公开(公告)号：DE102016111909A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE102016111909

申请日：2016-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FRISCHMUTH TOBIAS ,  SCHMID ULRICH ,  SCHNEIDER MICHAEL ,  GRILLE THOMAS ,  MAURER DANIEL ,  HEDENIG URSULA ,  KAHN MARKUS ,  DENIFL GÜNTER

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L7/00 ,  G01Q70/02 ,  H04R1/00

Abstract: Eine mikromechanische Struktur in Übereinstimmung mit verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes enthalten: ein Substrat; und eine funktionale Struktur, die an dem Substrat angeordnet ist; wobei die funktionale Struktur einen funktionalen Bereich enthält, der in Bezug auf das Substrat in Reaktion auf eine Kraft, die auf den funktionalen Bereich wirkt, ablenkbar ist; und wobei wenigstens ein Abschnitt des funktionalen Bereichs einen Elastizitätsmodul im Bereich von etwa 5 GPa bis etwa 70 GPa aufweist.

公开(公告)号：DE102016208356B4

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：DE102016208356

申请日：2016-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH ,  SCHNEIDER MICHAEL

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

Abstract: Mikromechanische Struktur, umfassend: ein Substrat (12); und eine funktionale Struktur (14), die auf dem Substrat (12) angeordnet ist; wobei die funktionale Struktur (14) einen Funktionsbereich (16) umfasst, der mit Bezug auf das Substrat (12) als Reaktion auf eine Kraft (18), die auf den Funktionsbereich (16) wirkt, verformbar ist; wobei die funktionale Struktur (14) eine Kohlenstoffschichtanordnung (22) umfasst, wobei ein Basismaterial der Kohlenstoffschichtanordnung (22) ein Kohlenstoffmaterial ist, das Kohlenstoff ist; und wobei eine durchschnittliche Menge des Kohlenstoffmaterials basierend auf einem variierenden Grad einer Dotierung mit einem Dotierungsmaterial innerhalb des Kohlenstoffschichtmaterials entlang einer Dickenrichtung (24) der funktionalen Struktur (14) variiert.

公开(公告)号：DE102013209479B4

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：DE102013209479

申请日：2013-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  ZGAGA MARTIN ,  MAURER DANIEL

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/306

Abstract: Ein Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers mit MEMS-Schallwandlern, wobei der Wafer eine erste Hauptoberfläche und eine zweite Hauptoberfläche aufweist, wobei die MEMS-Schallwandler an der ersten Hauptoberfläche angeordnet sind, und wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Reduzieren (202) der Dicke des Wafers durch einen mechanischen Prozess an der zweiten Hauptoberfläche des Wafers;Aufbringen (102; 204) eines Maskierungsmaterials an der zweiten Hauptoberfläche nach dem Reduzieren der Dicke des Wafers;Strukturieren (104; 206) des Maskierungsmaterials, um mehrere maskierte Bereiche und mehrere unmaskierte Bereiche an der zweiten Hauptoberfläche zu erhalten;anisotropes Ätzen (106; 208) des Wafers von der zweiten Hauptoberfläche an den unmaskierten Bereichen, um mehrere Aussparungen zu bilden;Entfernen (108; 210) des Maskierungsmaterials mindestens an einigen der maskierten Bereiche, um freigelegte Bereiche zu erhalten; undanisotropes Ätzen (110; 212) des Wafers von der zweiten Hauptoberfläche an den unmaskierten Bereichen und den freigelegten Bereichen, um die Tiefe der Aussparungen bis zu den MEMS-Schallwandlern an der ersten Hauptoberfläche zu erhöhen und die Dicke des Wafers an den freigelegten Bereichen zu reduzieren, wobei die Aussparungen ein rückseitiges Volumen der MEMS-Schallwandler bilden.

公开(公告)号：DE102015108402A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102015108402

申请日：2015-05-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  GRILLE THOMAS ,  POPP THOMAS ,  CLARA STEFAN ,  OSTERMANN THOMAS ,  LAVCHIEV VENTSISLAV ,  JACOBY BERNHARD

IPC: H01L33/06 ,  G01F1/66 ,  H01L31/101 ,  H01L31/16

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Quantenstrukturen, die überwiegend Germanium umfassen. Die Mehrzahl von Quantenstrukturen ist auf einer ersten Halbleiterschichtstruktur gebildet. Die Quantenstrukturen aus der Mehrzahl von Quantenstrukturen weisen eine laterale Abmessung von weniger als 15 nm und eine Flächendichte von zumindest 8 × 1011 Quantenstrukturen pro cm2 auf. Die Mehrzahl von Quantenstrukturen ist ausgebildet, um Licht mit einem Lichtemissionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 μm und 10 μm zu emittieren oder Licht mit einem Lichtabsorptionsmaximum bei einer Wellenlänge zwischen 2 μm und 10 μm zu absorbieren.

