公开(公告)号：DE102010016216A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：DE102010016216

申请日：2010-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOHAMED ABDUL RAHMAN ,  SAE LE DARAKORN ,  POH YONG CHERN ,  REYNOSO DEXTER ,  OTREMBA RALF ,  SCHLOEGEL XAVER

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L25/07

Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren (100) zum Drahtbonden eines Drahtbondkontaktbereichs eines Dies mit einer Drahtbondstruktur bereitgestellt. Das Verfahren (100) kann aufweisen ein Reinigen des Drahtbondkontaktbereichs unter Verwendung von Formiergas (102); und ein Drahtbonden des Drahtbondkontaktbereichs an die Drahtbondstruktur (104).

公开(公告)号：DE102010000092A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：DE102010000092

申请日：2010-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REYNOSO DEXTER ,  OREJOLA ERWIN

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: Ein Halbleiterpackage mit wedge-gebondetem Chip. Eine Ausführungsform liefert einen Halbleiterchip, eine Drahtverbindung und ein Metallelement. Der Chip enthält ein Bondpad mit einer Kupferschicht. Die Drahtverbindung wird an das Bondpad wedge-gebondet und an das Metallelement ball-gebondet.