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    Mold-Gehäusestruktur mit Klebstoff-Auslaufstopper zum Abdichten eines MEMS-Bauelements und Verfahren zum Verpacken eines MEMS-Bauelements
    2.
    发明专利
    Mold-Gehäusestruktur mit Klebstoff-Auslaufstopper zum Abdichten eines MEMS-Bauelements und Verfahren zum Verpacken eines MEMS-Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102016110659B4

    公开(公告)日：2022-04-21

    申请号：DE102016110659

    申请日：2016-06-09

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： CHUA KOK YAU ,  CHAN SOOK WOON ,  CHIANG CHAU FATT ,  CHUA HOCK SIANG ,  LEE SWEE KAH ,  MARTENS STEFAN ,  NG MEI CHIN ,  STEIERT MATTHIAS ,  YEO KIAN HONG

    IPC: H01L23/04 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R1/00

    Abstract: Halbleitergehäuse, umfassend:einen elektrisch leitfähigen Leadframe (102), der einen ersten Chipträger (104) mit einer ersten Öffnung (108) und eine Mehrzahl von elektrisch leitfähigen Verbindungen umfasst;einen Steg (128), der um einen Umfang der ersten Öffnung (108) ausgebildet ist; undeine elektrisch isolierende Moldmasse (110), die einen inneren Hohlraum (112) umfasst, der durch eine ebene Grundfläche (114) und äußere Seitenwände (116) der Moldmasse (110) festgelegt wird, eine zweite Öffnung (120), die in der Grundfläche (114) ausgebildet ist, und eine innere Seitenwand (122), die im inneren Hohlraum (112) angeordnet ist;wobei die Moldmasse (110) um den Leadframe (102) ausgebildet und der erste Chipträger (104) im inneren Hohlraum (112) angeordnet ist,wobei die erste und die zweite Öffnung (108, 120) so zueinander ausgerichtet sind, dass sie einen Durchlass (121) bilden, der Zugang zum inneren Hohlraum (112) ermöglicht, undwobei der Steg (128) und die innere Seitenwand (122) gemeinsam einen Damm bilden, der konfiguriert ist, verflüssigtes Dichtungsmittel (134) aufzunehmen und zu verhindern, dass das verflüssigte Dichtungsmittel (134) in den Durchlass (121) oder angrenzende Bereiche des inneren Hohlraums (112) überfließt;wobei der Steg (128) im Leadframe (102) ausgebildet ist und einen erhöhten Kragen im ersten Chipträger (104) umfasst, der den Umfang der ersten Öffnung (108) bildet, wobei sich der erhöhte Kragen weg vom ersten Chipträger (104) und hin zu Oberkanten der äußeren Seitenwände (116) erstreckt, und/oder wobei der Steg (128) in der Moldmasse (110) ausgebildet ist und einen erhöhten Kragen in der Grundfläche (114) umfasst, der den Umfang der zweiten Öffnung (120) bildet, wobei sich der erhöhte Kragen weg von der Grundfläche (114) und hin zu den Oberkanten der äußeren Seitenwände (116) erstreckt.

    Klemmrahmen-Halbleitergehäuse und Verfahren zu ihrer Herstellung
    5.
    发明专利
    Klemmrahmen-Halbleitergehäuse und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102013102857A1

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：DE102013102857

    申请日：2013-03-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： NG MEI CHING MELISSA ,  NG MEI CHIN ,  LIM PENG SOON

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Halbleitergehäuse einen Klemmrahmen mit einer ersten Klemme mit einer ersten Tragstruktur, einem ersten Hebel und einem ersten Kontaktabschnitt, der auf der Vorderseite des Halbleitergehäuses angeordnet ist. Die erste Tragstruktur grenzt an eine entgegengesetzte Rückseite des Halbleitergehäuses an. Der erste Hebel verbindet den ersten Kontaktabschnitt und die erste Tragstruktur miteinander. Ein erster Einzelchip ist über der ersten Tragstruktur der ersten Klemme angeordnet. Der erste Einzelchip hat eine erste Kontaktstelle auf der Vorderseite des Halbleitergehäuses. Ein Verkapselungsmaterial umgibt den ersten Einzelchip und die erste Klemme.

    Verfahren zum Herstellen von gemoldeten Halbleiterpackungen aufweisend ein optisches Inspektionsmerkmal und gemoldete Halbleiterpackung
    8.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen von gemoldeten Halbleiterpackungen aufweisend ein optisches Inspektionsmerkmal und gemoldete Halbleiterpackung 未知

    公开(公告)号：DE102017104430B4

    公开(公告)日：2020-07-02

    申请号：DE102017104430

    申请日：2017-03-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LEE SWEE KAH ,  CHONG HOCK HENG ,  GOH SOON LOCK ,  LUM FONG MEI ,  SANUSI MUHAMMAD MUHAMMAT ,  NG MEI CHIN ,  SORIANO AILEEN

