公开(公告)号：DE112013004201T5

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：DE112013004201

申请日：2013-08-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHAGERL GUENTER ,  KRIVEC STEFAN

IPC: G01N27/414

Abstract: Die Offenbarung beschreibt Techniken zur Bestimmung einer Ionenkonzentration in einer Probe. Eine Ionenkonzentration einer Probe ist bestimmt durch Detektieren einer Änderung einer elektrischen Eigenschaft einer Feldeffekttransistor(FET)-Halbleitervorrichtung bedingt durch eine Gate-Isolierung (60) der Halbleitervorrichtung, welche in Kontakt mit der Probe gebracht wurde.

公开(公告)号：DE102016015761A1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：DE102016015761

申请日：2016-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLAPPERT MATHIAS ,  RIEGLER ANDREAS ,  SCHRETTLINGER KARIN ,  KRIVEC STEFAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement Folgendes aufweisen: ein Halbleitersubstrat (202) aufweisend Silizium, eine Metallisierungsschicht (214) aufweisend Aluminium und Silizium, wobei die Metallisierungsschicht (214) über mindestens einem ersten Bereich (202a) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist, und wobei mindestens ein zweiter Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) frei von der Metallisierungsschicht (214) ist; eine elektrisch leitfähige Diffusionsbarriere (508), welche zwischen dem Halbleitersubstrat (202) und der Metallisierungsschicht (214) angeordnet ist; und eine Barriereschicht (206) aufweisend amorphes Silizium, wobei die Barriereschicht (206) über dem mindestens einen zweiten Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102014116082A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102014116082

申请日：2014-11-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HENNECK STEPHAN ,  KRIVEC STEFAN ,  MATOY KURT ,  WEILNBÖCK FLORIAN ,  AHLERS DIRK ,  GASSER KARL-HEINZ ,  FISCHER PETRA ,  FASTNER ULRIKE

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L29/45

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterchip mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche auf. Eine Chipelektrode ist auf der ersten Hauptoberfläche angeordnet. Die Chipelektrode weist eine erste Metallschicht, die ein erstes Metallmaterial, das aus der Gruppe bestehend aus W, Cr, Ta, Ti und Metalllegierungen von W, Cr, Ta, Ti ausgewählt ist, umfasst, auf. Die Chipelektrode weist ferner eine zweite Metallschicht, die ein zweites Metallmaterial, das aus der Gruppe bestehend aus Cu und einer Cu-Legierung ausgewählt ist, umfasst, auf, wobei die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterchip und der zweiten Metallschicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102018122979A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018122979

申请日：2018-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  EHRENTRAUT GEORG ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  GOESCHL KLAUS ,  HEINRICI MARKUS ,  HUTZLER MICHAEL ,  KOELL WOLFGANG ,  KRIVEC STEFAN ,  NEUMANN INGMAR ,  PLAPPERT MATHIAS ,  ROESNER MICHAEL ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einem Aspekt ist ein Verfahren zum Bilden einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Anordnen einer Siliciumstruktur in einer Plasmaätzprozesskammer und beinhaltet Anwenden eines Plasmas auf die Siliciumstruktur in der Plasmaätzprozesskammer bei einer Temperatur der Siliciumstruktur gleich oder unterhalb von 100 °C. Das Plasma beinhaltet eine Komponente und ein Halogenderivat, wodurch die Silicium-Isolator-Schicht gebildet wird. Die Silicium-Isolator-Schicht beinhaltet Silicium und die Komponente. Bei einem anderen Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung mit einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt, die durch das Verfahren gebildet ist.

公开(公告)号：DE102019100130A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallisierungsschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, eine anorganische Passivierungsstruktur, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, und eine organische Passivierungsschicht. Die organische Passivierungsschicht, die zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht und der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist, ist vertikal näher an dem Halbleitersubstrat positioniert als ein Teil der organischen Passivierungsschicht, die oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist.

公开(公告)号：DE102019100130B4

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200) umfassend:eine Kontaktmetallisierungsschicht (120), die auf einem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist;eine anorganische Passivierungsstruktur (130), die auf dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist; undeine organische Passivierungsschicht (140), wobei ein erster Teil der organischen Passivierungsschicht (140) lateral zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht (120) und der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, sodass die Kontaktmetallisierungsschicht (120) und die anorganische Passivierungsstruktur (130) voneinander beabstandet sind, und ein zweiter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, und wobei der erste Teil der organischen Passivierungsschicht vertikal näher an dem Halbleitersubstrat (110) positioniert ist als der zweite Teil der organischen Passivierungsschicht, wobei ein dritter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der Kontaktmetallisierungsschicht (120) positioniert ist.

