公开(公告)号：DE102022114947B4

公开(公告)日：2025-02-13

申请号：DE102022114947

申请日：2022-06-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  BAYER PETER ,  KOCH CHRISTOPH

IPC: H01L23/32 ,  H01L21/50 ,  H01L23/34 ,  H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H02M1/00 ,  H10D80/20

Abstract: Leistungshalbleitermodul, aufweisend:einen elektrisch isolierenden Rahmen (100) mit einer ersten Montageseite (102), einer zweiten Montageseite (104), die der ersten Montageseite (102) gegenüberliegt, und einem Rand (106), der einen Umfang des elektrisch isolierenden Rahmens (100) definiert;ein erstes Substrat (120), das in dem elektrisch isolierenden Rahmen (100) sitzt;eine Vielzahl von Leistungshalbleiterchips (124), die an dem ersten Substrat (120) befestigt sind;eine Vielzahl von Signalstiften (130), die an dem ersten Substrat (120) angebracht und elektrisch mit den Leistungshalbleiterchips (124) verbunden sind;eine Vielzahl von Stromschienen (108, 110, 112), die an dem ersten Substrat (124) befestigt sind und sich durch den Rand (106) des elektrisch isolierenden Rahmens (100) erstrecken;eine Vielzahl von Befestigungsstellen (116) an der ersten Montageseite (102) des elektrisch isolierenden Rahmens (100);eine Vielzahl von elektrisch isolierenden Vorsprüngen (118), die von der zweiten Montageseite (104) des elektrisch isolierenden Rahmens (100) vorstehen,wobei die Vielzahl von elektrisch isolierenden Vorsprüngen (118) vertikal mit der Vielzahl von Befestigungsstellen (116) ausgerichtet ist,wobei der elektrisch isolierende Rahmen (100) Kunststoff aufweist, und wobei die elektrisch isolierenden Vorsprünge (118) Vorsprünge aus dem Kunststoff sind, die von der zweiten Montageseite (104) des elektrisch isolierenden Rahmens (100) vorstehen; undeine Vielzahl von Öffnungen in dem Kunststoff an der Vielzahl von Befestigungsstellen (116).

公开(公告)号：DE102022206910A1

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE102022206910

申请日：2022-07-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  KOCH CHRISTOPH ,  SPITZER DIETMAR

IPC: G01R15/00 ,  G01R15/20 ,  H01L25/07

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Stromsensor-Drehstab. Ein Leistungshalbleitermodul beinhaltet einen elektrisch isolierenden Rahmen mit einander gegenüberliegenden Montageseiten und eine Grenzwand, die einen Umfang des elektrisch isolierenden Rahmens definiert; ein erstes Substrat, das in dem Rahmen angeordnet ist; Leistungshalbleiter-Dies, die an dem Substrat befestigt sind; Signalpins, die an dem Substrat befestigt sind und mit den Leistungshalbleiter-Dies elektrisch verbunden sind; eine Stromschiene, die an dem Substrat befestigt ist und sich durch die Grenzwand erstreckt; eine Aufnahme in der Grenzwand, die dazu konfiguriert ist, ein Stromsensormodul aufzunehmen, und die einen Teil der Stromschiene freilegt, wobei der freiliegende Teil der Stromschiene eine Öffnung aufweist; und einen Drehstab, der aus einer ersten Seitenwand der Aufnahme heraus und zu dem freiliegenden Teil der Stromschiene ragt, ohne die Öffnung in der Stromschiene zu blockieren, wobei der erste Drehstab eine Drehachse in der Aufnahme bildet. Ferner werden eine Leistungselektronikanordnungen, die das Leistungshalbleitermodul enthält, und ein entsprechendes Herstellungsverfahren beschrieben.

