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    1.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102009027487A1

    公开(公告)日：2010-01-14

    申请号：DE102009027487

    申请日：2009-07-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAGINSKI PATRICK ,  BAYERER REINHOLD ,  DOMES DANIEL ,  RUETHING HOLGER

    IPC: H01L23/62

    Abstract: One embodiment provides a semiconductor chip including a semiconductor body and a power semiconductor component integrated therein. The power semiconductor component includes a load electrode zone arranged on a first surface of the semiconductor body, a control electrode zone arranged on the first surface, the control electrode zone being electrically insulated from the load electrode zone, and a resistance track arranged on the load electrode zone and the control electrode zone. The resistance track ensures an electrical connection between the load electrode zone and the control electrode zone.

    Halbleiterchip
    2.
    发明专利
    Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102009061841B3

    公开(公告)日：2021-02-04

    申请号：DE102009061841

    申请日：2009-07-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAGINSKI PATRICK ,  BAYERER REINHOLD ,  DOMES DANIEL ,  RÜTHING HOLGER

    IPC: H01L23/62 ,  G01K7/21

    Abstract: Ein Beispiel der Erfindung betrifft einen Halbleiterchip umfassend einen Halbleiterkörper und ein darin integriertes Leistungshalbleiterbauelement mit einem Steueranschluss (G, Gint), einer mit dem Steueranschluss (G) elektrisch verbundenen internen Steuerelektrode (Gint) und einem Lastanschluss (E). Das Leistungshalbleiterbauelement (T1) weist ein auf einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers angeordnetes Lastelektrodenfeld (EP), ein auf der ersten Oberfläche angeordnetes Steuerelektrodenfeld (GP), das elektrisch vom Lastelektrodenfeld (EP) isoliert ist, eine in den Halbleiterkörper integrierte Widerstandsbahn (WI), die eine elektrische Verbindung zwischen dem Lastelektrodenfeld (EP) und dem Steuerelektrodenfeld (GP) gewährleistet, ein auf der ersten Oberfläche angeordnetes Bauelementelektrodenfeld (SP), welches von dem Lastelektrodenfeld (EP) und dem Steuerelektrodenfeld (GP) elektrisch isoliert ist, und welches mittels einer Bondverbindung mit dem Lastelektrodenfeld (EP) oder mit dem Steuerelektrodenfeld (GP) niederohmig verbunden ist, wobei die Widerstandsbahn (WI) das Bauelementelektrodenfeld (SP) mit dem Lastelektrodenfeld (EP) oder das Bauelementelektrodenfeld (SP) mit dem Steuerelektrodenfeld (GP) verbindet, und einen Randabschluss (RA) auf, der die Elektrodenfelder (SP, EP, GP) umgibt. Die Widerstandsbahn (WI) ist entlang des Randabschlusses (RA) angeordnet.

    Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Wärmeübertragung
    4.
    发明专利
    Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Wärmeübertragung 未知

    公开(公告)号：DE102008037090B4

    公开(公告)日：2011-12-15

    申请号：DE102008037090

    申请日：2008-08-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAGINSKI PATRICK ,  NUEBEL HARALD

    IPC: H01L23/36

    Abstract: Leistungsmodulanordnung mit einem Leistungshalbleitermodul, das eine thermisch leitende Kontaktfläche mit bestimmter Rauhtiefe aufweist, einem Kühlkörper, der eine thermisch leitende Kontaktfläche mit bestimmter Rauhtiefe aufweist, und einer Wärmeleitpaste, die Partikel aufweist, deren Größe im Mittel einer durchschnittlichen Partikelgröße entspricht, wobei das Leistungshalbleitermodul und der Kühlkörper über ihre jeweiligen Kontaktflächen unter Vermittlung der Wärmeleitpaste aneinander gefügt sind und die Rauhtiefe einer jeder der Kontaktflächen größer ist als die durchschnittliche Partikelgröße der Wärmeleitpaste.

    Bestimmung der Temperatur eines Halbleiterbauelementes
    7.
    发明专利
    Bestimmung der Temperatur eines Halbleiterbauelementes 未知

    公开(公告)号：DE102009027487B4

    公开(公告)日：2020-02-27

    申请号：DE102009027487

    申请日：2009-07-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAGINSKI PATRICK ,  BAYERER REINHOLD ,  DOMES DANIEL ,  RUETHING HOLGER

    IPC: H01L23/62 ,  G01K7/21

    Abstract: Eine in einem Halbleiterkörper integrierte Schaltungsanordnung umfassend:mindestens ein in dem Halbleiterkörper integriertes Leistungshalbleiterbauelement (T) mit einem Steueranschluss (G), einer mit dem Steueranschluss (G) elektrisch verbundenen internen Steuerelektrode (Gint) und einem Lastanschluss (E);ein thermisch mit dem Leistungshalbleiterbauelement (T) gekoppeltes und ebenfalls in den Halbleiterkörper integriertes Widerstandsbauelement (R), das zwischen dem Steueranschluss (G) und dem Lastanschluss (E) des Leistungshalbleiterbauelementes (T) angeordnet ist, wobei das Widerstandsbauelement (R) eine temperaturabhängige Widerstandskennlinie aufweist; undeine Ansteuer- und Auswerteeinheit, die dazu ausgebildet ist, den Strom durch das Widerstandsbauelement (R) oder den Spannungsabfall über dem Widerstandsbauelement (R), auszuwerten und ein davon abhängiges Temperatursignal bereitzustellen, wobeidie Ansteuer- und Auswerteeinheit dazu ausgebildet ist, den Strom durch das Widerstandsbauelement (R) oder den Spannungsabfall über dem Widerstandsbauelement (R) über den Steueranschluss (G) und den Lastanschluss (E) des Leistungshalbleiterbauelement (T) auszuwerten.

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