公开(公告)号：DE102015102055A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015102055

申请日：2015-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERN RONNY ,  KONRATH JENS ,  KRIVEC STEFAN ,  SCHMID UWE ,  STÖBER LAURA

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiters weist das Bestrahlen einer Oberfläche eines Halbleiters mit Ionen eines ersten Gastyps zum Reinigen der Oberfläche und die Implantation von Ionen eines zweiten Gastyps in einem Gebiet unterhalb der Oberfläche des Halbleiters zum Erzeugen von Defekten in dem Gebiet unterhalb der Oberfläche auf, wobei die Bestrahlung der Oberfläche mit Ionen vom ersten Gastyp und die Implantation der Ionen des zweiten Gastyps innerhalb derselben Kammer durchgeführt werden.