公开(公告)号：DE102016119597B4

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102016119597

申请日：2016-10-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWARZ ALEXANDER ,  KOCH CHRISTOPH

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07

Abstract: Elektronikmodul, das aufweist:eine erste Leiterplatte (1) mit einer ersten Metallisierungsschicht (11);eine zweite Leiterplatte (2) mit einer zweiten Metallisierungsschicht (21);ein elektrisches Anschlusselement (4), das einen ersten Abschnitt (41) aufweist, der zumindest teilweise zwischen der ersten Metallisierungsschicht (11) und der zweiten Metallisierungsschicht (21) angeordnet ist;eine elektrisch leitende erste Verbindungsschicht (31), die sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt (41) und der ersten Metallisierungsschicht (11) erstreckt; undeine elektrisch leitende zweite Verbindungsschicht (32), die sich durchgehend zwischen dem ersten Abschnitt (41) und der zweiten Metallisierungsschicht (21) erstreckt;wobei von der ersten Verbindungsschicht (31) und der zweiten Verbindungsschicht (32) eine als Schicht mit einem gesinterten Metallpulver ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102022206910B4

公开(公告)日：2025-03-13

申请号：DE102022206910

申请日：2022-07-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  KOCH CHRISTOPH ,  SPITZER DIETMAR

IPC: G01R15/00 ,  G01R15/20 ,  H10D80/20

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Stromsensor-Drehstab. Ein Leistungshalbleitermodul beinhaltet einen elektrisch isolierenden Rahmen mit einander gegenüberliegenden Montageseiten und eine Grenzwand, die einen Umfang des elektrisch isolierenden Rahmens definiert; ein erstes Substrat, das in dem Rahmen angeordnet ist; Leistungshalbleiter-Dies, die an dem Substrat befestigt sind; Signalpins, die an dem Substrat befestigt sind und mit den Leistungshalbleiter-Dies elektrisch verbunden sind; eine Stromschiene, die an dem Substrat befestigt ist und sich durch die Grenzwand erstreckt; eine Aufnahme in der Grenzwand, die dazu konfiguriert ist, ein Stromsensormodul aufzunehmen, und die einen Teil der Stromschiene freilegt, wobei der freiliegende Teil der Stromschiene eine Öffnung aufweist; und einen Drehstab, der aus einer ersten Seitenwand der Aufnahme heraus und zu dem freiliegenden Teil der Stromschiene ragt, ohne die Öffnung in der Stromschiene zu blockieren, wobei der erste Drehstab eine Drehachse in der Aufnahme bildet. Ferner werden eine Leistungselektronikanordnungen, die das Leistungshalbleitermodul enthält, und ein entsprechendes Herstellungsverfahren beschrieben.

公开(公告)号：DE102022114947A1

公开(公告)日：2022-12-29

申请号：DE102022114947

申请日：2022-06-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  BAYER PETER ,  KOCH CHRISTOPH

IPC: H01L23/32 ,  H01L21/50 ,  H01L23/34 ,  H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07 ,  H02M1/00

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul umfasst: einen elektrisch isolierenden Rahmen mit einer ersten und einer zweiten Montageseite, die einander gegenüberliegen, und einem Rand, der einen Umfang des elektrisch isolierenden Rahmens definiert; ein erstes Substrat, das in dem elektrisch isolierenden Rahmen sitzt; eine Vielzahl von Leistungshalbleiterchips, die an dem ersten Substrat angebracht sind; eine Vielzahl von Signalstiften, die an dem ersten Substrat angebracht und elektrisch mit den Leistungshalbleiterchips verbunden sind; eine Vielzahl von Stromschienen, die an dem ersten Substrat angebracht sind und sich durch den Rand des elektrisch isolierenden Rahmens erstrecken; eine Vielzahl von Befestigungsstellen an der ersten Montageseite des elektrisch isolierenden Rahmens; und eine Vielzahl von elektrisch isolierenden Vorsprüngen, die aus der zweiten Montageseite des elektrisch isolierenden Rahmens herausragen, wobei die Vorsprünge vertikal mit den Befestigungsstellen ausgerichtet sind. Verfahren zur Herstellung des Leistungshalbleitermoduls und Leistungselektronikanordnungen, die das Leistungshalbleitermodul enthalten, werden ebenfalls beschrieben.

