公开(公告)号：DE102013107784A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE102013107784

申请日：2013-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  MUTH RALPH ,  PLAGMANN JOERG ,  SCHOENHERR HELMUT

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/283 ,  H01L21/311 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Gemäß verschiedenen Aspekten der Offenbarung enthält ein Halbleiterbauelement (401) mindestens einen ungehäusten Halbleiterchip; eine an den ungehäusten Halbleiterchip angrenzende dielektrische Schicht (415); in der dielektrischen Schicht (415) gebildete geometrische Strukturen; und eine über der dielektrischen Schicht (415) aufgetragene leitfähige Schicht (410), wobei die leitfähige Schicht (410) mindestens teilweise über den geometrischen Strukturen positioniert ist.