公开(公告)号：DE102017104430B4

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：DE102017104430

申请日：2017-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEE SWEE KAH ,  CHONG HOCK HENG ,  GOH SOON LOCK ,  LUM FONG MEI ,  SANUSI MUHAMMAD MUHAMMAT ,  NG MEI CHIN ,  SORIANO AILEEN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zur Herstellung von gemoldeten Halbleiterpackungen (210), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen eines gemoldeten Halbleitersubstrats (200), umfassend einen Moldverbund (202), in den Halbleiterchips und Metall-Pads (204) eingebettet sind, wobei jedes Metall-Pad (204) mit einem der Halbleiterchips elektrisch verbunden ist und an einer ersten Hauptfläche (203) des Moldverbunds (202) vom Moldverbund (202) unbedeckt bleibt;Vereinzeln des gemoldeten Halbleitersubstrats (200) in individuelle, gemoldete Packungen (210), von denen jede einen oder mehrere der Halbleiterchips und der entsprechenden Metall-Pads (204) umfasst, wobei jedes Metall-Pad (204) eine Bodenfläche (215) aufweist, die durch den Moldverbund (202) an der ersten Hauptfläche (203) unbedeckt bleibt, wobei die um eine Peripherie jeder gemoldeten Packung (210) angeordneten Metall-Pads (204) weiter eine Seitenfläche (214) aufweisen, die durch den Moldverbund (202) an einem Rand (216), entlang dem die gemoldeten Packungen (210) vereinzelt wurden, unbedeckt bleibt;Eintauchen der gemoldeten Packungen (210) in ein chemisches Bad, wodurch zwischen 3 bis 15 Mikrometer Metall von den durch den Moldverbund (202) unbedeckten Flächen der Metall-Pads (204) abgeätzt werden, so dass die Bodenfläche (215) jedes Metall-Pads (204) aufgeraut wird und Grate von der Seitenfläche (214) der um die Peripherie jeder gemoldeten Packung (210) angeordneten Metall-Pads (204) entfernt werden; undBeschichten der durch den Moldverbund (202) unbedeckten Flächen der Metall-Pads (204) nach dem Eintauchen der gemoldeten Packungen (210) in das chemische Bad.

公开(公告)号：DE102017104430A1

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：DE102017104430

申请日：2017-03-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEE SWEE KAH ,  CHONG HOCK HENG ,  GOH SOON LOCK ,  LUM FONG MEI ,  SANUSI MUHAMMAD MUHAMMAT ,  NG MEI CHIN ,  SORIANO AILEEN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: Eine gemoldete Halbleiterpackung schließt einen Moldverbund ein, der gegenüberliegende erste und zweite Hauptflächen aufweist und einen Rand, der zwischen der ersten und zweiten Hauptfläche verläuft. Ein Halbleiterchip ist in den Moldverbund eingebettet. Eine Mehrzahl von Metall-Pads ist ebenfalls in den Moldverbund eingebettet und mit dem Halbleiterchip elektrisch verbunden. Die Metall-Pads haben eine Bodenfläche, die durch den Moldverbund an der zweiten Hauptfläche des Moldverbunds unbedeckt bleibt. Die um eine Peripherie des Moldverbunds angeordneten Metall-Pads haben eine Seitenfläche, die durch den Moldverbund an dem Rand des Moldverbunds unbedeckt bleibt. Die Flächen der Metall-Pads, die durch den Moldverbund unbedeckt bleiben, sind beschichtet. Die Seitenfläche jedes um die Peripherie des Moldverbunds angeordneten Metall-Pads ist nach innen von dem Rand des Moldverbunds zurückgezogen. Ein entsprechendes Herstellungsverfahren ist ebenfalls beschrieben.