公开(公告)号：DE102021104793A1

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE102021104793

申请日：2021-03-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： UHLEMANN ANDRE ,  KOCH CHRISTOPH

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Ein externes Kontaktelement für ein Leistungshalbleitermodul besteht aus einem Verbundblechstreifen, wobei der Verbundblechstreifen so ausgebildet ist, dass das externe Kontaktelement Folgendes aufweist: einen ersten Kontaktabschnitt, der so konfiguriert ist, dass er durch eine erste Lötstelle mit dem Leistungshalbleitermodul verbunden werden kann, einen zweiten Kontaktabschnitt, der von dem ersten Kontaktabschnitt in einer Dickenrichtung von der Ebene des ersten Kontaktabschnitts beabstandet ist, wobei der zweite Kontaktabschnitt so konfiguriert ist, dass er mit einer externen Vorrichtung verbunden werden kann, und einen Federabschnitt, der den ersten und den zweiten Kontaktabschnitt miteinander verbindet und so konfiguriert ist, dass er eine Bewegung entlang der Dickenrichtung kompensiert, wobei der Verbundblechstreifen ein erstes Blech aufweist, das ein erstes Metall oder eine erste Metalllegierung umfasst, und ein zweites Blech, das ein anderes, zweites Metall oder eine andere, zweite Metalllegierung umfasst, und wobei das zweite Blech von zumindest einem wesentlichen Teil des ersten Kontaktabschnitts weggelassen ist.

公开(公告)号：DE102014116793B4

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：DE102014116793

申请日：2014-11-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHWARZ ALEXANDER ,  KOCH CHRISTOPH ,  UHLEMANN ANDRE ,  THOBEN MARKUS ,  MANKEL MICHAEL

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Leistungshalbleitermodul, das Folgendes aufweist: ein Modulgehäuse (6); einen Schaltungsträger (2) mit einem dielektrischen Isolationsträger (20) und einer oberen Metallisierungsschicht (21), die auf eine Oberseite (20t) des dielektrischen Isolationsträgers (20) aufgebracht ist; einem Halbleiterbauelement (1), das auf dem Schaltungsträger (2) angeordnet ist; einen Hochstromleiter (5) mit einem ersten Abschnitt, der im Inneren des Modulgehäuses (6) angeordnet ist und mit einem zweiten Abschnitt, der von der Außenseite des Modulgehäuses (6) her zugänglich ist, wobei der erste Abschnitt eine Anzahl von N ≥ 4 Fortsätzen (54) aufweist und wobei ein an dem zweiten Abschnitt (42) angebrachtes Gewinde entweder als Außengewinde ausgebildet ist, auf das von der Außenseite des Modulgehäuses (6) her eine Mutter aufschraubbar ist, oder als Innengewinde, in das von der Außenseite des Modulgehäuses (6) her eine Schraube einschraubbar ist; eine Anzahl N elektrisch leitender Kontakthülsen (4), die auf dem Schaltungsträger (2) angeordnet sind und in die jeweils einer der Fortsätze (54) eingesteckt und dadurch elektrisch leitend mit dieser verbunden ist, wobei mehrere der Kontakthülsen (4), in die die Fortsätze (54) des Hochstromleiters (5) eingesteckt sind und die auf demselben zusammenhängenden Metallisierungsabschnitt montiert sind, in einem matrixartigen Array mit wenigstens zwei Zeilen und wenigstens zwei Spalten angeordnet sind; wobei der Hochstromleiter (5) einstückig ausgebildet ist und aus einem einheitlichen Material oder einer homogenen Materialzusammensetzung besteht; und wobei der Hochstromleiter (5) durch das Modulgehäuse (6) durch Formschluss und/oder Kraftschluss und/oder Stoffschluss gegen ein Verdrehen, das beim Aufschrauben einer Mutter auf das Außengewinde oder beim Einschrauben einer Schraube in das Innengewinde auftreten kann, gesichert ist.

公开(公告)号：DE102014115201A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：DE102014115201

申请日：2014-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JONES PATRICK ,  KOCH CHRISTOPH ,  SIELAFF MICHAEL

