公开(公告)号：DE102020105500A1

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：DE102020105500

申请日：2020-03-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROEHR THOMAS ,  PISSORS VOLKER

IPC: G11C16/10

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Schreibschaltkreis zum Schreiben in eine Mehrzahl von Speicherzellen eines nichtflüchtigen Datenspeichers bereitgestellt. Der Schreibschaltkreis kann einen Pufferspeicher, der eingerichtet ist, einen Datenwert zwischenzuspeichern vor einem Speichern in der Mehrzahl nichtflüchtiger Speicherzellen des nichtflüchtigen Datenspeichers, eine erste Schreibleitung, mittels welcher der Pufferspeicher mit einer ersten Speicherzelle der Mehrzahl von Speicherzellen verbindbar ist, eine zweite Schreibleitung, welche von der ersten Schreibleitung verschieden ist und mittels welcher der Pufferspeicher mit einer zweiten Speicherzelle der Mehrzahl von Speicherzellen verbindbar ist, wobei der Pufferspeicher mittels der ersten Schreibleitung mit der ersten Speicherzelle und gleichzeitig mittels der zweiten Schreibleitung mit der zweiten Speicherzelle verbunden oder verbindbar ist zum gleichzeitigen Schreiben des im Pufferspeicher gespeicherten Datenwerts in die erste Speicherzelle und eines vom Datenwert definiert abhängigen zweiten Datenwerts in die zweite Speicherzelle.

公开(公告)号：DE102016125489B4

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE102016125489

申请日：2016-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PISSORS VOLKER ,  KERN THOMAS ,  RÖHR THOMAS

IPC: G11C7/06

Abstract: Verfahren zum Betreiben einer Speichervorrichtung, wobei die Speichervorrichtung mehrere Speicherzellen umfasst, wobei das Verfahren umfasst:Bestimmen eines Zustands der Speichervorrichtung (810);Bestimmen, ob ein Lesen einer Speicherzelle der mehreren Speicherzellen mit der Speichervorrichtung in dem bestimmten Zustand eine Offset-Lesespannung oder einen Offset-Lesestrom zur Folge haben wird, die bzw. der einen Versatz zu einer Zielspannung bzw. einem Zielstrom aufweist (820);falls ja, Umschalten zu einem anderen Zustand der Speichervorrichtung, wobei die Speichervorrichtung in dem anderen Zustand dafür ausgelegt ist, eine Kompensationsspannung bzw. einen Kompensationsstrom zum Kompensieren des Versatzes bereitzustellen (830); und,nach dem Umschalten, Lesen der Speicherzelle unter Verwendung der Speichervorrichtung in dem anderen Zustand (840).

公开(公告)号：DE102017116737A1

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：DE102017116737

申请日：2017-07-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRENZ ROBERT ,  ALLINGER ROBERT ,  BAUER MATTHIAS ,  BUKETHAL CHRISTOPH ,  HOFMANN KARL ,  PISSORS VOLKER

IPC: G11C13/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Programmieren einer resistiven Speicherzelle bereitgestellt. Die Speicherzelle kann wenigstens einen ersten und einen zweiten Zustand aufweisen, wobei der erste und der zweite Zustand komplementäre Zustände sein können. Beim Verfahren kann als ein Analogwert oder ein Wert aus mehreren Digitalwerten wenigstens ein physikalischer Parameterwert der resistiven Speicherzelle im ersten Zustand bestimmt werden, auf der Grundlage des bestimmten wenigstens einen physikalischen Parameterwerts der resistiven Speicherzelle im ersten Zustand eine Programmierenergie bestimmt werden, die zum Programmieren der resistiven Speicherzelle aus dem ersten Zustand in den zweiten Zustand bereitzustellen ist, und ein Programmierpuls angewendet werden, wodurch die bestimmte Programmierenergie zugeführt wird, wodurch die resistive Speicherzelle in den zweiten Zustand programmiert wird.

公开(公告)号：DE102016125489A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102016125489

申请日：2016-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PISSORS VOLKER ,  KERN THOMAS ,  RÖHR THOMAS

IPC: G11C7/06

Abstract: Bei verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Betreiben einer Speichervorrichtung bereitgestellt. Die Speichervorrichtung kann mehrere Speicherzellen aufweisen, und das Verfahren kann beinhalten: Bestimmen eines Zustands der Speichervorrichtung; Bestimmen, ob ein Lesen einer Speicherzelle der mehreren Speicherzellen mit der Speichervorrichtung in dem bestimmten Zustand eine Offset-Lesespannung oder einen Offset-Lesestrom zur Folge haben wird, die bzw. der einen Versatz zu einer Zielspannung oder einem Zielstrom aufweist; falls ja, Umschalten zu einem anderen Zustand der Speichervorrichtung, wobei die Speichervorrichtung in dem anderen Zustand dafür ausgelegt ist, eine Kompensationsspannung oder einen Kompensationsstrom zum Kompensieren des Versatzes bereitzustellen; und, nach dem Umschalten, Lesen der Speicherzelle unter Verwendung der Speichervorrichtung in dem anderen Zustand.

公开(公告)号：DE102006010506B3

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：DE102006010506

申请日：2006-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  INFINEON TECHNOLOGIES FLASH GM ,  SAIFUN SEMICONDUCTORS LTD

Inventor： COHEN ZEEV ,  MAAYAN EDUARDO ,  PISSORS VOLKER

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: The arrangement has a memory cell array including a set of nitrided read only memory (NROM) memory cells (102) that are arranged in rows and columns. A memory reading/verification control circuit controls a reading operation and/or verification operation on the memory cells of the array. The control circuit is arranged to read and/or verify a condition of each memory cells of the array according to reading and/or verification directive information on a memory cell level. A determination unit determines the memory cells for implementing reading and/or verification operations. An independent claim is also included for a method for reading and/or verifying a condition of memory cells of a memory cell array.