公开(公告)号：DE102019115857A1

公开(公告)日：2020-12-17

申请号：DE102019115857

申请日：2019-06-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOEGERL JÜRGEN ,  BRADL STEPHAN ,  OBERMEIER DANIEL ,  BETZ BERND

IPC: H01L23/433 ,  H01L21/50 ,  H01L23/488

Abstract: Ein Halbleitergehäuse zur doppelseitigen Kühlung umfasst einen ersten und einen zweiten Träger, die einander zugewandt sind, mindestens einen Leistungshalbleiterchip, der zwischen dem ersten und dem zweiten Träger angeordnet ist, externe Kontakte, die mindestens teilweise zwischen dem ersten und dem zweiten Träger angeordnet sind, und Federelemente, die zwischen dem ersten und dem zweiten Träger angeordnet und so konfiguriert sind, dass sie den ersten und den zweiten Träger in einem vordefinierten Abstand voneinander halten.

公开(公告)号：DE102023203937B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE102023203937

申请日：2023-04-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELIAN KLAUS ,  OBERMEIER DANIEL ,  STOICESCU EMANUEL

IPC: B06B1/02 ,  A61B8/00 ,  G01N29/34

Abstract: Ultraschallvorrichtung (100, 200, 300), umfassend:mindestens einen mikromechanischen Ultraschallwandler, MUT (111, ..., 118); undeine Verarbeitungsschaltung (120), die elektrisch mit dem mindestens einen MUT (111, ..., 118) gekoppelt ist,wobei der mindestens eine MUT (111, ..., 118) und die Verarbeitungsschaltung (120) in einem eingebetteten Wafer-Level-Ball-Grid-Array-, eWLB-, Gehäuse (130) verpackt sind,wobei ein akustisches Kopplungsmedium (140) zum akustischen Koppeln des mindestens einen MUT (111, ..., 118) mit einer externen Anwendungsoberfläche auf dem mindestens einen MUT (111, ..., 118) gebildet ist, undwobei der mindestens eine MUT (111, ..., 118) in eine Formmasse (131) des eWLB-Gehäuses (130) eingebettet ist, wobei eine oder mehrere Umverteilungsschichten (132, 133) auf der Formmasse (131) zum elektrischen Koppeln der Verarbeitungsschaltung (120) mit dem mindestens einen MUT (111, ..., 118) gebildet sind und wobei eine Aussparung (136) in der einen oder den mehreren Umverteilungsschichten (132, 133) für das akustische Kopplungsmedium (140) bereitgestellt ist.

公开(公告)号：DE102024203841A1

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE102024203841

申请日：2024-04-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROLL MARIAN SEBASTIAN ,  OBERMEIER DANIEL ,  BIERMANN FLORIAN ALEXANDER

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul umfasst: ein erstes Substrat; einen ersten Leistungshalbleiterchip, der an dem ersten Substrat angebracht ist; und einen ersten metallischen Clip mit einer Vielzahl von ersten Kontaktbereichen, die entweder mit einem ersten metallischen Bereich des ersten Substrats oder einem ersten metallischen Bereich des ersten Leistungshalbleiterchips ultraschallverschweißt sind. Die ersten Kontaktbereiche des ersten metallischen Clips sind durch einen ersten Spalt in dem ersten metallischen Clip seitlich voneinander getrennt. Zusätzliche Ausführungsformen des Leistungshalbleitermoduls und entsprechende Herstellungsverfahren werden hier ebenfalls beschrieben.