公开(公告)号：JP2008199022A

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：JP2008029522

申请日：2008-02-08

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： STOLZE THILO ,  SCHIESS KLAUS ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor module capable of operating at a high reverse voltage. SOLUTION: The power semiconductor module mounted to a cooling element comprises at least a substrate 2 mounted with components 5, 6 and 7, and a module housing. The module housing at least partially surrounds at least the substrate 2. The module housing comprises a first face opposing the cooling element, and a second face having at least an opening and a surface apart from the power semiconductor module. Each of at least one opening has a boundary sealed by internal contacts 16, 17 and 18, and is electrically connected to at least components 5, 6 and 7. Internal contacts project from the module housing so as to extend without going over the second face of the module housing. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够以高反向电压工作的功率半导体模块。 安装到冷却元件的功率半导体模块至少包括安装有部件5,6和7的基板2和模块壳体。 所述模块外壳至少部分地至少包围所述基板2.所述模块壳体包括与所述冷却元件相对的第一面和至少具有与所述功率半导体模块分开的开口和表面的第二面。 至少一个开口中的每一个具有由内部接触件16,17和18密封的边界，并且至少部件5,6和7电连接。内部接触件从模块壳体伸出，以便不会越过第二面 的模块外壳。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE102013219571B4

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102013219571

申请日：2013-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L25/16 ,  H01C1/142 ,  H01C7/00 ,  H01L23/62

Abstract: Leistungshalbleitermodul, das folgendes aufweist:ein Leistungselektronik-Substrat mit einer strukturierten Metallisierung, die mehrere Kontakt-Pads aufweist;mindestens ein auf dem Leistungselektronik-Substrat angeordnetes elektronisches Bauelement;einen Messwiderstand, der folgendes aufweist:eine erste Metallschicht (171'), die in einer ersten Ebene und auf einem der Kontakt-Pads der strukturierten Metallisierung angeordnet und mit dieser mechanisch und elektrisch verbunden ist;eine zweite Metallschicht (172'), die in einer zur strukturierten Metallisierung parallel liegenden und von dieser beabstandeten zweiten Ebene angeordnet ist,eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (174'), welche zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht (171', 172') angeordnet ist und diese mechanisch miteinander verbindet;eine Widerstandsschicht (173), welche die erste und die zweite Metallschicht (171', 172') elektrisch miteinander verbindet und welche seitlich an der isolierende Zwischenschicht (174') angeordnet ist;wobei die zweite Metallschicht (172') sich entlang einer Seitenfläche der Zwischenschicht (174') bis in die erste Ebene erstreckt, wobei in der ersten Ebene, die erste und die zweite Metallschicht (171', 172') zwei elektrisch voneinander isolierte Kontaktflächen aufweisen, die mit korrespondierenden Kontaktflächen des Leistungselektronik-Substrats verbunden sind, undwobei das Leistungshalbleitermodul einen Bonddraht aufweist, der mit der zweiten Metallschicht (172') mittels einer Ultraschallbondverbindung zur elektrischen Kontaktierung des Messwiderstandes verbunden ist.

公开(公告)号：DE102013219571A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：DE102013219571

申请日：2013-09-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L25/16 ,  H01C1/142 ,  H01C7/00 ,  H01L23/62

Abstract: Es wird ein Messwiderstand für die Strommessung beschrieben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Messwiderstand eine erste und einer zweite Metallschicht, eine elektrisch isolierende Zwischenschicht sowie eine Widerstandsschicht auf. Die erste Metallschicht ist in einer ersten Ebene angeordnet. Die zweite Metallschicht ist in einer zweiten Ebene angeordnet, die im Wesentlichen parallel zur ersten Ebene liegt und von dieser beabstandet ist. Die elektrisch isolierende Zwischenschicht ist zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht angeordnet und verbindet diese mechanisch miteinander. Die Widerstandsschicht verbindet die erste und die zweite Metallschicht elektrisch miteinander.

