公开(公告)号：DE102010063455A1

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：DE102010063455

申请日：2010-12-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOHAMMED ANWAR A ,  CHEW SOON ING ,  FOWLKES DONALD ,  KOMPOSCH ALEXANDER ,  LAW BENJAMIN-PAIN-FONG ,  REAL MICHAEL OPIZ

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/12

Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst einen gekrümmten Körper und eine Mehrzahl von Halbleiterchips. Der gekrümmte Körper umfasst eine erste und eine zweite gegenüberliegende Endregion und eine dazwischenliegende Mittelregion. Der gekrümmte Körper hat einen ersten Wendepunkt an der Mittelregion, einen zweiten Wendepunkt an der ersten Endregion und einen dritten Wendepunkt an der zweiten Endregion. Die Mittelregion hat eine konvexe Krümmung mit einem minimalen Extremum an dem ersten Wendepunkt, die erste Endregion hat eine konkave Krümmung mit einem maximalen Extremum an dem zweiten Wendepunkt und die zweite Endregion hat eine konkave Krümmung mit einem maximalen Extremum an dem dritten Wendepunkt. Die Mehrzahl von Halbleiterchips ist an einer oberen Oberfläche des gekrümmten Körpers zwischen den maximalen Extrema befestigt.

公开(公告)号：DE102013103119A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102013103119

申请日：2013-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOMPOSCH ALEXANDER ,  CHEW SOON ING ,  CONDIE BRIAN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Halbleiterpackage beinhaltet eine Grundplatte mit einem Chip-Befestigungsbereich und einem peripheren Bereich, wobei ein Transistorchip einen am Chip-Befestigungsbereich angebrachten ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss und einen dritten Anschluss abgewandt von der Grundplatte aufweist, und einen Rahmen, der ein elektrisch isolierendes Glied beinhaltet, das eine am peripheren Bereich der Grundplatte angebrachte erste Seite, eine von der Grundplatte abgewandte zweite Seite, eine erste Metallisierung an der ersten Seite des isolierenden Glieds und eine zweite Metallisierung an der zweiten Seite des isolierenden Glieds beinhaltet. Das isolierende Glied erstreckt sich nach außen über die laterale Seitenwand der Grundplatte hinaus. Die erste Metallisierung ist an dem Teil der ersten Seite angebracht, der sich nach außen über die laterale Seitenwand der Grundplatte hinaus erstreckt. Die erste und zweite Metallisierung sind bei einem von der lateralen Seitenwand der Grundplatte beabstandeten Bereich des isolierenden Glieds elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102015107970A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102015107970

申请日：2015-05-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHEW SOON ING ,  HUGO HERMAN ,  KOMPOSCH ALEXANDER ,  WARD SIMON

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/32

Abstract: Ein Halbleitervorrichtungsgehäuse weist eine solide Metallbasis mit einer oberen Oberfläche und einer elektrisch leitfähigen Chipbefestigungsfläche auf der oberen Oberfläche auf. Ein erstes und ein zweites Paar von leitfähigen Anschlüssen sind an der Basis befestigt und erstrecken sich weg voneinander in entgegengesetzte Richtungen. Ein erster und ein zweiter Verstärker sind an der oberen Oberfläche befestigt und elektrisch mit dem ersten und dem zweiten Paar von Anschlüssen verbunden. Das erste Paar ist von dem zweiten Paar über einen horizontalen Spalt zwischen Innenkantenseiten der Anschlüsse getrennt. Eine Bezugslinie in dem horizontalen Spalt, der sich senkrecht zu den Kanten der Basis erstreckt, trennt die Chipbefestigungsfläche in einen ersten und einen zweiten Chipbefestigungsabschnitt. Eine Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts ist kleiner als eine Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts. Der erste und der zweite Anschluss weisen eine kleinere Breite auf als der dritte und der vierte Anschluss.

公开(公告)号：DE102013103119B4

公开(公告)日：2019-04-18

申请号：DE102013103119

申请日：2013-03-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOMPOSCH ALEXANDER ,  CHEW SOON ING ,  CONDIE BRIAN

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleiterpackage, umfassend:eine kupferhaltige Grundplatte (100), die einen Chip-Befestigungsbereich (102; 103) und einen peripheren Bereich (101; 104) aufweist;einen Transistorchip (110), der einen ersten Anschluss, der am Chip-Befestigungsbereich (102; 103) der Grundplatte (100) angebracht ist, und einen zweiten Anschluss und einen dritten Anschluss abgewandt von der Grundplatte (100) aufweist; undeinen Rahmen (120), der ein elektrisch isolierendes Glied (122) umfasst, das eine am peripheren Bereich (101; 104) der Grundplatte (100) angebrachte erste Seite (128), eine von der Grundplatte (100) abgewandte zweite Seite (126), eine erste kupferhaltige Metallisierung (138) an der ersten Seite (128) des isolierenden Glieds (122) und eine zweite kupferhaltige Metallisierung (130) an der zweiten Seite (126) des isolierenden Glieds (122) umfasst, wobei jede Rahmenmetallisierung eine Schicht von Ni (250) auf Kupfer und eine Schicht von Au (252) auf dem Ni (250) umfasst,wobei das isolierende Glied (122) sich nach außen über eine laterale Seitenwand (106) der Grundplatte (100) hinaus erstreckt, die erste Metallisierung (138) an dem Teil der ersten Seite (128) angebracht ist, der sich nach außen über die laterale Seitenwand (106) der Grundplatte (100) hinaus erstreckt, und die erste und zweite Metallisierung bei einem Bereich des isolierten Glieds (122) elektrisch verbunden sind, der von der lateralen Seitenwand (106) der Grundplatte (100) beabstandet ist,wobei das isolierende Glied (122) elektrisch leitfähige Durchkontaktierungen (160) umfasst, die sich zwischen den ersten und zweiten Seiten des isolierenden Glieds (122) erstrecken, wobei die leitfähigen Durchkontaktierungen (160) die erste und zweite Metallisierung bei einem von der lateralen Seitenwand (106) der Grundplatte (100) beabstandeten Bereich des isolierenden Glieds (122) elektrisch verbinden, undwobei die Durchkontaktierungen (160) Öffnungen umfassen, die sich durch das isolierende Glied (122) erstrecken und Seitenwände aufweisen, die von einem kupferhaltigen Material bedeckt sind.