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公开(公告)号:DE102016103790A1
公开(公告)日:2017-09-07
申请号:DE102016103790
申请日:2016-03-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LEE SWEE KAH , CHIANG CHAU FATT , GOH SOON LOCK , NG MEI CHIN , CHUA KOK YAU , TEE GUAN CHOON , SEE BEN KEH , CHAN SOOK WOON , MAHLER JOACHIM
IPC: H01L23/28 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: Eine Packung (100), welche ein erstes Verkapselungsmaterial (102), so konfiguriert, dass elektrisch leitfähiges Material (106) darauf platebar ist, und ein zweites Verkapselungsmaterial (104), so konfiguriert, dass elektrisch leitfähiges Material (106) nicht darauf platebar ist, umfasst.
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公开(公告)号:DE102014117404A1
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:DE102014117404
申请日:2014-11-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GOH SOON LOCK , LEE SWEE KAH
IPC: H01L21/52 , H01L23/04 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst eine Vielzahl von Anschlusskontaktstellen mit einer ersten Seite und einer der ersten Seite entgegengesetzten zweiten Seite, eine Beschichtung, die die erste Seite der Anschlusskontaktstellen bedeckt, Halbleiter-Nacktchips und elektrische Leiter, die an der zweiten Seite der Anschlusskontaktstellen angebracht sind und eine Formmasse, die die Halbleiter-Nacktchips und die elektrischen Leiter an der zweiten Seite der Anschlusskontaktstellen einhaust. Die Formmasse weist eine erste Seite auf, durch die die Anschlusskontaktstellen herausragen und eine der ersten Seite entgegengesetzte zweite Seite, wobei die erste Seite der Formmasse zwischen benachbarten Anschlusskontaktstellen eine ebene Oberfläche aufweist. Das Gehäuse umfasst ferner ein Material, das auf freiliegenden Seitenwänden der Anschlusskontaktstellen, die nicht von der Formmasse bedeckt sind, plattiert ist und die durch optische Überprüfung detektierbar ist. Ein entsprechendes Herstellungsverfahren ist ebenfalls bereitgestellt.
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公开(公告)号:DE102017212457A1
公开(公告)日:2019-01-24
申请号:DE102017212457
申请日:2017-07-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GOH SOON LOCK
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/495
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleitergehäuses umfasst das Bereitstellen eines Substrats, das zumindest teilweise Verkapseln des Substrats mit einem Verkapselungskörper, das Aufbringen einer ersten Ni-Schicht auf eine erste Oberfläche des Substrats durch Elektroplattieren und das Aufbringen einer zweiten Ni-Schicht auf die erste Ni-Schicht durch stromloses Ni-Plattieren.
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公开(公告)号:DE102015108356A1
公开(公告)日:2015-12-03
申请号:DE102015108356
申请日:2015-05-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GOH SOON LOCK , KRISHNAN JAGEN , LEE SWEE KAH , LIM POH CHENG , MAHLER JOACHIM , TAI CHEW THENG , TAN YIK YEE , TEH PEH HEAN
IPC: C08G73/06
Abstract: Es wird eine Primer-Zusammensetzung bereitgestellt. Die Primer-Zusammensetzung enthält mindestens eine bi- oder multifunktionelle Benzoxazinverbindung und mindestens eine Verbindung mit einer funktionellen Gruppe mit Affinität zu einer metallischen Oberfläche und einer vernetzbaren Gruppe. Außerdem werden ein Verfahren zur Bildung einer Primer-Schicht auf einer Halbleitereinrichtung und ein Verfahren zum Verkapseln einer Halbleitereinrichtung bereitgestellt.
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公开(公告)号:DE102024107394A1
公开(公告)日:2024-09-19
申请号:DE102024107394
申请日:2024-03-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: POK PEI LUAN , LEE SWEE KAH , GOH SOON LOCK , LEE CHEE HONG , PAING SAMSUN , CHONG CHEE CHIEW
Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterpackages enthält das Bereitstellen einer Basisplatte, das Montieren eines Halbleiter-Dies auf der Basisplatte, wobei eine Hauptoberfläche des Halbleiter-Dies von der Basisplatte abgewandt ist, das Bilden vertikaler Verbindungselemente auf der Hauptoberfläche des Halbleiter-Dies, das Bilden einer Einkapselung auf der Basisplatte, welche den Halbleiter-Die einkapselt, das Freilegen der vertikalen Verbindungselemente an einer oberen Oberfläche der Einkapselung, das Bilden eines Erste-Ebene-Metallpads auf der oberen Oberfläche der Einkapselung, welches die freiliegenden vertikalen Verbindungselemente kontaktiert, und das Bilden strukturierter Metallbereiche auf der oberen Oberfläche der Einkapselung, wobei das Bilden der strukturierten Metallbereiche das Strukturieren des Erste-Ebene-Metallpads enthält.
