公开(公告)号：DE102014113130A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014113130

申请日：2014-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESTEVE ROMAIN ,  KONRATH JENS ,  OUVRARD CEDRIC ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WERNER WOLFGANG ,  KUECK DANIEL ,  LAFORET DAVID ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/808

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung ist gemäß einer Ausführungsform zumindest teilweise in oder auf einem Substrat angeordnet und umfasst eine Vertiefung, die eine Mesa ausbildet, wobei die Mesa sich entlang einer Richtung in das Substrat zu einer Bodenfläche der Vertiefung erstreckt und ein Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, wobei das Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps, das zumindest lokal eine erste Dotiermittelkonzentration umfasst, sich nicht weiter als bis zur Bodenfläche in das Substrat erstreckt. Die Halbleitervorrichtung umfasst zudem eine zumindest teilweise entlang einer Seitenwand der Mesa angeordnete elektrisch leitende Struktur, wobei die elektrisch leitende Struktur mit dem Halbleitermaterial der Mesa einen elektrischen Schottky- oder Schottky-artigen Kontakt ausbildet, wobei das das Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps umfassende Substrat zumindest lokal entlang einer Projektion der Mesa in das Substrat eine zweite Dotiermittelkonzentration, die sich von der ersten Dotiermittelkonzentration unterscheidet, umfasst.

公开(公告)号：DE102014104201A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：DE102014104201

申请日：2014-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGNER WOLFGANG ,  ELPELT RUDOLF ,  HECHT CHRISTIAN ,  KONRATH JENS ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Siliziumkarbidvorrichtung weist ein Siliziumkarbidsubstrat, eine anorganische Passivierungsschichtstruktur und eine Formmasseschicht auf. Die anorganische Passivierungsschichtstruktur bedeckt eine Hauptoberfläche des Siliziumkarbidsubstrats zumindest teilweise lateral, und die Formmasseschicht ist angrenzend an die anorganische Passivierungsschichtstruktur angeordnet.

公开(公告)号：DE102015121566B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102015121566

申请日：2015-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  KONRATH JENS ,  BERGNER WOLFGANG ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/80

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 120, 130, 140, 150, 160, 210, 220, 230, 240, 250, 260, 270), umfassend:eine Mehrzahl von Drift-Regionen (101) einer Mehrzahl von Feldeffekttransistorstrukturen, die in einem Siliziumcarbidsubstrat (102) angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Drift-Regionen (101) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;eine Mehrzahl von Kompensationsregionen (103), die in dem Siliziumcarbidsubstrat (102) angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Kompensationsregionen (103) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei jede Drift-Region (101) aus der Mehrzahl von Drift-Regionen (101) benachbart zu zumindest einer Kompensationsregion (103) aus der Mehrzahl von Kompensationsregionen (103) angeordnet ist; undzumindest eine Schottky-Diodenstruktur oder gategesteuerte Metall-Isolation-Halbleiter-Diodenstruktur (104), die an dem Siliziumcarbidsubstrat (102) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102014109643B4

公开(公告)日：2021-06-17

申请号：DE102014109643

申请日：2014-07-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L29/161

Abstract: Bipolartransistor (100), umfassend eine Siliziumkarbid basierte Halbleiterstruktur, wobei die Siliziumkarbid basierte Halbleiterstruktur umfasst:einen Emitterbereich (110), der mit einem Emitterkontakt (112) des Bipolartransistors elektrisch verbunden ist, wobei der Emitterbereich (110) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;einen Basisbereich (120), der mit einem Basiskontakt (122) des Bipolartransistors elektrisch verbunden ist, wobei der Basisbereich (120) mindestens hauptsächlich einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist; undeinen Kollektorbereich (130), der mit einem Kollektorkontakt (132) des Bipolartransistors elektrisch verbunden ist, wobei der Kollektorbereich (130) mindestens hauptsächlich den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;wobei der Kollektorbereich (130) eine Vielzahl von eingeschlossenen Teilbereichen (140) umfasst, die den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen, und der Basisbereich (120) eine Vielzahl von eingeschlossenen Teilbereichen (140) umfasst, die den ersten Leitfähigkeitstyp aufweisen.