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

    Abstract: Verfahren zur Herstellung von gemoldeten Halbleiterpackungen (210), wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen eines gemoldeten Halbleitersubstrats (200), umfassend einen Moldverbund (202), in den Halbleiterchips und Metall-Pads (204) eingebettet sind, wobei jedes Metall-Pad (204) mit einem der Halbleiterchips elektrisch verbunden ist und an einer ersten Hauptfläche (203) des Moldverbunds (202) vom Moldverbund (202) unbedeckt bleibt;Vereinzeln des gemoldeten Halbleitersubstrats (200) in individuelle, gemoldete Packungen (210), von denen jede einen oder mehrere der Halbleiterchips und der entsprechenden Metall-Pads (204) umfasst, wobei jedes Metall-Pad (204) eine Bodenfläche (215) aufweist, die durch den Moldverbund (202) an der ersten Hauptfläche (203) unbedeckt bleibt, wobei die um eine Peripherie jeder gemoldeten Packung (210) angeordneten Metall-Pads (204) weiter eine Seitenfläche (214) aufweisen, die durch den Moldverbund (202) an einem Rand (216), entlang dem die gemoldeten Packungen (210) vereinzelt wurden, unbedeckt bleibt;Eintauchen der gemoldeten Packungen (210) in ein chemisches Bad, wodurch zwischen 3 bis 15 Mikrometer Metall von den durch den Moldverbund (202) unbedeckten Flächen der Metall-Pads (204) abgeätzt werden, so dass die Bodenfläche (215) jedes Metall-Pads (204) aufgeraut wird und Grate von der Seitenfläche (214) der um die Peripherie jeder gemoldeten Packung (210) angeordneten Metall-Pads (204) entfernt werden; undBeschichten der durch den Moldverbund (202) unbedeckten Flächen der Metall-Pads (204) nach dem Eintauchen der gemoldeten Packungen (210) in das chemische Bad.

    Verfahren zum Herstellen von gemoldeten Halbleiterpackungen aufweisend ein optisches Inspektionsmerkmal
    9.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen von gemoldeten Halbleiterpackungen aufweisend ein optisches Inspektionsmerkmal 未知

    公开(公告)号：DE102017104430A1

    公开(公告)日：2017-09-07

    申请号：DE102017104430

    申请日：2017-03-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： LEE SWEE KAH ,  CHONG HOCK HENG ,  GOH SOON LOCK ,  LUM FONG MEI ,  SANUSI MUHAMMAD MUHAMMAT ,  NG MEI CHIN ,  SORIANO AILEEN

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

    Abstract: Eine gemoldete Halbleiterpackung schließt einen Moldverbund ein, der gegenüberliegende erste und zweite Hauptflächen aufweist und einen Rand, der zwischen der ersten und zweiten Hauptfläche verläuft. Ein Halbleiterchip ist in den Moldverbund eingebettet. Eine Mehrzahl von Metall-Pads ist ebenfalls in den Moldverbund eingebettet und mit dem Halbleiterchip elektrisch verbunden. Die Metall-Pads haben eine Bodenfläche, die durch den Moldverbund an der zweiten Hauptfläche des Moldverbunds unbedeckt bleibt. Die um eine Peripherie des Moldverbunds angeordneten Metall-Pads haben eine Seitenfläche, die durch den Moldverbund an dem Rand des Moldverbunds unbedeckt bleibt. Die Flächen der Metall-Pads, die durch den Moldverbund unbedeckt bleiben, sind beschichtet. Die Seitenfläche jedes um die Peripherie des Moldverbunds angeordneten Metall-Pads ist nach innen von dem Rand des Moldverbunds zurückgezogen. Ein entsprechendes Herstellungsverfahren ist ebenfalls beschrieben.

    Klemmrahmen-Halbleitergehäuse und Verfahren zu ihrer Herstellung
    10.
    发明专利
    Klemmrahmen-Halbleitergehäuse und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102013102857B4

    公开(公告)日：2017-03-30

    申请号：DE102013102857

    申请日：2013-03-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： NG MEI CHING MELISSA ,  NG MEI CHIN ,  LIM PENG SOON

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

    Abstract: Halbleitergehäuse, umfassend: einen Klemmrahmen (5), der eine erste Klemme (10) mit einer ersten Tragstruktur (51), einem ersten Hebel (52) und einem ersten Kontaktabschnitt (15) umfasst, wobei der erste Hebel (52) den ersten Kontaktabschnitt (15) und die erste Tragstruktur (51) miteinander verbindet, der erste Kontaktabschnitt (15) auf einer Vorderseite des Halbleitergehäuses angeordnet ist und die erste Tragstruktur (51) an eine entgegengesetzte Rückseite des Halbleitergehäuses angrenzt, einen ersten Chip (50), der über der ersten Tragstruktur (51) der ersten Klemme (10) angeordnet ist, wobei der erste Chip (50) erste Einzelchipkontakte (60) auf der Vorderseite des Halbleitergehäuses umfasst, einen zweiten Chip, der über einer zweiten Tragstruktur einer zweiten Klemme des Klemmrahmens (5) angeordnet ist, wobei die zweite Klemme ferner einen zweiten Hebel und einen zweiten Kontaktabschnitt umfasst, die zweite Tragstruktur an die Rückseite des Halbleitergehäuses angrenzt, der zweite Kontaktabschnitt auf der Vorderseite des Halbleitergehäuses angeordnet ist und der zweite Hebel den zweiten Kontaktabschnitt und die zweite Tragstruktur miteinander verbindet, wobei die erste Klemme und die zweite Klemme parallel zueinander orientiert sind und durch einen Tragausleger (20) miteinander verbunden sind und ein Verkapselungsmaterial (80), das den ersten Chip, den zweiten Chip, die erste Klemme, die zweite Klemme und den Tragausleger (20) umgibt, wobei der erste Kontaktabschnitt, der zweite Kontaktabschnitt und die ersten Einzelchipkontakte (60) auf der Vorderseite des Halbleitergehäuses von dem Verkapselungsmaterial frei sind und die erste Tragstruktur und die zweite Tragstruktur auf der Rückseite des Halbleitergehäuses von dem Verkapselungsmaterial bedeckt sind, ferner umfassend ein Loch (170), welches sich durch den Tragausleger (20) und wenigstens teilweise durch das Verkapselungsmaterial (80) erstreckt, wobei das Loch (170) die erste Klemme von der zweiten Klemme isoliert.

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