IPC: H05K3/36

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verlöten eines Schaltungsträgers (2) mit einer Trägerplatte (3). Hierzu werden eine Trägerplatte (3), ein Schaltungsträger (2) und ein Lot (5) bereitgestellt. Die Trägerplatte (3) weist eine Oberseite (2t) auf, sowie eine erste Justiereinrichtung (41). Der Schaltungsträger (2) weist eine Unterseite (2b) auf, sowie eine zweite Justiereinrichtung (42). Der Schaltungsträger (2) wird so auf die Trägerplatte (3) aufgelegt, dass die Unterseite (2b) des Schaltungsträgers (2) der Oberseite (3t) der Trägerplatte (3) zugewandt ist, das Lot (5) zwischen der Trägerplatte (3) und dem Schaltungsträger (2) angeordnet ist, und die erste Justiereinrichtung (41) für die zweite Justiereinrichtung (42) einen Anschlag bildet, der eine Verschiebung des auf die Trägerplatte (3) aufgelegten Schaltungsträgers (2) entlang der Oberseite der Trägerplatte (3) begrenzt. Danach wird das Lot (5) aufgeschmolzen und nachfolgend abgekühlt, bis es erstarrt und den Schaltungsträger (2) an der unteren Metallisierungsschicht (22) stoffschlüssig mit der Trägerplatte (3) verbindet.

公开(公告)号：DE102023122872B3

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE102023122872

申请日：2023-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS ,  SPITZER DIETMAR ,  KOCH CHRISTOPH

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H10D80/20

Abstract: Leistungselektroniksystem, umfassend: ein Leistungshalbleitermodul, umfassend: ein Leistungselektroniksubstrat, das eine erste Seite umfasst, einen Leistungshalbleiterchip, der auf der ersten Seite des Leistungselektroniksubstrats angeordnet und mit dieser elektrisch gekoppelt ist, einen Kunststoffrahmen, der an der ersten Seite des Leistungselektroniksubstrats angeordnet ist, wobei der Leistungshalbleiterchip in einem Innenvolumen des Kunststoffrahmens angeordnet ist, und einen ersten Laststromkontakt, der mit der ersten Seite des Leistungselektroniksubstrats elektrisch verbunden und von dem Kunststoffrahmen teilweise freigelegt ist, wobei der erste Laststromkontakt eine erste Seite, die von dem Leistungselektroniksubstrat abgewandt ist, und eine gegenüberliegende zweite Seite umfasst, wobei der Kunststoffrahmen eine Aussparung über der ersten Seite des ersten Laststromkontakts umfasst; eine Treiberplatine, die über dem Leistungshalbleitermodul angeordnet ist; und einen Stromsensor, der auf einer zweiten Seite der Treiberplatine angeordnet und mit dieser elektrisch gekoppelt ist, die dem einen Leistungshalbleitermodul zugewandt ist, wobei der Stromsensor dazu ausgelegt ist, einen Wechselstrom zu erfassen, der durch den ersten Laststromkontakt fließt, wobei der Stromsensor teilweise innerhalb der Aussparung angeordnet ist und wobei der Kunststoffrahmen dazu ausgelegt ist, den Stromsensor von dem ersten Laststromkontakt elektrisch zu isolieren.

公开(公告)号：DE102014111995B4

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE102014111995

申请日：2014-08-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LARISCH MICHAEL ,  KOCH CHRISTOPH ,  CORDES RENE ,  SCHENNETTEN SVEN

IPC: H01L23/049 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66 ,  H01L21/687

Abstract: Verfahren zum Ergreifen eines Halbleitermoduls (100) mit den Schritten:Bereitstellen eines Halbleitermoduls (100), wobei das Halbleitermodul (100) aufweist:ein Außengehäuse (6) mit vier Seitenwänden (61, 62, 63, 64);einen an dem Außengehäuse (6) montierten Schaltungsträger (2), der eine Oberseite (2t) sowie eine der Oberseite (2t) entgegengesetzte Unterseite (2b) aufweist;einen Halbleiterchip (1), der auf der Oberseite (2t) und in dem Außengehäuse (2t) angeordnet ist; undeine als Vertiefung ausgebildete erste Greifertasche (71), die sich ausgehend von der Außenseite des Außengehäuses (6) in eine erste (61) der Seitenwände (61, 62, 63, 64) hinein erstreckt;Bereitstellen einer Positioniervorrichtung (200), die einen ersten Greiferfinger (271) aufweist;Ergreifen des Halbleitermoduls (100) mittels der Positioniervorrichtung (200), wobei der erste Greiferfinger (271) in die erste Greifertasche (71) eingreift; undBewegen des Halbleitermoduls (100) durch die Positioniervorrichtung (200) nach dem Ergreifen, wobei das Halbleitermodul (100) während des Bewegens durch die Positioniervorrichtung (200) auf den Kopf gestellt wird.