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公开(公告)号:DE102009044605B4
公开(公告)日:2014-05-15
申请号:DE102009044605
申请日:2009-11-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GOH SOON LOCK , CHIANG CHAU FATT
Abstract: Verfahren, mit dem ein Halbleiter-Package mit einem Halbleiterchip und einem Hügel hergestellt wird, umfassend: Bereitstellen eines Trägers (110); Ausbilden des Hügels (126, 226, 326) auf dem Träger (110); Ausbilden eines Spalts (132) in dem Träger (110), der den Hügel (126, 226, 326) seitlich unterschneidet; mechanisches Anbringen des Halbleiterchips (136, 236, 336) an dem Träger (110); elektrisches Anschließen des Halbleiterchips (136, 236, 336) an den Hügel (126, 226, 326); Abscheiden eines Kapselungsmittels (150, 250, 350) in dem Spalt (132), wobei das Kapselungsmittel (150, 250, 350) den Spalt (132) innerhalb einer Peripherie des Hügels (126, 226, 326) unter dem Hügel (126, 226, 326) füllt, so dass es mit dem Hügel (126, 226, 326) einen Formschluss bildet und den Hügel (126, 226, 326) sicher befestigt; und Entfernen des Trägers (110) von dem Hügel (126, 226, 326) und dem Kapselungsmittel (150, 250, 350) nach dem Abscheiden des Kapselungsmittels (150, 250, 350).
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公开(公告)号:DE102011002170B4
公开(公告)日:2014-01-02
申请号:DE102011002170
申请日:2011-04-19
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GOH SOON LOCK , LEE SWEE KAH , TAN CHIN WEI RONNIE
IPC: H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/50
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Elektronikbauelement-Package, umfassend: Ausbilden eines ersten Pads und eines zweiten Pads direkt auf einem Träger; teilweises Entfernen des Trägers unter dem ersten und dem zweiten Pad, so dass unter dem ersten und dem zweiten Pad Unterätzöffnungen ausgebildet werden; Anordnen einer Kapselung um das erste und das zweite Pad und auf dem Träger, so dass die Kapselung auf dem Träger, auf dem ersten Pad, auf dem zweiten Pad und in den Unterätzöffnungen unter dem ersten und dem zweiten Pad angeordnet ist; Entfernen des Trägers von der Kapselung und dem ersten und zweiten Pad, wodurch das erste und das zweite Pad teilweise freigelegt werden; und Ausbilden eines ersten Höckers auf dem ersten freigelegten Pad und eines zweiten Höckers auf dem zweiten freigelegten Pad.
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8.
公开(公告)号:DE102009044605A1
公开(公告)日:2010-07-08
申请号:DE102009044605
申请日:2009-11-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GOH SOON LOCK , CHIANG CHAU FATT
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Package umfasst das Bereitstellen eines Trägers, Ausbilden eines Hügels (124) auf dem Träger, das Ausbilden eines Spalts in dem Träger, der den Hügel (124) seitlich unterschneidet, das mechanische Anbringen eines Halbleiterchips (136) an dem Träger, das elektrische Verbinden des Halbleiterchips (136) mit dem Hügel (124), das Abscheiden eines Kapselungsmittels (150) in dem Spalt und das Entfernen des Trägers von dem Hügel (124).
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公开(公告)号:DE102016103790B8
公开(公告)日:2021-06-02
申请号:DE102016103790
申请日:2016-03-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LEE SWEE KAH , CHIANG CHAU FATT , GOH SOON LOCK , NG MEI CHIN , CHUA KOK YAU , TEE GUAN CHOON , SEE BENG KEH , CHAN SOOK WOON , MAHLER JOACHIM
IPC: H01L23/28 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/485
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公开(公告)号:DE102016103790B4
公开(公告)日:2021-02-11
申请号:DE102016103790
申请日:2016-03-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: LEE SWEE KAH , CHIANG CHAU FATT , GOH SOON LOCK , NG MEI CHIN , CHUA KOK YAU , TEE GUAN CHOON , SEE BEN KEH , CHAN SOOK WOON , MAHLER JOACHIM
IPC: H01L23/28 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Packung (100), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:• elektrisches Koppeln einer Umverteilungsschicht (110) mit mindestens einem Halbleiterchip (108);• Verkapseln des Halbleiterchips (108) mit einem Verkapselungsmaterial (102), das eine Moldmasse ist und ein Übergangsmetall in einer Konzentration zwischen 10 und 10.000 ppm enthält;• selektives Umwandeln eines Teils des Übergangsmetalls, so dass die elektrische Leitfähigkeit des Verkapselungsmaterials (102) zunimmt;• Platen einer äußeren lateralen Seitenwand des umgewandelten Verkapselungsmaterials (102) mit einem elektrisch leitfähigen Material (106) zum Bereitstellen einer elektrisch leitfähigen Kopplung zu der Umverteilungsschicht (110) und einer elektronischen Peripherie, wobei die elektronische Peripherie zumindest teilweise an einer Oberfläche der Packung (100) lokalisiert ist.
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