公开(公告)号：DE10344604B4

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：DE10344604

申请日：2003-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTH HANS-JOACHIM DR ,  SCHRUEFER KLAUS DR ,  OSTERMAYR MARTIN ,  OLBRICH ALEXANDER

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/405 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11

Abstract: Speichereinheit (100, 110) mit einer Vielzahl von Speicherzellen (10), wobei die Speicherzellen (10) jeweils einen Transistor oder drei Transistoren (T1 bis T3) enthalter und einen Speicherkondensator enthalter (Cs, C1 bis C50), wobei der Speicherkondensator (Cs) eine metallische Bodenelektrode enthält, wobei die Bodenelektrode Aluminium, eine Aluminiumlegierung, Kupfer oder eine Kupferlegierung enthält oder aus einem solchen Material besteht, wobei der Speicherkondensator (Cs) ein planarer Kondensator ist, wobei Elektroden für verschiedene Speicherzellen (10) als eine Sammelelektrode (E10, E48, S100 bis S212) ausgebildet sind, wobei die Sammelelektrode (S100 bis S212) als eine Elektrode sowohl in einer Wortleitungsrichtung für Speicherzellen an mehreren Bitleitungen als auch in einer Bitleitungsrichtung für Speicherzellen (10) an mehreren Wortleitungen ausgebildet ist, und wobei entweder eine Anzahl der zu der Sammelelektrode (S200 bis S212) gehörenden Wortleitungen gleich der Ausgangsbitbreite eines Wortleitungsdekoders der Speichereinheit (110) ist, wobei der Wortleitungsdekoder einer von mehreren...

公开(公告)号：DE102009024756B4

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102009024756

申请日：2009-06-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUSS CHRISTIAN DR ,  PACHA CHRISTIAN DR ,  JENEI SNEZANA DR ,  SCHRUEFER KLAUS DR

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8249

Abstract: Bipolartransistor, der aufweist: • einen Body-Bereich, der eine Finnenstruktur aufweist; • mindestens einen Anschlussbereich, der über mindestens einem Teilgebiet des Body-Bereichs gebildet ist, • wobei der mindestens eine Anschlussbereich als ein epitaktisch gewachsener Bereich gebildet ist; wobei der mindestens eine Anschlussbereich aufweist: • einen ersten Anschlussbereich, der zumindest über einem ersten Teilgebiet des Body-Bereichs gebildet und als ein erster Emitter-/Kollektoranschlussbereich ausgebildet ist; • einen zweiten Anschlussbereich, der zumindest über einem zweiten Teilgebiet des Body-Bereichs gebildet und als ein zweiter Emitter-/Kollektoranschlussbereich ausgebildet ist; und • einen dritten Anschlussbereich, der zumindest über einem dritten Teilgebiet des Body-Bereichs gebildet und als ein Basisanschlussbereich ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102008038552B4

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：DE102008038552

申请日：2008-08-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JENEI SNEZANA ,  PACHA CHRISTIAN DR ,  RUSS CHRISTIAN DR ,  SCHRUEFER KLAUS DR

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: Vorrichtung (100, 205, 500, 600, 700, 800, 900), aufweisend: einen halbleitenden Körper (116, 216, 516, 816, 916), wobei der halbleitende Körper (116, 216, 516, 816, 916) ein erstes Dotierungsgebiet (118, 218, 518, 818, 918a, 918b) und ein zweites Dotierungsgebiet (120, 220, 520, 820, 920a, 920b) enthält, wobei das zweite Dotierungsgebiet (120, 220, 520, 820, 920a, 920b) neben dem ersten Dotierungsgebiet (118, 218, 518, 818, 918a, 918b) ausgebildet ist; einen über und auf dem halbleitenden Körper (116, 216, 516, 816, 916) an dem ersten Dotierungsgebiet (118, 218, 518, 818, 918a, 918b) angeordneten epitaxialen Film (122, 222, 522, 822, 922); und einen zwischen dem halbleitenden Körper (116, 216, 516, 816, 916) und dem epitaxialen Film (122, 222, 522, 822, 922) ausgebildeten Diodenübergang (124, 224, 524, 824, 924), wobei der Diodenübergang (124, 224, 524, 824, 924) so konfiguriert ist, dass er eine Vertikaldiodenaktivität durch den Diodenübergang (124, 224, 524, 824, 924) gestattet.