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    VERGRABENE ISOLIERUNGSGEBIETE UND VERFAHREN ZU DEREN BILDUNG
    2.
    发明专利
    VERGRABENE ISOLIERUNGSGEBIETE UND VERFAHREN ZU DEREN BILDUNG 未知

    公开(公告)号：DE102016124207A1

    公开(公告)日：2018-06-14

    申请号：DE102016124207

    申请日：2016-12-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHÄFFER CARSTEN ,  MOSER ANDREAS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  RUPP ROLAND ,  KÜNLE MATTHIAS ,  DAINESE MATTEO

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Ausbilden eines vergrabenen Isolierungsgebiets innerhalb eines Substrats, indem das Substrat unter Verwendung von Ätz- und Abscheidungsprozessen bearbeitet wird. Über dem vergrabenen Isolierungsgebiet wird an einer ersten Seite des Substrats eine Halbleiterschicht gebildet. Vorrichtungsgebiete werden in der Halbleiterschicht geschaffen. Das Substrat wird von einer zweiten Seite des Substrats aus abgedünnt, um das vergrabene Isolierungsgebiet freizulegen. Das vergrabene Isolierungsgebiet wird selektiv entfernt, um eine untere Oberfläche des Substrats freizulegen. Unter der unteren Oberfläche des Substrats wird ein leitfähiges Gebiet ausgebildet.

    Leistungshalbleitervorrichtung
    5.
    发明专利
    Leistungshalbleitervorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102016111844A1

    公开(公告)日：2017-12-28

    申请号：DE102016111844

    申请日：2016-06-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KÜNLE MATTHIAS ,  SCHLOEGL DANIEL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEISS CHRISTOPH

    IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) weist einen Halbleiterkörper (10) auf, welcher ausgelegt ist, um einen Laststrom parallel zu einer Erstreckungsrichtung (Z) zwischen einem ersten Lastanschluss (11) und einem zweiten Lastanschluss (12) der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zu leiten. Der Halbleiterkörper (10) umfasst eine dotierte Kontaktregion (109), welche mit dem zweiten Lastanschluss (12) elektrisch verbunden ist; eine dotierte Drift-Region (105) mit einer Dotierstoffkonzentration, welche kleiner als eine Dotierstoffkonzentration der Kontaktregion (109) ist; und eine epitaktisch gewachsene dotierte Übergangsregion (107), welche vom zweiten Lastanschluss (12) durch die Kontaktregion (109) getrennt ist und die Kontaktregion (109) mit der Drift-Region (105) koppelt, wobei eine obere Teilregion (1071) der Übergangsregion (107) mit der Drift-Region (105) in Kontakt ist und eine untere Teilregion (1073) der Übergangsregion (107) mit der Kontaktregion (109) in Kontakt ist, wobei die Übergangsregion (107) eine Dotierstoffkonzentration von wenigstens 0,5·1015 cm–3 für wenigstens 5 % der Gesamterstreckung der Übergangsregion (107) in der Erstreckungsrichtung (Z) aufweist.

    Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Epitaxie
    6.
    发明专利
    Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Epitaxie 未知

    公开(公告)号：DE102015208097A1

    公开(公告)日：2016-11-03

    申请号：DE102015208097

    申请日：2015-04-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHLÖGL DANIEL ,  KÜNLE MATTHIAS ,  LERCHER ERWIN ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEISS CHRISTOPH

