公开(公告)号：DE102019122382B3

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102019122382

申请日：2019-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LIM WEE AUN JASON ,  CHIN TING SOON ,  CALO PAUL ARMAND ASENTISTA ,  SAM YING POK ,  TAN CHEE VOON ,  CHONG CHOOI MEI ,  MURUGAN SANJAY KUMAR

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  H01L23/495

Abstract: Leistungshalbleitergehäuse mit einem Leistungshalbleiterchip, einem elektrischen Verbinder, der an einer ersten Seite des Leistungshalbleiterchips angeordnet ist und eine erste Oberfläche aufweist, die mit einer Leistungselektrode des Leistungshalbleiterchips gekoppelt ist, einem Verkapselungskörper, der den Leistungshalbleiterchip und den elektrischen Verbinder zumindest teilweise einkapselt, und einer elektrischen Isolierschicht, die an einer zweiten Oberfläche des elektrischen Verbinders gegenüber der ersten Oberfläche angeordnet ist, wobei Teile des Verkapselungskörpers und der elektrischen Isolierschicht eine komplanare Oberfläche der Leistungshalbleitergehäuse bilden.