公开(公告)号：DE102008028554A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：DE102008028554

申请日：2008-06-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER ,  RIES PHILIPP ,  BENETIK THOMAS

IPC: H01L27/08

Abstract: A semiconductor device includes a capacitance, the numerical value of which is relevant for a device function. The capacitance is formed from a parallel connection of at least a first and a second capacitor element, wherein the first and second capacitor elements are formed in respective manufacturing steps that exhibit uncorrelated process fluctuations.

公开(公告)号：DE102008028554B4

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：DE102008028554

申请日：2008-06-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER ,  RIES PHILIPP ,  BENETIK THOMAS

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, umfassend eine Kapazität, deren Zahlenwert für eine Bauelementfunktion relevant ist, wobei die Kapazität eine Parallelschaltung aus mindestens einem ersten Kondensatorelement, das einen ersten Kapazitätswert mit einer erster Fertigungstoleranz hat, und einem zweiten Kondensatorelement, das einen zweiten Kapazitätswert mit einer zweiten Fertigungstoleranz hat, aufweist, wobei das erste und zweite Kondensatorelement in Herstellungsschritten ausgebildet werden, die unkorrelierte Fertigungsschwankungen aufzeigen, wobei der erste Kapazitätswert des ersten Kondensatorelements und der zweite Kapazitätswert des zweiten Kondensatorelements zum Erhalt eines vorbestimmten Gesamtkapazitätswertes derart anhand der Fertigungstoleranzen der Kondensatorelemente ausgewählt werden, dass eine Fertigungstoleranz der Kapazität minimiert wird.