公开(公告)号：DE102005063559B4

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102005063559

申请日：2005-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  RÜTHING HOLGER

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36

Abstract: Leistungs-IGBT, der folgende Merkmale aufweist: einen Halbleiterkörper (100) mit einer Emitterzone (11) eines ersten Leitungstyps und einer sich an die Emitterzone (11) anschließenden Driftzone (12) eines zweiten Leitungstyps, ein Zellenfeld mit einer Anzahl Transistorzellen (13), die jeweils eine Sourcezone (15), eine zwischen der Sourcezone (15) und der Driftzone angeordnete Bodyzone (14) und eine isoliert gegenüber der Sourcezone (15) und der Bodyzone (14) angeordnete Gateelektrode (16) aufweisen und bei denen die Sourcezone (15) und die Bodyzone (14) kurzgeschlossen sind, wobei das Zellenfeld einen ersten Zellenfeldabschnitt (101) mit einer ersten Zellendichte und einen zweiten Zellenfeldabschnitt (102) in dem keine Transistorzellen angeordnet sind und der unterhalb einer Gate-Anschlussfläche (24) oder einer Gate-Zuführung (22) angeordnet ist, aufweist, eine in dem zweiten Zellenfeldabschnitt (102) im Bereich einer der Emitterzone (11) abgewandten Seite der Driftzone (12) angeordnete und komplementär zu der Driftzone (12) dotierte Halbleiterzone (143), die an die Bodyzone (14) angeschlossen ist, wobei die Emitterzone nur einen ersten Emitterabschnitt (111) im Bereich des ersten Zellenfeldabschnitts (101) aufweist und im Bereich des zweiten Zellenfeldabschnittes (102) weggelassen ist.

公开(公告)号：DE102009061841B3

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：DE102009061841

申请日：2009-07-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAGINSKI PATRICK ,  BAYERER REINHOLD ,  DOMES DANIEL ,  RÜTHING HOLGER

IPC: H01L23/62 ,  G01K7/21

Abstract: Ein Beispiel der Erfindung betrifft einen Halbleiterchip umfassend einen Halbleiterkörper und ein darin integriertes Leistungshalbleiterbauelement mit einem Steueranschluss (G, Gint), einer mit dem Steueranschluss (G) elektrisch verbundenen internen Steuerelektrode (Gint) und einem Lastanschluss (E). Das Leistungshalbleiterbauelement (T1) weist ein auf einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers angeordnetes Lastelektrodenfeld (EP), ein auf der ersten Oberfläche angeordnetes Steuerelektrodenfeld (GP), das elektrisch vom Lastelektrodenfeld (EP) isoliert ist, eine in den Halbleiterkörper integrierte Widerstandsbahn (WI), die eine elektrische Verbindung zwischen dem Lastelektrodenfeld (EP) und dem Steuerelektrodenfeld (GP) gewährleistet, ein auf der ersten Oberfläche angeordnetes Bauelementelektrodenfeld (SP), welches von dem Lastelektrodenfeld (EP) und dem Steuerelektrodenfeld (GP) elektrisch isoliert ist, und welches mittels einer Bondverbindung mit dem Lastelektrodenfeld (EP) oder mit dem Steuerelektrodenfeld (GP) niederohmig verbunden ist, wobei die Widerstandsbahn (WI) das Bauelementelektrodenfeld (SP) mit dem Lastelektrodenfeld (EP) oder das Bauelementelektrodenfeld (SP) mit dem Steuerelektrodenfeld (GP) verbindet, und einen Randabschluss (RA) auf, der die Elektrodenfelder (SP, EP, GP) umgibt. Die Widerstandsbahn (WI) ist entlang des Randabschlusses (RA) angeordnet.

公开(公告)号：DE102005063580B3

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：DE102005063580

申请日：2005-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PFAFFENLEHNER MANFRED ,  RÜTHING HOLGER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM DR

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Leistungs-IGBT, der folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterkörper (100) mit einer Emitterzone (11) eines ersten Leitungstyps und einer sich an die Emitterzone (11) anschließenden Driftzone (12) eines zweiten Leitungstyps, – ein Zellenfeld mit einer Anzahl Transistorzellen (13), die jeweils eine Sourcezone, (15) eine zwischen der Sourcezone (15) und der Driftzone angeordnete Bodyzone (14) und eine isoliert gegenüber der Sourcezone (15) und der Bodyzone (14) angeordnete Gate-Elektrode (16) aufweisen und bei denen die Sourcezone (15) und die Bodyzone (14) kurzgeschlossen sind, wobei das Zellenfeld einen ersten Zellenfeldabschnitt (101) mit einer ersten Zellendichte und einen zweiten Zellenfeldabschnitt (102) mit einer zweiten Zellendichte, die geringer ist als die erste Zellendichte, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass in einem Übergangsbereich zwischen dem ersten Zellenfeldabschnitt (101) und dem zweiten Zellenfeldabschnitt (102) in einer Richtung von dem zweiten zu dem ersten Zellenfeldabschnitt wenigstens eine Transistorzelle (131) vorhanden ist, bei der die Bodyzone (14) benachbart zu der Sourcezone (15) einen Abschnitt (141) aufweist, der in der Bodyzone (14) angeordnet ist und der eine gegenüber übrigen Abschnitten der Bodyzone (14) erhöhte Dotierungskonzentration aufweist.