公开(公告)号：DE102010063455A1

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：DE102010063455

申请日：2010-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOHAMMED ANWAR A ,  CHEW SOON ING ,  FOWLKES DONALD ,  KOMPOSCH ALEXANDER ,  LAW BENJAMIN-PAIN-FONG ,  REAL MICHAEL OPIZ

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/12

Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst einen gekrümmten Körper und eine Mehrzahl von Halbleiterchips. Der gekrümmte Körper umfasst eine erste und eine zweite gegenüberliegende Endregion und eine dazwischenliegende Mittelregion. Der gekrümmte Körper hat einen ersten Wendepunkt an der Mittelregion, einen zweiten Wendepunkt an der ersten Endregion und einen dritten Wendepunkt an der zweiten Endregion. Die Mittelregion hat eine konvexe Krümmung mit einem minimalen Extremum an dem ersten Wendepunkt, die erste Endregion hat eine konkave Krümmung mit einem maximalen Extremum an dem zweiten Wendepunkt und die zweite Endregion hat eine konkave Krümmung mit einem maximalen Extremum an dem dritten Wendepunkt. Die Mehrzahl von Halbleiterchips ist an einer oberen Oberfläche des gekrümmten Körpers zwischen den maximalen Extrema befestigt.