公开(公告)号：DE102008058003A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：DE102008058003

申请日：2008-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER ,  PAUL INDRAJIT

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

公开(公告)号：DE102008058003B4

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：DE102008058003

申请日：2008-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER DR ,  PAUL INDRAJIT

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls, welches ein mit einer Metallisierung versehenes Substrat (5) und mindestens ein als flaches Plättchen ausgebildetes Halbleiterbauelement (1) aufweist, welches an seiner Unterseite eine untere elektrische Anschlussfläche und an seiner Oberseite eine obere elektrische Anschlussfläche (3) aufweist, wobei das Halbleiterbauelement (1) einen Hauptstromzweig aufweist, welcher zwischen der elektrischen Anschlussfläche an der Unterseite und der elektrischen Anschlussfläche (3) an der Oberseite des Halbleiterbauelements (1) durch eine in einem gesperrtenne verläuft, bezüglich des Stromflusses im Hauptstromzweig seitliche Ränder der Sperrschichtzone mit seitlichen, zwischen Oberseite und Unterseite befindlichen Randbereichen des Halbleiterbauelements (1) zusammenfallen, und wobei das Herstellverfahren die folgenden Schritte umfasst: Verbinden der Metallisierung des Substrates (5) mit der unteren Anschlussfläche an der Unterseite des Halbleiterbauelements (1), Verfüllen des Raumes seitlich des Halur Oberseite des Halbleiterbauelements (1) mit einer isolierenden Masse...