公开(公告)号：DE10210138A1

公开(公告)日：2003-10-02

申请号：DE10210138

申请日：2002-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ANDREAS ,  HIRLER FRANZ ,  KOTEK MANFRED ,  HAEBERLEN OLIVER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Production of a semiconductor component controlled by field effect comprises: (a) preparing a semiconductor body (1) of first conductivity having a trench (8) protruding from a first surface (2) into the body; (b) covering the walls (10) and the base of the trench with an insulating layer (18); (c) filling the trench with an auxiliary layer; (d) removing regions of the insulating layer covered with the auxiliary layer; and (e) implanting ions of first conductivity type and ions of second conductivity type in regions provided for a source zone (7) using the insulating layer remaining in the trench and/or the auxiliary layer as implantation mask. An Independent claim is also included for a semiconductor component produced by the above process.

公开(公告)号：DE102020103706A1

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：DE102020103706

申请日：2020-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ANDREAS ,  AMMER MICHAEL ,  CRETU GABRIEL-DUMITRU

IPC: H01L23/60 ,  H02H9/04

Abstract: Die oben genannte Aufgabe wird durch die Schaltung gemäß Anspruch 1 und die Schaltung gemäß Anspruch 9 gelöst. Verschiedene Ausführungsbeispiele sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Im Folgenden wird eine Klemmschaltung zum Schutz vor ESD-Ereignissen beschrieben. Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist die Schaltung folgende auf einen ersten Transistor mit einem Steueranschluss und einem Laststrompfad, der zwischen einen ersten Kontakt und einen zweiten Kontakt geschaltet ist; eine Verstärkerschaltung mit einem Verstärkereingang und einem Verstärkerausgang, der mit dem Steueranschluss des Transistors verbunden ist; und eine Auslöseschaltung, die zwischen den ersten Kontakt und den zweiten Kontakt geschaltet ist und die einen zweiten Transistor aufweist. Die Auslöseschaltung ist dazu ausgebildet, als Reaktion auf einen Entladestrom am ersten Kontakt am Verstärkereingang einen Spannungshub zu erzeugen, indem zumindest ein Teil des Entladestroms über eine intrinsische Kapazität des zweiten Transistors einen Steueranschluss des zweiten Transistors ansteuert.

公开(公告)号：DE102014115583A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：DE102014115583

申请日：2014-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CAO YIQUN ,  GLASER ULRICH ,  RUPP ANDREAS

IPC: H02H9/04

Abstract: Eine kombinierte, elektrostatische Entlade-Klemmschaltung für kaskadierte Spannungsanschlüsse kann einen elektronischen Schalter (305), mehrere Entladepfade (303) und mehrere Auslöseschaltungen (301) aufweisen. Als Antwort auf ein Erfassen eines Spannungsereignisses über zwei beliebigen Spannungsanschlüssen (V1, V2, V3, VN) kann der Auslöseschaltkreis (301) den elektronischen Schalter (305) einschalten, was bewirkt, dass ein von dem Spannungsereignis bewirkter Strom durch einen oder mehrere der Entladepfade (303) statt durch einen funktionalen Schaltkreis, welcher möglicherweise durch den von dem Spannungsereignis bewirkten Strom beschädigt werden könnte, fließt.

公开(公告)号：DE10210138B4

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：DE10210138

申请日：2002-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ANDREAS ,  HIRLER FRANZ ,  KOTEK MANFRED ,  HAEBERLEN OLIVER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE102015101000A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：DE102015101000

申请日：2015-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CAO YIQUN ,  GLASER ULRICH ,  RUPP ANDREAS

IPC: H01L23/60

Abstract: Es wird eine Schaltung beschrieben, die eine elektrostatische Entladungs(ESD)-Schutzschaltung, eine Ausschalte-Halte-Schaltung, und eine ESD-Erfassungsschaltung umfasst. Wenn die ESD-Erfassungsschaltung ein ESD-Ereignis erfasst, ist die ESD-Erfassungsschaltung eingerichtet, sowohl die ESD-Schutzschaltung zu aktivieren als auch die Ausschalte-Halte-Schaltung zu deaktivieren.