公开(公告)号：DE102011054825A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：DE102011054825

申请日：2011-10-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHMIDT GERHARD ,  SCHLOEGL DANIEL

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/76

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200, 300) und ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements (100, 200, 300) werden bereitgestellt. Das Halbleiterbauelement (100, 200, 300) enthält einen Halbleiterkörper (40) mit einem ersten Halbleitergebiet (1) und einem zweiten Halbleitergebiet (2), die voneinander beabstandet sind. Eine erste Metallisierung (11) steht in Kontakt mit dem ersten Halbleitergebiet (1). Eine zweite Metallisierung (12) steht in Kontakt mit dem zweiten Halbleitergebiet (2). Ein isolierendes Gebiet (6) erstreckt sich zwischen dem ersten Halbleitergebiet (1) und dem zweiten Halbleitergebiet (2). Ein halbisolierendes Gebiet (7) mit einem spezifischen Widerstand von etwa 103 Ohm cm bis etwa 1014 Ohm cm ist auf dem isolierenden Gebiet (6) angeordnet und bildet zwischen der ersten Metallisierung (11) und der zweiten Metallisierung (12) einen Widerstand.

公开(公告)号：DE102016111844A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102016111844

申请日：2016-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KÜNLE MATTHIAS ,  SCHLOEGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEISS CHRISTOPH

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) weist einen Halbleiterkörper (10) auf, welcher ausgelegt ist, um einen Laststrom parallel zu einer Erstreckungsrichtung (Z) zwischen einem ersten Lastanschluss (11) und einem zweiten Lastanschluss (12) der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zu leiten. Der Halbleiterkörper (10) umfasst eine dotierte Kontaktregion (109), welche mit dem zweiten Lastanschluss (12) elektrisch verbunden ist; eine dotierte Drift-Region (105) mit einer Dotierstoffkonzentration, welche kleiner als eine Dotierstoffkonzentration der Kontaktregion (109) ist; und eine epitaktisch gewachsene dotierte Übergangsregion (107), welche vom zweiten Lastanschluss (12) durch die Kontaktregion (109) getrennt ist und die Kontaktregion (109) mit der Drift-Region (105) koppelt, wobei eine obere Teilregion (1071) der Übergangsregion (107) mit der Drift-Region (105) in Kontakt ist und eine untere Teilregion (1073) der Übergangsregion (107) mit der Kontaktregion (109) in Kontakt ist, wobei die Übergangsregion (107) eine Dotierstoffkonzentration von wenigstens 0,5·1015 cm–3 für wenigstens 5 % der Gesamterstreckung der Übergangsregion (107) in der Erstreckungsrichtung (Z) aufweist.