公开(公告)号：DE102014109489B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102014109489

申请日：2014-07-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÖHLERT STEFAN ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  RÖHL SIEGFRIED

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/373 ,  H01L23/482 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: Leistungs-Halbleitervorrichtung (190, 195) umfassend:einen Halbleiterkörper (100), wobei aktive Bereiche der Leistungs-Halbleitervorrichtung in dem Halbleiterkörper gebildet sind, undein elektrisch leitendes Element (200), das elektrisch mit mindestens einem aktiven Bereich im Halbleiterkörper (100) verbunden ist, wobei das elektrisch leitende Element (200) folgendes umfasst:ein elektrisch leitendes Material (210) undeine Vielzahl von Einschlüssen (220) eines Phasenänderungsmaterials, das eine Phasenübergangstemperatur Tc zwischen 150°C und 400°C hat,wobei die Einschlüsse (220) voneinander getrennt und in das elektrisch leitende Material (210) eingebettet sind.

公开(公告)号：DE102012111831B4

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102012111831

申请日：2012-12-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DETZEL THOMAS ,  GROSS JOHANN ,  ILLING ROBERT ,  KRUG MAXIMILIAN ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ROBL WERNER ,  ROGALLI MICHAEL ,  WÖHLERT STEFAN

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend:ein Basiselement (6) mit einer Vielzahl von Komponenten elektronischer Schaltungen in einem Oberflächenbereich eines Halbleitersubstrats (1) undein Kupferelement (2) aufweisend Kupferkörner (2a) über dem Basiselement (6),wobei das Kupferelement (2) eine Dicke von wenigstens 5 pm hat und das Verhältnis der mittleren Korngröße der Kupferkörner (2a) des Kupferelements (2) zur Dicke des Kupferelements (2) kleiner als 0,7 ist, undwobei der Modalwert der Korngrößenverteilung der Kupferkörner (2a) des Kupferelements (2) größer als 2 pm und kleiner als 5 pm ist.

公开(公告)号：DE102010039325B4

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102010039325

申请日：2010-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KADOW CHRISTOPH ,  LEICHT MARKUS ,  WÖHLERT STEFAN

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleiteranordnung, die aufweist:einen Halbleiterkörper (100);eine Anzahl von Transistorzellen (30), die in dem Halbleiterkörper (100) integriert sind, wobei jede Transistorzelle ein erstes aktives Transistorgebiet (31) und eine Gateelektrode (33) aufweist und wobei die Transistorzellen (30) ein gemeinsames zweites aktives Transistorgebiet (36), das in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (100) zu den ersten aktiven Transistorgebieten (31) beabstandet ist, und eine durchgehende gemeinsame Driftzone (35) die zwischen den ersten aktiven Transistorgebieten (31) und dem gemeinsamen zweiten aktiven Transistorgebiet (36) angeordnet ist, aufweisen;eine Anzahl von ersten Kontaktelektroden (41), wobei jede erste Kontaktelektrode das erste aktive Transistorgebiet (31) wenigstens einer Transistorzelle über wenigstens einen Kontaktstöpsel (42) kontaktiert, der in einem ersten Durchgangsloch einer ersten Isolationsschicht (51) angeordnet ist;eine zweite Kontaktelektrode (43), die eine erste Gruppe der ersten Kontaktelektroden (41), aber nicht eine zweite Gruppe der ersten Kontaktelektroden (41) kontaktiert, wobei die erste Gruppe von ersten Kontaktelektroden (41) wenigstens zwei erste Kontaktelektroden aufweist, und wobei die zweite Kontaktelektrode (43) die erste Gruppe der ersten Kontaktelektroden (41) über zweite Durchgangslöcher in einer zweiten Isolationsschicht (52) kontaktiert, wobei die ersten Durchgangslöcher durch die ersten Kontaktelektroden (41) von den zweiten Durchgangslöchern getrennt sind;wobei die Transistorzellen (30), die durch die ersten Kontaktelektroden (41) der ersten Gruppe kontaktiert sind, einen Lasttransistor bilden, wobei die zweite Kontaktelektrode (43) einen Lastanschluss des Lasttransistors (10) bildet; undwobei die Transistorzellen (30), die durch die ersten Kontaktelektroden (41) der zweiten Gruppe kontaktiert sind, einen Messtransistor (20) bilden.

公开(公告)号：DE102013103378B4

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102013103378

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATOY KURT ,  DETZEL THOMAS ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ZECHMANN ARNO ,  DECKER STEFAN ,  ILLING ROBERT ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  DJELASSI CHRISTIAN ,  AUER BERNHARD ,  WÖHLERT STEFAN

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/522

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend: Leistungstransistorzellen, die in einem Zellarray gebildet sind, eine Metallstruktur, die über dem Zellarray gebildet ist, und eine Verbindungsleitung (800, 812, 813, 830), die elektrisch ein erstes Element (901), das in dem Zellarray angeordnet ist, und ein zweites Element (902), das außerhalb des Zellarrays angeordnet ist, verbindet, wobei ein Verbindungsleitungsteil zwischen der Metallstruktur und dem Zellarray angeordnet ist und dieser Verbindungsleitungsteil zwischen einer ersten Achse (891) und einer zweiten Achse (892) verläuft, welche parallel und in einem Abstand zueinander angeordnet sind, und wobei der Abstand größer ist als eine Breite des Verbindungsleitungsteiles und der Verbindungsleitungsteil tangential zu der ersten Achse und der zweiten Achse ist.

公开(公告)号：DE102014109489A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：DE102014109489

申请日：2014-07-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÖHLERT STEFAN ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  RÖHL SIEGFRIED

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/532 ,  H01L23/482 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: Ein elektrisch leitendes Element (200) umfasst ein elektrisch leitendes Material (210) und eine Vielzahl von Einschlüssen (220) eines Phasenänderungsmaterials. Das Phasenänderungsmaterial hat eine Phasenübergangstemperatur (Tc) zwischen 150°C und 400°C. Die Einschlüsse (220) sind voneinander getrennt und in das elektrisch leitende Material (210) eingebettet.