das Verfahren ein Bilden von mindestens einem Graben (104) in einer Rückseite (106) des Wafers (102) um zumindest einen Teil des abzutrennenden elektronischen Chips (100), ein Bilden einer Rückseitenmetallisierung (108), welche zumindest einen Teil der Rückseite (106) und zumindest einen Teil des mindestens einen Grabens (104) bedeckt, ein Befestigen einer Haftschicht (110) eines Tapes (112) an zumindest einem Teil der Rückseitenmetallisierung (108), und ein Trennen des elektronischen Chips (100) mittels Entfernens von Material von einer Vorderseite (114) des Wafers (102) entlang eines Trennungspfads (116) aufweist, welcher einen Teil des mindestens einen Grabens (104) enthält, derartig, dass während des Trennens die Haftschicht (110) zumindest einen Teil des mindestens einen Grabens (104) über einer Höhe der Rückseitenmetallisierung (108) auf der Rückseite (106) füllt.

公开(公告)号：DE102010037426A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：DE102010037426

申请日：2010-09-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEUSCHNER RAINER ,  MACKH GUNTHER ,  SEIDEL UWE

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L23/50 ,  H01L23/52

公开(公告)号：DE102021109003B4

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：DE102021109003

申请日：2021-04-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MACKH GUNTHER ,  BRANDL MARTIN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

Abstract: Ein Verfahren zum Trennen eines elektronischen Chips (100) von einem Wafer (102), wobei das Verfahren ein Bilden von mindestens einem Graben (104) in einer Rückseite (106) des Wafers (102) um zumindest einen Teil des abzutrennenden elektronischen Chips (100), ein Bilden einer Rückseitenmetallisierung (108), welche zumindest einen Teil der Rückseite (106) und zumindest einen Teil des mindestens einen Grabens (104) bedeckt, ein Befestigen einer Haftschicht (110) eines Tapes (112) an zumindest einem Teil der Rückseitenmetallisierung (108), und ein Trennen des elektronischen Chips (100) mittels Entfernens von Material von einer Vorderseite (114) des Wafers (102) entlang eines Trennungspfads (116) aufweist, welcher einen Teil des mindestens einen Grabens (104) enthält, derartig, dass während des Trennens die Haftschicht (110) zumindest einen Teil des mindestens einen Grabens (104) über einer Höhe der Rückseitenmetallisierung (108) auf der Rückseite (106) füllt.

公开(公告)号：DE102018118724B4

公开(公告)日：2021-04-15

申请号：DE102018118724

申请日：2018-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LIEBL WOLFGANG ,  ALMSTAETTER STEFAN ,  ARKENAU JENS ,  BOECK JOSEF ,  LEUSCHNER RAINER ,  MACKH GUNTHER

IPC: H01L27/118 ,  H01L27/08

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Programmieren einer einmalig programmierbaren Struktur (220), das Verfahren (100) umfassend:Herstellen (110) einer elektrischen Schaltung (210) mit der einmalig programmierbaren Struktur (220); undDurchtrennen (120) der einmalig programmierbaren Struktur (220) durch Ätzen der einmalig programmierbaren Struktur (220) in einem Trennbereich (230),wobei durch das Durchtrennen (120) der einmalig programmierbaren Struktur (220) eine elektrische Eigenschaft der elektrischen Schaltung (210) verändert wird, wobei die elektrische Eigenschaft ein Wert einer Induktivität der elektrischen Schaltung (210) ist.

公开(公告)号：DE102017106854A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：DE102017106854

申请日：2017-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRUNNBAUER MARKUS ,  KOLLER ADOLF ,  MACKH GUNTHER ,  MÜLLER JOCHEN

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/302 ,  H01L21/322 ,  H01L29/32

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) für die Bearbeitung eines Trägers (202) Folgendes beinhalten: Ausbilden einer Anordnung von Defekten (206) im Träger (202), wobei ein Oberflächengebiet (204f) des Trägers (202) über der Anordnung von Defekten (206) an einer ersten Oberfläche (202f) des Trägers (202) angeordnet ist, wobei die Anordnung von Defekten (206) konfiguriert ist zum Generieren einer Rissstruktur (208), die sich von der Anordnung von Defekten (206) in das Oberflächengebiet (204f) erstreckt; teilweises Entfernen des Trägers (202), um die Anordnung von Defekten (206) zu entfernen; und Trennen des Oberflächengebiets (204f) des Trägers (202) in mehrere Oberflächengebietsabschnitte (204p) entlang der Rissstruktur (208).