公开(公告)号：DE102015121566A1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE102015121566

申请日：2015-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGNER WOLFGANG ,  MAUDER ANTON ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  KONRATH JENS ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/80

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Drift-Regionen einer Mehrzahl von Feldeffekttransistorstrukturen, die in einem Halbleitersubstrat angeordnet sind. Die Mehrzahl von Drift-Regionen weist einen ersten Leitfähigkeitstyp auf. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine Mehrzahl von Kompensationsregionen, die in dem Halbleitersubstrat angeordnet sind. Die Mehrzahl von Kompensationsregionen weist einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Jede Drift-Region aus der Mehrzahl von Drift-Regionen ist benachbart zu zumindest einer Kompensationsregion aus der Mehrzahl von Kompensationsregionen angeordnet. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner zumindest eine Schottky-Diodenstruktur oder gategesteuerte Metall-Isolation-Halbleiter-Diodenstruktur, die an dem Halbleitersubstrat angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102013019851B4

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE102013019851

申请日：2013-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/36

Abstract: Halbleiterbauelement (110, 210, 310, 410, 510, 610) umfassend einen Halbleiterkörper (20) eines ersten Leitungstyps, eine Metallschicht (30) an dem Halbleiterkörper, wobei die Metallschicht mit dem Halbleiterkörper einen Schottkykontakt entlang einer Kontaktfläche (134, 234, 334, 634) ausbildet, wobei eine Dotierungskonzentration des ersten Leitungstyps an der Kontaktfläche (134, 234, 334, 634) entlang einer Richtung der Kontaktfläche variiert, wodurch die n-Dotierung in höher dotierten Bereichen (142, 242, 342, 442, 542, 642) an der Kontaktfläche entlang einer Richtung der Kontaktfläche lokal erhöht wird, wobei der Halbleiterkörper (20) Siliziumkarbid (SiC) umfasst und wobei der zumindest eine höher dotierte Bereich 142, 242, 342, 442, 542, 642) eine Tiefe in einer Richtung senkrecht zur Kontaktfläche von ungefähr 100 nm oder weniger aufweist.

公开(公告)号：DE102014109643A1

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：DE102014109643

申请日：2014-07-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Bipolartransistor weist eine Halbleiterstruktur mit einem Emitterbereich, einem Basisbereich und einem Kollektorbereich auf. Der Emitterbereich ist mit einem Emitterkontakt des Bipolartransistors elektrisch verbunden. Ferner hat der Emitterbereich einen ersten Leitfähigkeitstyp. Der Basisbereich ist mit einem Basiskontakt des Bipolartransistors elektrisch verbunden. Ferner hat der Basisbereich mindestens hauptsächlich einen zweiten Leitfähigkeitstyp. Der Kollektorbereich ist mit einem Kollektorkontakt des Bipolartransistors elektrisch verbunden und hat mindestens hauptsächlich den ersten Leitfähigkeitstyp. Ferner weist der Kollektorbereich eine Vielzahl von eingeschlossenen Teilbereichen mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp auf, oder der Basisbereich weist eine Vielzahl von eingeschlossenen Teilbereichen mit dem ersten Leitfähigkeitstyp auf.

公开(公告)号：DE102015102055A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015102055

申请日：2015-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERN RONNY ,  KONRATH JENS ,  KRIVEC STEFAN ,  SCHMID UWE ,  STÖBER LAURA

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiters weist das Bestrahlen einer Oberfläche eines Halbleiters mit Ionen eines ersten Gastyps zum Reinigen der Oberfläche und die Implantation von Ionen eines zweiten Gastyps in einem Gebiet unterhalb der Oberfläche des Halbleiters zum Erzeugen von Defekten in dem Gebiet unterhalb der Oberfläche auf, wobei die Bestrahlung der Oberfläche mit Ionen vom ersten Gastyp und die Implantation der Ionen des zweiten Gastyps innerhalb derselben Kammer durchgeführt werden.

公开(公告)号：DE102013019851A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE102013019851

申请日：2013-11-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS ,  RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Halbleiterbauelement umfassend einen Halbleiterkörper eines ersten Leitungstyps und eine Metallschicht an dem Halbleiterkörper, wobei die Metallschicht mit dem Halbleiterkörper einen Schottkykontakt entlang einer Kontaktfläche ausbildet. Eine Dotierungskonzentration des ersten Leitungstyps variiert an der Kontaktfläche entlang einer Richtung der Kontaktfläche.