公开(公告)号：DE102009002992B4

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：DE102009002992

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40 ,  H01L25/07

Abstract: Leistungshalbleitermodulsystem mit einem Leistungshalbleitermodul (1) und einem Kühlkörper (2), sowie mit wenigstens einem Befestigungsmittel (7), mittels dem das Leistungshalbleitermodul (1) fest mit dem Kühlkörper (2) verbunden werden kann, wobei das Leistungshalbleitermodul (1) eine Unterseite (12) mit einer ersten Wärmekontaktfläche (13) aufweist; der Kühlkörper (2) eine Oberseite (21) mit einer zweiten Wärmekontaktfläche (23) aufweist; das Leistungshalbleitermodul (1) eine Anzahl von N1 ≥ 1 erster Positionierelemente (14, 15a, 15b, 15c, 16a, 16b, 16c, 17a, 17b, 17c, 18, 19) und der Kühlkörper (2) eine Anzahl von N2 ≥ 1 zweiter Positionierelemente (24, 25a, 25b, 25c, 26a, 26b, 26c, 27a, 27b, 27c, 28, 29) aufweist, wobei jedes der ersten Positionierelemente mit einem der zweiten Positionierelemente korrespondiert und mit diesem ein Paar ((14, 24); (15a, 25a); (15b, 25b); (15c, 25c); (16a, 26a); (16b, 26b); (16c, 26c); (17a, 27a); (17b, 27b); (17c, 27c); (18, 28); (19; 29)) bildet; das Leistungshalbleitermodul (1) und der Kühlkörper (2) so zueinander anordenbar sind, dass die beiden Positionierelemente eines jeden der Paare bei der Montage des Leistungshalbleitermoduls (1) an dem Kühlkörper (2) ineinander greifen, wobei durch die ersten und zweiten Positionierelemente (14, 15a, 15b, 15c, 16a, 16b, 16c, 17a, 17b, 17c, 18, 19, 24, 25a, 25b, 25c, 26a, 26b, 26c, 27a, 27b, 27c, 28, 29) eine eindeutige und verdrehsichere relative Ausrichtung zwischen dem Leistungshalbleitermodul (1) und dem Kühlkörper (2) gewährleistet ist.

公开(公告)号：DE102008049677A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：DE102008049677

申请日：2008-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  KANSCHAT PETER ,  JANSEN UWE

IPC: H03K17/00

公开(公告)号：DE102014118208B4

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：DE102014118208

申请日：2014-12-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVEN JOHANNES GEORG ,  BABURSKE ROMAN ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleitervorrichtung, umfassend:eine Driftzone (120) in einem Halbleiterkörper (100),einen Ladungsträgertransferbereich (115), der einen pn-Übergang (117) mit der Driftzone (120) in dem Halbleiterkörper (100) bildet,einen Rekombinationsbereich (190), der von Lastanschlüssen (A, K, S, D, E, C) der Halbleitervorrichtung (500) elektrisch getrennt ist, undeine Steuerstruktur (180), die gestaltet ist, um elektrisch den Rekombinationsbereich (190) mit der Driftzone (120) während eines Entsättigungszyklus zu verbinden und den Rekombinationsbereich (190) von der Driftzone (120) außerhalb des Entsättigungszyklus zu trennen.

公开(公告)号：DE102013217801B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102013217801

申请日：2013-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER ,  HÖGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED ,  ESCHER-PÖPPEL IRMGARD

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleiteranordnung umfassend:eine obere Kontaktplatte (41) und eine untere Kontaktplatte (42);eine Anzahl von Chipbaugruppen (2), von denen eine jede aufweist:- einen Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (10), wobei der Halbleiterkörper (10) eine Oberseite und eine der Oberseite entgegengesetzte Unterseite aufweist, und wobei die Oberseite in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite beabstandet ist;- eine auf der Oberseite angeordnete obere Hauptelektrode (11);- eine auf der Unterseite angeordnete untere Hauptelektrode (12);- eine an der Oberseite angeordnete Steuerelektrode (13), mittels der ein elektrischer Strom zwischen der oberen Hauptelektrode (11) und der unteren Hauptelektrode (12) gesteuert werden kann; und- ein elektrisch leitendes oberes Ausgleichsplättchen (21), das auf der dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der oberen Hauptelektrode (11) angeordnet und mittels einer oberen Verbindungsschicht (31) mit der oberen Hauptelektrode (11) stoffschlüssig und elektrisch leitend verbunden ist;eine dielektrische Einbettmasse (4), durch die die Chipbaugruppen (2) zu einem festen Verbund (6) stoffschlüssig miteinander verbunden sind, wobei bei einer jeden der Chipbaugruppen (2) die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des oberen Ausgleichsplättchens (21) der betreffenden Chipbaugruppe (2) nicht oder zumindest nicht vollständig von der Einbettmasse (4) bedeckt sind;eine Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70), die auf dem festen Verbund (6) angeordnet ist und die die Steuerelektroden (13) der Chipbaugruppen (2) elektrisch leitend miteinander verbindet;wobeieine jede der Chipbaugruppen (2) derart zwischen der oberen Kontaktplatte (41) und der unteren Kontaktplatte (42) angeordnet ist, dass bei dieser Chipbaugruppe (2) die dem Halbleiterkörper (10) abgewandte Seite des oberen Ausgleichsplättchens (21) die obere Kontaktplatte (41) elektrisch kontaktiert.

