公开(公告)号：DE102014109489B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102014109489

申请日：2014-07-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÖHLERT STEFAN ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  RÖHL SIEGFRIED

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/373 ,  H01L23/482 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: Leistungs-Halbleitervorrichtung (190, 195) umfassend:einen Halbleiterkörper (100), wobei aktive Bereiche der Leistungs-Halbleitervorrichtung in dem Halbleiterkörper gebildet sind, undein elektrisch leitendes Element (200), das elektrisch mit mindestens einem aktiven Bereich im Halbleiterkörper (100) verbunden ist, wobei das elektrisch leitende Element (200) folgendes umfasst:ein elektrisch leitendes Material (210) undeine Vielzahl von Einschlüssen (220) eines Phasenänderungsmaterials, das eine Phasenübergangstemperatur Tc zwischen 150°C und 400°C hat,wobei die Einschlüsse (220) voneinander getrennt und in das elektrisch leitende Material (210) eingebettet sind.

公开(公告)号：DE102014109489A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：DE102014109489

申请日：2014-07-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÖHLERT STEFAN ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  RÖHL SIEGFRIED

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/532 ,  H01L23/482 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: Ein elektrisch leitendes Element (200) umfasst ein elektrisch leitendes Material (210) und eine Vielzahl von Einschlüssen (220) eines Phasenänderungsmaterials. Das Phasenänderungsmaterial hat eine Phasenübergangstemperatur (Tc) zwischen 150°C und 400°C. Die Einschlüsse (220) sind voneinander getrennt und in das elektrisch leitende Material (210) eingebettet.