公开(公告)号：DE102015109437A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102015109437

申请日：2015-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAVCHIEV VENTSISLAV M ,  JAKOBY BERNHARD ,  HEDENIG URSULA ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  NEIDHART THOMAS ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: G01N21/41 ,  G02B6/26

Abstract: Ein Sensorsystem mit einer Multi-Pass-Wechselwirkungsregion ist offenbart. Das System umfasst eine Eingangsregion (202, 302, 402), eine Multi-Pass-Region (204, 304, 404) und eine Ausgangsregion (206, 306). Die Eingangsregion (202, 302, 402) ist konfiguriert, abgegebenes Licht zu empfangen. Die Multi-Pass-Region (204, 304, 404) ist mit der Eingangsregion (202, 302, 402) gekoppelt und konfiguriert, Teile des abgegebenen Lichts gemäß einer unmittelbar neben der Multi-Pass-Region (204, 304, 404) angeordneten Probe zu absorbieren. Die Ausgangsregion (206, 306) ist mit der Multi-Pass-Region (204, 304, 404) gekoppelt und konfiguriert, wechselgewirktes Licht aus der Multi-Pass-Region (204, 304, 404) bereitzustellen.

公开(公告)号：DE102013107784A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE102013107784

申请日：2013-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  MUTH RALPH ,  PLAGMANN JOERG ,  SCHOENHERR HELMUT

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/283 ,  H01L21/311 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Gemäß verschiedenen Aspekten der Offenbarung enthält ein Halbleiterbauelement (401) mindestens einen ungehäusten Halbleiterchip; eine an den ungehäusten Halbleiterchip angrenzende dielektrische Schicht (415); in der dielektrischen Schicht (415) gebildete geometrische Strukturen; und eine über der dielektrischen Schicht (415) aufgetragene leitfähige Schicht (410), wobei die leitfähige Schicht (410) mindestens teilweise über den geometrischen Strukturen positioniert ist.

公开(公告)号：DE102013209479A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102013209479

申请日：2013-05-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  ZGAGA MARTIN ,  MAURER DANIEL

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/306

Abstract: Ein Verfahren zur Verarbeitung eines Wafers mit mikroelektromechanischen Systemstrukturen an der ersten Hauptoberfläche beinhaltet das Aufbringen eines Maskierungsmaterials an der zweiten Hauptoberfläche und das Strukturieren des Maskierungsmaterials, um mehrere maskierte Bereiche und mehrere unmaskierte Bereiche an der zweiten Hauptoberfläche zu erhalten. Das Verfahren beinhaltet ferner das anisotrope Ätzen des Wafers von der zweiten Hauptoberfläche an den unmaskierten Bereichen, um mehrere Aussparungen zu bilden. Danach wird das Maskierungsmaterial mindestens an einigen der maskierten Bereiche entfernt, um zuvor maskierte Bereiche zu erhalten. Das Verfahren beinhaltet ferner das anisotrope Ätzen des Wafers von der zweiten Hauptoberfläche an den unmaskierten Bereichen und den zuvor maskierten Bereichen, um eine Tiefe der Aussparungen zu erhöhen und eine Dicke des Wafers an den zuvor maskierten Bereichen zu reduzieren.

公开(公告)号：DE102015101894B4

公开(公告)日：2021-02-18

申请号：DE102015101894

申请日：2015-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BROCKMEIER ANDRE ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  MAURER DANIEL ,  PIRK SOENKE