公开(公告)号：DE102014101283A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE102014101283

申请日：2014-02-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MACKH GUNTHER

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Bauelement enthält einen Halbleiter-Chip, der eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche enthält, wobei die zweite Hauptoberfläche die Rückseite des Halbleiter-Chips ist. Die zweite Hauptoberfläche enthält ein erstes Gebiet und ein zweites Gebiet, wobei das zweite Gebiet ein Randgebiet der zweiten Hauptoberfläche ist. Das Bauelement enthält weiterhin ein dielektrisches Material, das über dem zweiten Gebiet angeordnet ist, und ein elektrisch leitfähiges Material, das über dem ersten Gebiet angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102011002578A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：DE102011002578

申请日：2011-01-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  MACKH GUNTHER ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H01L27/08 ,  H01F1/36 ,  H01F17/04 ,  H01F41/02

Abstract: Bei einem Ausführungsbeispiel weist ein Induktor ein Substrat, einen über dem Substrat angeordneten Leiter und ein nahtloses ferromagnetisches Material, das zumindest einen ersten Abschnitt des Leiters umgibt, auf.

公开(公告)号：DE102011122923B3

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102011122923

申请日：2011-01-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  MACKH GUNTHER ,  PRUEGL KLEMENS

IPC: H01L27/08 ,  H01F17/04 ,  H01F41/02 ,  H01L21/822

Abstract: Induktor (460; 470), der folgende Merkmale aufweist: ein Substrat (102) mit einem vertieften Abschnitt (109); einen U-förmigen Leiter (462, 464), der auf dem Substrat (102) angeordnet ist, wobei der U-förmige Leiter (462, 464) zwei parallele Anschnitte und einen die parallelen Abschnitte verbindenden Abschnitt (468) umfasst, wobei sich die parallelen Anschnitte über den vertieften Abschnitt (109) erstrecken; und ein nahtloses ferromagnetisches Material (108), das sich durch den vertieften Abschnitt (109) erstreckt und die parallelen Abschnitte des U-förmigen Leiters (462, 464) bedeckt, wobei das nahtlose ferromagnetische Material (108) den verbindenden Abschnitt (468) des U-förmigen Leiters (462, 464) nicht bedeckt, wobei die parallelen Abschnitte des Leiters einen ersten Abschnitt (462), der auf einer oberen Oberfläche des Substrats (102) angeordnet ist, und einen über dem ersten Abschnitt (462) und beabstandet zu der oberen Oberfläche des Substrats (102) angeordneten zweiten Abschnitt (464) umfasst.

公开(公告)号：DE102013111293A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102013111293

申请日：2013-10-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEIDENBLUT MARIA ,  LESCHIK GERHARD ,  MACKH GUNTHER

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: Ein Wafer (400) gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann aufweisen: mindestens eine Metallisierungsstruktur, die mindestens eine Öffnung (404) aufweist; und mindestens eine Trennlinienregion (402), entlang welcher der Wafer (400) zerteilt werden soll, wobei die mindestens eine Trennlinienregion (402) die mindestens eine Öffnung (404) schneidet.

公开(公告)号：DE102013109282A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE102013109282

申请日：2013-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LESCHIK GERHARD ,  MACKH GUNTHER

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/301 ,  H01L23/525

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Schmelzen einer Laserschmelzsicherung gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes aufweisen: Bereitstellen eines Halbleiterwerkstücks mit einem Substratbereich und mindestens einer Laserschmelzsicherung (102); und Schmelzen der mindestens einen Laserschmelzsicherung von einer Rückseite des Substratbereichs mittels eines Infrarotlaserstrahls (104).