公开(公告)号：DE102008047865B4

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE102008047865

申请日：2008-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER DR ,  BENETIK THOMAS ,  MEYER-BERG GEORG ,  RIESS PHILIPP DR

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L23/528

Abstract: Schaltungsanordnung (500) mit – einer Mehrzahl von Metallisierungsebenen (102, 104, 106, 108, 110, 112, 202, 204, 206, 208, 302, 304, 306, 308, 402, 404, 406, 408), die sich parallel zu einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats erstrecken, – mit einer Kapazitätsstruktur (502), die in mindestens zwei der Mehrzahl von Metallisierungsebenen ausgebildet ist, wobei die Kapazitätsstruktur (502) in einer ersten Metallisierungsebene (104, 202, 304, 404) eine Mehrzahl von ersten leitfähigen Elementen (104_10, 202_10, 304_10, 404_10) und eine Mehrzahl von zweiten leitfähigen Elementen (104_20, 202_20, 304_20, 404_20) umfasst, wobei die Kapazitätsstruktur (502) in einer zweiten Metallisierungsebene (102, 204, 302, 402) eine Mehrzahl von ersten leitfähigen Elementen (102_10, 204_10, 302_10, 402_10) und eine Mehrzahl von zweiten leitfähigen Elementen (102_20, 204_20, 302_20, 402_20) umfasst, wobei die ersten leitfähigen Elemente (104_10, 202_10, 304_10, 404_10) der ersten Metallisierungsebene (104, 202, 304, 404) und die ersten leitfähigen Elemente (102_10, 204_10, 302_10, 402_10) der zweiten...