公开(公告)号：DE102010028137A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：DE102010028137

申请日：2010-04-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SEIDEL UWE ,  OBERNHUBER THORSTEN ,  BIRNER ALBERT ,  EHRENTRAUT GEORG

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768

公开(公告)号：DE102010028137B4

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE102010028137

申请日：2010-04-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SEIDEL UWE ,  OBERNHUBER THORSTEN ,  BIRNER ALBERT ,  EHRENTRAUT GEORG

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren (100) zum Herstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen einer ersten Oberfläche eines Halbleitersubstrats (210) und einer zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats (210), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:Herstellen (110) eines Lochs (220) von der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (210) in das Halbleitersubstrat (210);Bilden einer Barriereschicht (310) auf der Oberfläche des Lochs (220), wobei die Barriereschicht (310) Titan oder Titannitrid aufweist;Bilden (120) einer ersten elektrisch leitfähigen Schicht (230) auf der Barriereschicht (310), wobei die erste elektrisch leitfähige Schicht (230) Wolfram aufweist und wobei die Barriereschicht (310) als eine Diffusionsbarriere für das Wolfram der ersten elektrisch leitfähigen Schicht (230) verwendet wird;Entfernen (130) der ersten elektrisch leitfähigen Schicht (230) von der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (210), wobei die erste elektrisch leitfähige Schicht (230) zumindest mit reduzierter Dicke in dem Loch (220) verbleibt;Bilden einer zweiten elektrisch leitfähigen Schicht (320) über der verbleibenden ersten elektrisch leitfähigen Schicht (230), wobei die zweite elektrisch leitfähige Schicht (320) Kupfer aufweist;Füllen (140) des Lochs (220) mit Kupfer (240), wobei die zweite elektrisch leitfähige Schicht (320) als eine Keimschicht für die Kupferfüllung (240) verwendet wird; undDünnen (150) des Halbleitersubstrats (210) beginnend von einer Oberfläche, die eine gegenüberliegende Oberfläche der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats (210) ist, um die zweite Oberfläche des Halbleitersubstrats (210) zu erhalten, wobei das Loch (220) an der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats (210) freigelegt wird.