公开(公告)号：DE102016125489A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102016125489

申请日：2016-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PISSORS VOLKER ,  KERN THOMAS ,  RÖHR THOMAS

IPC: G11C7/06

Abstract: Bei verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben einer Speichervorrichtung bereitgestellt. Die Speichervorrichtung kann mehrere Speicherzellen aufweisen, und das Verfahren kann beinhalten: Bestimmen eines Zustands der Speichervorrichtung; Bestimmen, ob ein Lesen einer Speicherzelle der mehreren Speicherzellen mit der Speichervorrichtung in dem bestimmten Zustand eine Offset-Lesespannung oder einen Offset-Lesestrom zur Folge haben wird, die bzw. der einen Versatz zu einer Zielspannung oder einem Zielstrom aufweist; falls ja, Umschalten zu einem anderen Zustand der Speichervorrichtung, wobei die Speichervorrichtung in dem anderen Zustand dafür ausgelegt ist, eine Kompensationsspannung oder einen Kompensationsstrom zum Kompensieren des Versatzes bereitzustellen; und, nach dem Umschalten, Lesen der Speicherzelle unter Verwendung der Speichervorrichtung in dem anderen Zustand.

公开(公告)号：DE102016125489B4

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE102016125489

申请日：2016-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PISSORS VOLKER ,  KERN THOMAS ,  RÖHR THOMAS

IPC: G11C7/06

Abstract: Verfahren zum Betreiben einer Speichervorrichtung, wobei die Speichervorrichtung mehrere Speicherzellen umfasst, wobei das Verfahren umfasst:Bestimmen eines Zustands der Speichervorrichtung (810);Bestimmen, ob ein Lesen einer Speicherzelle der mehreren Speicherzellen mit der Speichervorrichtung in dem bestimmten Zustand eine Offset-Lesespannung oder einen Offset-Lesestrom zur Folge haben wird, die bzw. der einen Versatz zu einer Zielspannung bzw. einem Zielstrom aufweist (820);falls ja, Umschalten zu einem anderen Zustand der Speichervorrichtung, wobei die Speichervorrichtung in dem anderen Zustand dafür ausgelegt ist, eine Kompensationsspannung bzw. einen Kompensationsstrom zum Kompensieren des Versatzes bereitzustellen (830); und,nach dem Umschalten, Lesen der Speicherzelle unter Verwendung der Speichervorrichtung in dem anderen Zustand (840).

公开(公告)号：DE102018105525A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102018105525

申请日：2018-03-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RÖHR THOMAS

IPC: G11C11/00

Abstract: Ein Verfahren zum Auslesen einer resistiven Speicherzelle umfasst Lesen eines ersten gelesenen Zustands einer resistiven Speicherzelle zu einem ersten Zeitpunkt; Anlegen einer einstellbaren elektrischen Größe, die zum Programmieren des Widerstandsspeicherelements geeignet ist, an das Widerstandsspeicherelement; Lesen eines zweiten gelesenen Zustands der resistiven Speicherzelle zu einem zweiten Zeitpunkt; Ausgeben eines Signals, das repräsentiert, ob der zweite gelesene Zustand gleich dem ersten gelesenen Zustand ist oder nicht. Eine Vorrichtung zum Auslesen einer resistiven Speicherzelle, umfasst eine Signalausgabeeinrichtung, die dazu eingerichtet ist, ein erstes Signal auszugeben, das einen ersten vorbestimmten Zustand repräsentiert, oder ein zweites Signal auszugeben, das einen zweiten vorbestimmten Zustand repräsentiert.