公开(公告)号：DE102019114094A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019114094

申请日：2019-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRIVEC STEFAN ,  KERN RONNY ,  KRAMP STEFAN ,  LANGER GREGOR ,  WINKLER HANNES ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L23/485 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung (106) mit einer ersten Metallschicht (111) und mindestens einer zweiten Metallschicht (121-123) auf einem Siliziumcarbid-Substrat (105) umfasst das Durchführen eines chemischen Reinigungsprozesses (300) zum Entfernen von zumindest einem Teil eines Kohlenstoffrückstands (302) zur Reinigung der ersten Metallschicht (111). Die erste Metallschicht (111) und/oder die zweite Metallschicht (121-123) können durch Sputterabscheidung erzeugt werden.

公开(公告)号：DE102015102055A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015102055

申请日：2015-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERN RONNY ,  KONRATH JENS ,  KRIVEC STEFAN ,  SCHMID UWE ,  STÖBER LAURA

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiters weist das Bestrahlen einer Oberfläche eines Halbleiters mit Ionen eines ersten Gastyps zum Reinigen der Oberfläche und die Implantation von Ionen eines zweiten Gastyps in einem Gebiet unterhalb der Oberfläche des Halbleiters zum Erzeugen von Defekten in dem Gebiet unterhalb der Oberfläche auf, wobei die Bestrahlung der Oberfläche mit Ionen vom ersten Gastyp und die Implantation der Ionen des zweiten Gastyps innerhalb derselben Kammer durchgeführt werden.

公开(公告)号：DE102014115980B4

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102014115980

申请日：2014-11-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRUBER SABINE ,  KRIVEC STEFAN ,  AICHINGER THOMAS ,  OSTEMANN THOMAS

IPC: G01N27/26 ,  G01N23/227 ,  G01N27/22 ,  G01N27/44

Abstract: Gerät (10) zum Analysieren einer Ionenkinetik in einer dielektrischen Teststruktur (20), umfassend:ein Ionenreservoir (30), das an die dielektrische Teststruktur (20) anstößt, um zu detektierende bewegliche Ionen (40) zu der dielektrischen Teststruktur (20) zu liefern,eine Kondensatorstruktur (50), die gestaltet ist, um ein elektrisches Feld in der dielektrischen Teststruktur (20) längs einer vertikalen Richtung (z) zu erzeugen, undeine Elektrodenstruktur (60), die gestaltet ist, um eine elektrophoretische Kraft (F) auf bewegliche Ionen (40) in der dielektrischen Teststruktur (20) längs einer lateralen Richtung (x) zu erzeugen, wobeidas Ionenreservoir (30) eine Kavität (32) umfasst, die sich in die dielektrische Teststruktur (20) längs der vertikalen Richtung (z) erstreckt, wobei die Kavität (32) gestaltet ist, um eine flüssige oder feste Ionenlösung aufzunehmen, und die Kavität (32) eine Diffusionsbarriereschicht (400), die die Innenwand der Kavität (32) auskleidet, sowie ein Ionenzugangsgebiet (34) aufweist, das einen Zugang für bewegliche Ionen (40) zu der dielektrischen Teststruktur (20) vorsieht.

公开(公告)号：DE102016115174B3

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE102016115174

申请日：2016-08-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PLAPPERT MATHIAS ,  RIEGLER ANDREAS ,  SCHRETTLINGER KARIN ,  KRIVEC STEFAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisen: Bilden einer Metallisierungsschicht über einem ersten Bereich eines Substrats, wobei nach dem Bilden der Metallisierungsschicht mindestens ein zweiter Bereich des Substrats frei von der Metallisierungsschicht ist; Bilden einer Barriereschicht über der Metallisierungsschicht und über dem mindestens einen zweiten Bereich des Substrats; und Entfernen der Barriereschicht in dem mindestens einen ersten Bereich des Substrats mittels Eintreibens der Barriereschicht in die Metallisierungsschicht.