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R1/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen mehrerer Mikrofonstrukturen, wobei das Verfahren Folgendes aufweist:Bereitstellen (S2) eines Substrats (12), das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Rückseite von der Vorderseite abgewandt ist, und einen inneren Bereich (18) und einen äußeren Bereich (20) aufweist, der den inneren Bereich (18) seitlich umgibt, wobei der innere Bereich (18) mehrere Mikrofonbereiche (16) aufweist, wobei jeder Mikrofonbereich (16) für eine Mikrofonstruktur von den mehreren Mikrofonstrukturen bereitgestellt wird,Bilden (S4) mehrerer Schichten für die mehreren Mikrofonstrukturen in den Mikrofonbereichen (16) auf der Vorderseite des Substrats (12),Bilden (S8) einer Aussparung von der Rückseite des Substrats (12), wobei die Aussparung den gesamten inneren Bereich (18) seitlich überlappt,Bilden einer Maske (36) auf einem Boden der Aussparung,Bilden (S10) mehrerer Hohlräume (14) mittels eines nasschemischen Ätzverfahrens in dem Boden der Aussparung mittels der Maske (36), wobei jeder Hohlraum (14) von den mehreren Hohlräumen (14) in einem der Mikrofonbereiche (16) gebildet wird (S10) und jeder Hohlraum (14) der mehreren Hohlräume (14) durch das gesamte Substrat (12) hindurch mittels der Maske (36) gebildet wird, so dass eine Ätzstoppschicht (17) freigelegt wird, welche den jeweiligen Hohlraum (14) bedeckt;Bearbeiten der mehreren Schichten zum Bilden der mehreren Mikrofonstrukturen, wobei jede Mikrofonstruktur mindestens eine Schicht von den mehreren Schichten und einen Hohlraum der mehreren Hohlräume (14) aufweist, undTrennen (S12) der mehreren Mikrofonstrukturen voneinander.

公开(公告)号：DE102017109575B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102017109575

申请日：2017-05-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DORFMEISTER MANUEL ,  DEHE ALFONS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  KALTENBACHER MANFRED ,  SCHMID ULRICH ,  SCHNEIDER MICHAEL

IPC: H04R7/24 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  H04R3/00 ,  H04R17/00 ,  H04R31/00

Abstract: Mikroelektromechanische Vorrichtung (300A), die Folgendes umfasst:ein Substrat (102);eine Membran (110), die mechanisch mit dem Substrat (102) gekoppelt ist, wobei die Membran (110) einen nicht direkt belasteten Bereich (114) und einen belasteten Bereich (112) umfasst, um die Membran (110) in eine von zwei geometrisch stabilen Positionen auszubauchen, wobei der belastete Bereich (112) durch eine vorbelastete Schicht, die mit einer Oberfläche der Membran (110) mechanisch gekoppelt ist,und/oder durch Dotieren der Membran (110) mit einem strukturellen Dotiermaterial erzeugt wird und wobei in dem unbelasteten Bereich (114) die vorbelastete Schicht bzw. das strukturelle Dotiermaterial fehlt, wobei die vorbelastete Schicht eine vorgespannte Schicht oder eine Schicht mit definierter Schichtspannung ist;einen Aktuator (120), der mechanisch mit der Membran (110) gekoppelt ist, wobei der Aktuator (120) eine piezoelektrische Schicht (124) über der Membran (110) umfasst; undeine Steuervorrichtung (150), die ausgebildet ist, um ein elektrisches Steuersignal als Antwort auf ein digitales Schalleingangssignal bereitzustellen;wobei der Aktuator (120) ausgebildet ist, um das elektrische Steuersignal zu empfangen, um über die piezoelektrische Schicht (124) eine mechanische piezoelektrische Kraft auf die Membran (110) auszuüben, um die Membran (110) zu bewegen, um eine Schallwelle zu erzeugen.

公开(公告)号：DE102015213756B4

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：DE102015213756

申请日：2015-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/02

Abstract: Mikromechanische Struktur (10, 20, 30), umfassend:ein Substrat (12); undeine funktionelle Struktur (14), die auf dem Substrat (12) angeordnet ist;wobei die funktionelle Struktur (14) ein funktionelles Gebiet (16) umfasst, das ausgelegt ist, in Bezug auf das Substrat (12) ansprechend auf eine Kraft (18), die auf das funktionelle Gebiet (16) einwirkt, ausgelenkt zu werden;wobei die funktionelle Struktur (14) eine leitfähige Basisschicht (22; 22a-b) umfasst;wobei die funktionelle Struktur (14) eine Versteifungsstruktur (24; 24a-e) mit einem Versteifungsstrukturmaterial umfasst, die auf der leitfähigen Basisschicht (22; 22a-b) angeordnet ist und die leitfähige Basisschicht (22; 22a-b) in dem funktionellen Gebiet (16) nur teilweise bedeckt; undwobei das Versteifungsstrukturmaterial ein Silicium-Material und wenigstens ein Kohlenstoff-Material umfasstwobei das Versteifungsstrukturmaterial eine Mehrzahl von Konzentrationswerten in Bezug auf die Kohlenstoff-Konzentration entlang einer Dickenrichtung (26) der Versteifungsstruktur umfasst; undwobei die Materialkonzentration entlang der Dickenrichtung (26) variiert.