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1) wird vorgestellt. Das Verfahren (2) umfasst: Bereitstellen (20) eines Halbleitersubstrats (4), das eine Oberfläche (40) aufweist; epitaxiales Wachsenlassen (21) einer Rückseiten-Emitter-Schicht (125) auf der Oberseite der Oberfläche (40) entlang einer zur Oberfläche (40) senkrechten, vertikalen Richtung (Z), wobei die Rückseiten-Emitter-Schicht (125) Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps oder Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der zu dem ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist, aufweist; epitaxiales Wachsenlassen (23) einer Drift-Schicht (123), die Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps oberhalb der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) aufweist, entlang einer vertikalen Richtung (Z), wobei eine Dotierstoffkonzentration der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) höher als eine Dotierstoffkonzentration der Drift-Schicht (123) ist; und Erzeugen (24) entweder innerhalb oder auf der Oberseite der Drift-Schicht (123) einer Body-Region (124), die Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, wobei ein Übergang zwischen der Body-Region (124) und der Drift-Schicht (123) eine pn-Sperrschicht (Zpn) bildet. Epitaxiales Wachsenlassen (23) der Drift-Schicht (123) umfasst das Erzeugen eines Dotierstoffkonzentrationsprofils (P) von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps entlang der vertikalen Richtung (Z) innerhalb der Drift-Schicht (123), wobei das Dotierstoffkonzentrationsprofil (P) in der Drift-Schicht (123) eine Variation einer Konzentration von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps entlang der vertikalen Richtung (Z) aufweist.

    Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Epitaxie
    7.
    发明专利
    Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Epitaxie 未知

    公开(公告)号：DE102015208097B4

    公开(公告)日：2022-03-31

    申请号：DE102015208097

    申请日：2015-04-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHLÖGL DANIEL ,  KÜNLE MATTHIAS ,  LERCHER ERWIN ,  BAUMGARTL JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WEISS CHRISTOPH

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

    Abstract: Verfahren (2) zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (1), umfassend:o Bereitstellen (20) eines Halbleitersubstrats (4), das eine Oberfläche (40) aufweist;o epitaxiales Wachsenlassen (21) einer Rückseiten-Emitter-Schicht (125) auf der Oberseite der Oberfläche (40) entlang einer zur Oberfläche (40) senkrechten, vertikalen Richtung (Z), wobei die Rückseiten-Emitter-Schicht (125) Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps oder Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der zum ersten Leitfähigkeitstyp komplementär ist;o epitaxiales Wachsenlassen (23) einer Drift-Schicht (123), die Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, oberhalb der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) entlang der vertikalen Richtung (Z), wobei eine Dotierstoffkonzentration der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) höher als eine Dotierstoffkonzentration der Drift-Schicht (123) ist; undo Erzeugen (24) einer Body-Region (124) entweder innerhalb oder auf der Oberseite der Drift-Schicht (123) die Dotierstoffe des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, wobei ein Übergang zwischen der Body-Region (124) und der Drift-Schicht (123) eine pn-Sperrschicht (Zpn) bildet; wobei das epitaxiale Wachsenlassen (23) der Drift-Schicht (123) das Erzeugen eines Dotierstoffkonzentrationsprofils (P) von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps innerhalb der Drift-Schicht (123) entlang der vertikalen Richtung (Z) umfasst, wobei das Dotierstoffkonzentrationsprofil (P) eine Variation einer Konzentration von Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps entlang der vertikalen Richtung (Z) aufweist, und wobei das Verfahren ferner umfasst.o epitaxiales Wachsenlassen (22) einer Pufferschicht (126) auf der Oberseite der Rückseiten-Emitter-Schicht (125) entlang der vertikalen Richtung (Z) vor dem epitaxialen Wachsenlassen (23) der Drift-Schicht auf der Oberseite der Pufferschicht (126), wobei die Pufferschicht (126) Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps mit einer höheren Dotierstoffkonzentration als die Drift-Schicht (123) aufweist, und wobei ein Dotierstoffkonzentrationsprofil (Q) in der Pufferschicht (126) mindestens einen im Wesentlichen linearen Teilbereich (L) umfasst, der eine einer im wesentlichen linearen Zunahme oder einer im Wesentlichen linearen Abnahme der Dotierstoffkonzentration entlang der vertikalen Richtung (Z) über einen Abstand von mindestens 50% der Gesamtausdehnung der Pufferschicht (126) entlang der vertikalen Richtung (Z) aufweist.