公开(公告)号：DE102013217802A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102013217802

申请日：2013-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER ,  HÖGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED ,  ESCHER-PÖPPEL IRMGARD

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07

Abstract: Ein Aspekt der Erfindung der betrifft eine Halbleiteranordnung. Diese umfasst eine obere Kontaktplatte (41), eine untere Kontaktplatte (42), sowie eine Anzahl von Chipbaugruppen (2). Eine jede der Chipbaugruppen (2) weist einen einen Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (10) auf, der eine Oberseite und eine der Oberseite entgegengesetzte Unterseite besitzt, wobei ie Oberseite in einer vertikalen Richtung (v) von der Unterseite beabstandet ist. Auf der Oberseite sind jeweils eine individuelle obere Hauptelektrode (11) und eine individuelle Steuerelektrode (13); angeordnet. Die Chipbaugruppen (2) weisen entweder jeweils eine separate untere Hauptelektrode (12) auf, die auf der Unterseite des Halbleiterchips (100) der betreffenden Chipbaugruppe (2) angeordnet ist, oder eine gemeinsame untere Hauptelektrode (92), die bei einer jeden der Chipbaugruppen (2) auf der Unterseite des Halbleiterkörpers (100) dieser Chipbaugruppe (2) angeordnet ist. Bei einer jeden der Chipbaugruppen (2) kann mittels deren Steuerelektrode (13) ein elektrischer Strom zwischen der individuellen oberen Hauptelektrode (11) und der individuellen oder der gemeinsamen unteren Hauptelektrode (12, 92) gesteuert werden. Die Chipbaugruppen (2) sind durch eine dielektrische Einbettmasse (4) zu einem festen Verbund (6) stoffschlüssig miteinander verbunden sind. Eine Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70), die in den festen Verbund (6) eingebettet ist, verbindet die die Steuerelektroden (13) der Chipbaugruppen (2) elektrisch leitend miteinander.

公开(公告)号：DE102008045614A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：DE102008045614

申请日：2008-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/52 ,  H01L21/603

Abstract: The arrangement has a wire component (4) elastically prestressed for contacting a semiconductor component (2) and resting at a front side of an upper surface layer (3) of the semiconductor component. The upper surface layer is made of material with a surface harder than a front side of the wire component, where the wire component works as an elastic spring. The upper surface layer is made of titanium, tungsten, chromium, nickel-phosphor, titanium-tungsten and copper-tungsten. The wire component in a contact region is covered with flexible material with respect to the upper surface layer. Independent claims are also included for the following: (1) a semiconductor module comprising a substrate and a cover (2) a method for manufacturing a semiconductor component.

公开(公告)号：DE102009002993B4

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：DE102009002993

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04 ,  H02M1/00 ,  H05K7/20

Abstract: Leistungshalbleitermodul mit – einer Modulunterseite (102); – einem Gehäuse (104); – wenigstens zwei voneinander beabstandeten Schaltungsträgern (T1, T2, T3), von denen jeder eine dem Inneren des Gehäuses (104) zugewandte Oberseite (51) aufweist, sowie eine dem Inneren des Gehäuses (104) abgewandte Unterseite (52); – einer Anzahl elektrischer Anschlüsse (110), die im Inneren des Gehäuses (104) elektrisch leitend mit zumindest einem der Schaltungsträger (T1, T2, T3) verbunden sind, und die an der Oberseite (101) des Gehäuses (104) aus diesem heraus ragen; wobei – die elektrischen Anschlüsse (110) als Federkontakte zur Druckkontaktierung oder als Einpresskontakte ausgebildet sind; – die Unterseite (52) eines jeden der Schaltungsträger (T1, T2, T3) zumindest einen Abschnitt aufweist, der zugleich einen Abschnitt der Modulunterseite (102) bildet; und – zumindest eine zwischen zwei benachbarten Schaltungsträgern (T1, T2; T2, T3) angeordnete Montageeinrichtung (53), die eine Befestigung des Leistungshalbleitermoduls (100) an einem Kühlkörper...