公开(公告)号：DE102008047865B4

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE102008047865

申请日：2008-09-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER DR ,  BENETIK THOMAS ,  MEYER-BERG GEORG ,  RIESS PHILIPP DR

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L23/528

Abstract: Schaltungsanordnung (500) mit – einer Mehrzahl von Metallisierungsebenen (102, 104, 106, 108, 110, 112, 202, 204, 206, 208, 302, 304, 306, 308, 402, 404, 406, 408), die sich parallel zu einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats erstrecken, – mit einer Kapazitätsstruktur (502), die in mindestens zwei der Mehrzahl von Metallisierungsebenen ausgebildet ist, wobei die Kapazitätsstruktur (502) in einer ersten Metallisierungsebene (104, 202, 304, 404) eine Mehrzahl von ersten leitfähigen Elementen (104_10, 202_10, 304_10, 404_10) und eine Mehrzahl von zweiten leitfähigen Elementen (104_20, 202_20, 304_20, 404_20) umfasst, wobei die Kapazitätsstruktur (502) in einer zweiten Metallisierungsebene (102, 204, 302, 402) eine Mehrzahl von ersten leitfähigen Elementen (102_10, 204_10, 302_10, 402_10) und eine Mehrzahl von zweiten leitfähigen Elementen (102_20, 204_20, 302_20, 402_20) umfasst, wobei die ersten leitfähigen Elemente (104_10, 202_10, 304_10, 404_10) der ersten Metallisierungsebene (104, 202, 304, 404) und die ersten leitfähigen Elemente (102_10, 204_10, 302_10, 402_10) der zweiten...

公开(公告)号：DE50212506D1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：DE50212506

申请日：2002-02-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER DR

IPC: G11C16/26 ,  G11C7/06

公开(公告)号：DE102009025271B4

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：DE102009025271

申请日：2009-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER DR ,  SIPRAK DOMAGOJ

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend:mindestens einen Sourcebereich (1006) und mindestens einen Drainbereich (1004);mehrere sich zwischen dem Sourcebereich (1006) und dem Drainbereich (1004) erstreckende Finnen (1010, 1013, 1016), wobei von diesen Finnen (1010, 1013, 1016) mindestens eine Finne eine andere Breite als eine andere Finne aufweist; undmindestens zwei Gates (1017, 1018) zur Steuerung des Stromflusses durch die mehreren Finnen (1010, 1013, 1016),wobei mindestens ein Gate eine Gatelänge aufweist, die von einem anderen Gate verschieden ist, undwobei mindestens zwei der Finnen (1010, 1013, 1016) zwischen dem Sourcebereich (1006) und dem Drainbereich (1004) parallel geschaltet sind.

公开(公告)号：DE102007056741B4

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102007056741

申请日：2007-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER DR

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Feldeffekttransistor (3), der Folgendes aufweist: einen Source-Bereich (30); einen Drain-Bereich (31); und einen zwischen dem Source-Bereich (30) und dem Drain-Bereich (31) angeordneten Kanalbereich (32), wobei der Kanalbereich (32) eine Breite hat, dadurch gekennzeichnet, dass der Kanalbereich (32) eine in Breitenrichtung variable Länge hat, sodass eine Schwellenspannung für den Stromfluss durch den Kanalbereich (32) an unterschiedlichen Punkten entlang der Breitenrichtung des Feldeffekttransistors (3) variiert.