    SUBSTRAT-PROZESSKAMMER UND PROZESSGASSTRÖMUNGSABLENKER ZUR VERWENDUNG IN DER PROZESSKAMMER
    8.
    发明专利
    SUBSTRAT-PROZESSKAMMER UND PROZESSGASSTRÖMUNGSABLENKER ZUR VERWENDUNG IN DER PROZESSKAMMER 未知

    公开(公告)号：DE102021115349A1

    公开(公告)日：2022-01-20

    申请号：DE102021115349

    申请日：2021-06-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KÜNLE MATTHIAS ,  FIEDLER OLAF ,  HUBER THOMAS ,  ILLEMANN CHRISTIAN ,  MALE MATHIAS

    IPC: C23C16/455

    Abstract: Eine Prozesskammer zur Prozessierung eines Substrats umfasst einen Kammerkörper, der einen inneren Substratprozessierungsbereich definiert. Die Prozesskammer umfasst ferner einen Substratträger zum Halten eines Substrats und einen Vorwärmring mit einer zentralen Öffnung, die so bemessen ist, dass sie um das auf dem Substratträger zu platzierende Substrat herum angeordnet ist. Ein Prozessgaseinlass ist so konfiguriert, dass er Prozessgas in einer seitlichen Richtung leitet, um über den Vorwärmring und über das auf dem Substratträger zu platzierende Substrat zu strömen. Ein Prozessgasauslass ist gegenüber dem Prozessgaseinlass angeordnet. Ein Prozessgasströmungsablenker umfasst einen radial äußeren Befestigungsabschnitt und einen radial inneren, sich in radialer Richtung erstreckenden, blattförmigen Prozessgasablenkungsabschnitt, wobei der radial innere, blattförmige Prozessgasablenkungsabschnitt als Ringsegment ausgebildet ist. Der radial innere, blattförmige Prozessgasablenkungsabschnitt ist oberhalb des Prozessgaseinlasses angeordnet und so dimensioniert, dass er mit dem Vorwärmring überlappt, wobei der Grad der Überlappung zwischen dem Vorwärmring und dem Prozessgasströmungsablenker in radialer Richtung mindestens 1/2 der radialen Abmessung des Vorwärmrings beträgt.

    BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE, AUFWEISEND ERSTE UND ZWEITE FELDSTOPPZONENBEREICHE, UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
    9.
    发明专利
    BIPOLARTRANSISTOR MIT ISOLIERTEM GATE, AUFWEISEND ERSTE UND ZWEITE FELDSTOPPZONENBEREICHE, UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 未知

    公开(公告)号：DE102017128243B4

    公开(公告)日：2021-09-23

    申请号：DE102017128243

    申请日：2017-11-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SPULBER OANA ,  RÖSNER WOLFGANG ,  KÜNLE MATTHIAS ,  SANDOW CHRISTIAN ,  WEISS CHRISTOPH

    IPC: H01L21/331 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate (1002) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Verfahren umfasst:Ausbilden eines ersten Feldstoppzonenbereichs (104) eines ersten Leitfähigkeitstyps auf einem Halbleitersubstrat;Ausbilden eines zweiten Feldstoppzonenbereichs (106) des ersten Leitfähigkeitstyps auf dem ersten Feldstoppzonenbereich (104); Ausbilden einer Driftzone (102) des ersten Leitfähigkeitstyps auf dem zweiten Feldstoppzonenbereich (106), wobei eine Dotierungskonzentration in der Driftzone (102) entlang einer vertikalen Ausdehnung von mehr als 30 % einer Dicke des Halbleiterkörpers (100) bei Fertigstellung des Bipolartransistors mit isoliertem Gate (1002) geringer als 1013cm-3ist; und wobeiein Festlegen der Dotierungskonzentration in dem zweiten Feldstoppzonenbereich (106) ein Festlegen eines konstanten Dotierungsprofils entlang einer vertikalen Ausdehnung des zweiten Feldstoppzonenbereichs (106) in einem Dickenbereich von 4 bis 55 µm umfasst.

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