公开(公告)号：DE102015101637B4

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：DE102015101637

申请日：2015-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASTRO SERRATO CARLOS ,  MANKEL MICHAEL

IPC: H03K17/082 ,  G01R19/00 ,  G01R19/25

Abstract: Verfahren, umfassend:Bestimmen, dass ein Bipolartransistor (6; 24) mit isolierter Gate-Elektrode in Sättigung ist;während der Bipolartransistor (6; 24) gesättigt ist, Bestimmen einer Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des Bipolartransistors (6; 24);Bestimmen des Kollektor-Stroms des Bipolartransistors (6; 24); undBestimmen einer Temperatur des Bipolartransistors (6; 24) basierend auf der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des Bipolartransistors (6; 24) und dem Kollektor-Strom des Bipolartransistors (6; 24).

公开(公告)号：DE102015101637A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE102015101637

申请日：2015-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASTRO SERRATO CARLOS ,  MANKEL MICHAEL

IPC: H03K17/082

Abstract: In einem Beispiel umfasst ein Verfahren Bestimmen, dass ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) gesättigt ist, und während der Bipolartransistor gesättigt ist, Bestimmen einer Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungdes IGBT.

公开(公告)号：DE102014116793B4

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：DE102014116793

申请日：2014-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWARZ ALEXANDER ,  KOCH CHRISTOPH ,  UHLEMANN ANDRE ,  THOBEN MARKUS ,  MANKEL MICHAEL

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Leistungshalbleitermodul, das Folgendes aufweist: ein Modulgehäuse (6); einen Schaltungsträger (2) mit einem dielektrischen Isolationsträger (20) und einer oberen Metallisierungsschicht (21), die auf eine Oberseite (20t) des dielektrischen Isolationsträgers (20) aufgebracht ist; einem Halbleiterbauelement (1), das auf dem Schaltungsträger (2) angeordnet ist; einen Hochstromleiter (5) mit einem ersten Abschnitt, der im Inneren des Modulgehäuses (6) angeordnet ist und mit einem zweiten Abschnitt, der von der Außenseite des Modulgehäuses (6) her zugänglich ist, wobei der erste Abschnitt eine Anzahl von N ≥ 4 Fortsätzen (54) aufweist und wobei ein an dem zweiten Abschnitt (42) angebrachtes Gewinde entweder als Außengewinde ausgebildet ist, auf das von der Außenseite des Modulgehäuses (6) her eine Mutter aufschraubbar ist, oder als Innengewinde, in das von der Außenseite des Modulgehäuses (6) her eine Schraube einschraubbar ist; eine Anzahl N elektrisch leitender Kontakthülsen (4), die auf dem Schaltungsträger (2) angeordnet sind und in die jeweils einer der Fortsätze (54) eingesteckt und dadurch elektrisch leitend mit dieser verbunden ist, wobei mehrere der Kontakthülsen (4), in die die Fortsätze (54) des Hochstromleiters (5) eingesteckt sind und die auf demselben zusammenhängenden Metallisierungsabschnitt montiert sind, in einem matrixartigen Array mit wenigstens zwei Zeilen und wenigstens zwei Spalten angeordnet sind; wobei der Hochstromleiter (5) einstückig ausgebildet ist und aus einem einheitlichen Material oder einer homogenen Materialzusammensetzung besteht; und wobei der Hochstromleiter (5) durch das Modulgehäuse (6) durch Formschluss und/oder Kraftschluss und/oder Stoffschluss gegen ein Verdrehen, das beim Aufschrauben einer Mutter auf das Außengewinde oder beim Einschrauben einer Schraube in das Innengewinde auftreten kann, gesichert ist.

公开(公告)号：DE102014116793A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：DE102014116793

申请日：2014-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWARZ ALEXANDER ,  KOCH CHRISTOPH ,  UHLEMANN ANDRE ,  THOBEN MARKUS ,  MANKEL MICHAEL

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul. Dieses weist ein Modulgehäuse (6) auf, sowie einen Schaltungsträger (2) mit einem dielektrischen Isolationsträger (20) und mit einer oberen Metallisierungsschicht (21), die auf eine Oberseite (20t) des dielektrischen Isolationsträgers (20) aufgebracht ist. Auf dem Schaltungsträger (2) ist Halbleiterbauelement (1) angeordnet. Außerdem weist das Leistungshalbleitermodul einen Hochstromleiter (5) mit einem ersten Abschnitt auf, der im Inneren des Modulgehäuses (6) angeordnet ist und mit einem zweiten Abschnitt, der von der Außenseite des Modulgehäuses (6) her zugänglich ist. Der erste Abschnitt weist außerdem eine Anzahl von N ≥ 2 Fortsätzen (54) auf. Auf dem Schaltungsträger (2) ist eine Anzahl N elektrisch leitender Kontakthülsen (4) angeordnet, in die jeweils einer der Fortsätze (54) eingesteckt und dadurch elektrisch leitend mit dieser verbunden ist.

公开(公告)号：DE102013224022A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：DE102013224022

申请日：2013-11-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CASTRO SERRATO CARLOS ,  MANKEL MICHAEL ,  MÜNZER MARK NILS

IPC: H02M7/537

Abstract: Ein Wechselrichter enthält eine Referenzleitung, die operativ mit einem Referenzpotential versorg wird, und eine Versorgungsleitung, die operativ mit einer Gleichstrom-Versorgungsspannung bezüglich des Referenzpotentials versorgt wird. Eine erste Halbbrücke enthält einen Hochspannungsschalter und einen Niederspannungsschalter. Der Hochspannungsschalter ist zwischen die Versorgungsleitung und einen mittleren Abgriff der Halbbrücke gekoppelt, und der Niederspannungsschalter ist zwischen den mittleren Abgriff und die Referenzleitung gekoppelt. Der Niederspannungsschalter wird durch einen normalerweise eingeschalteten Siliziumkarbid-Sperrschicht-Feldeffekttransistor gebildet, und der Hochspannungsschalter wird durch eine Reihenschaltung aus einem normalerweise eingeschalteten Siliziumkarbid-Sperrschicht-Feldeffekttransistor und einem normalerweise ausgeschalteten Metalloxidfeldeffekttransistor gebildet.