公开(公告)号：DE102005041322B4

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：DE102005041322

申请日：2005-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ DR ,  PFIRSCH FRANK DR ,  ROPOHL JAN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Trenchtransistorstruktur mit – in einen Halbleiterkörper (2) von einer Oberfläche (3) aus reichenden und voneinander durch ein Mesagebiet (5) beabstandeten Trenches (4) eines Transistorfeldes (1); – einer im Mesagebiet (5) zur Aufnahme einer Sperrspannung ausgebildeten Driftzone (8) von einem ersten Leitfähigkeitstyp; – einem oberhalb der Driftzone (8) ausgebildeten Bodygebiet (6) von einem zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp mit an die Trenches (4) angrenzenden Sourcegebieten (7) vom ersten Leitfähigkeitstyp; – einem unterhalb der Driftzone (8) ausgebildeten Draingebiet (9) vom ersten Leitfähigkeitstyp; – einer in den Trenches (4) ausgebildeten und vom Mesagebiet (5) durch eine Gateisolationsstruktur (11) beabstandeten Gateelektrode (10) zur Steuerung der Leitfähigkeit von zwischen den Sourcegebieten (7) und der Driftzone (8) und an die Trenches (4) angrenzenden Kanalgebieten (12); – einer in den Trenches (4) angeordneten Feldelektrodenanordnung (13) mit wenigstens einer durch eine Isolationsstruktur (15) vom Mesagebiet (5) und der Gateelektrode (10) beabstandeten und elektrisch leitfähigen Feldelektrode (14a, 14b, 14c), – die Feldelektrodenanordnung (13) mit einer Halbleiterzonenanordnung (17), die aus wenigstens einer an die Oberfläche (3) reichenden Halbleiterzone (18a, 18b, 18c) vom zweiten Leitfähigkeitstyp gebildet ist und außerhalb des Transistorfeldes (1) in einem an die Driftzone (8) angrenzenden Halbleiterbereich (16) vom ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet ist, elektrisch verbunden ist, und zwischen einer Halbleiterzone (18a, 18b, 18c) der Halbleiterzonenanordnung (17) und entweder einer in Richtung zum Transistorfeld (1) benachbarten Halbleiterzone (18a, 18b, 18c) der Halbleiterzonenanordnung (17) oder dem Bodygebiet (6) des Transistorfeldes (1) eine an die Oberfläche (3) des Halbleiterkörpers (2) reichende Hilfszone (19) vom zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet ist; – eine Dotierstoffkonzentration der Hilfszone (19) kleiner ist verglichen mit der Dotierstoffkonzentration der Halbleiterzonen (18a, 18b, 18c).

公开(公告)号：DE10042226B4

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：DE10042226

申请日：2000-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFIRSCH FRANK DR

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Source-Down-Leistungs-MOSFET mit einem Draingebiet (3, 4) des einen Leitungstyps, einem Sourcegebiet (12, 13) des einen Leitungstyps und einem Bodygebiet (2; 18, 19) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, bei dem – das Draingebiet (3, 4), das Sourcegebiet (12, 13) und das Bodygebiet (2; 18, 19) in einem auf einem Halbleitersubstrat (1) vorgesehenen Halbleiterkörper angeordnet sind, – das Bodygebiet (2; 18, 19) mit dem Sourcegebiet (12, 13) durch eine nicht gleichrichtende Verbindung (14, 15; 17) kurzgeschlossen ist und – ein Drainanschluß (5) für das Draingebiet (3, 4) und ein Gateanschluß (9, 10) für eine benachbart zu dem Bodygebiet (2; 18, 19) liegende, von diesem durch eine Isolierschicht (8) getrennte und in einem Trench (6, 7) des Halbleiterkörpers ausgebildete Gateelektrode (G) auf einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers und ein Sourceanschluß (16) auf einer zur ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche des Halbleiterkörpers angeordnet sind, wobei der Trench (6, 7) sich von der ersten Oberfläche bis in das Bodygebiet (2; 18, 19) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß – das Bodygebiet (2; 18, 19) und das Halbleitersubstrat (1) ein elektrisch zusammenhängendes Gebiet des anderen Leitungstyps bilden, – das Sourcegebiet (12, 13) in das zusammenhängende Gebiet eingebettet ist, und – die nicht gleichrichtende Verbindung (14, 15; 17) wenigstens teilweise an die Isolierschicht (8) im Trench (6, 7) angrenzt.