公开(公告)号：DE112018004697T5

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：DE112018004697

申请日：2018-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATALN MARIANNE ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  PELZER RAINER ,  WEIDGANS BERNHARD

IPC: H01L23/00 ,  B81B3/00 ,  H01L23/58

Abstract: Ein Halbleiterbauelement enthält ein Substrat, eine strukturierte Zwischenschicht auf dem Substrat und mit definierte Rändern, und eine strukturierte Metallisierung auf der strukturierten Zwischenschicht und ebenfalls mit definierten Rändern. Jeder definierte Rand der strukturierten Zwischenschicht ist zu einem der definierten Ränder der strukturierten Metallisierung benachbart und verläuft in dieselbe Richtung wie der benachbarte definierte Rand der strukturierten Metallisierung. Jeder definierte Rand der strukturierten Zwischenschicht erstreckt sich um zumindest 0,5 Mikrometer über den benachbarten definierten Rand der strukturierten Metallisierung hinaus, so dass jeder definierte Rand der strukturierten Metallisierung endet, bevor er den benachbarten definierten Rand der strukturierten Zwischenschicht erreicht. Die strukturierte Zwischenschicht weist bei Raumtemperatur eine Druckeigenspannung auf.