公开(公告)号：DE102005063462B4

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：DE102005063462

申请日：2005-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  MAUDER ANTON DR ,  SCHULZE HOLGER DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L21/334 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer p-dotierten Halbleiterzone in der p-dotierten Body-Zone (441) oder einer n-dotierten Halbleiterzone in der n-dotierten Body-Zone (441) eines Trench-MOSFET oder Trench-IGBT, das folgende Verfahrensschritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (400), der eine erste Seite (401), eine Source-Zone (442), einen sich ausgehend von der ersten Seite (401) in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (401) in den Halbleiterkörper (400) hineinerstreckenden und sich durch die Source-Zone (442) und die Body-Zone (441) bis in eine Driftzone (443) erstreckenden Graben (460), eine in dem Graben (460) angeordnete Gate-Elektrode (461) und die sich in einer lateralen Richtung bis an den Graben (460) erstreckende Body-Zone (441) aufweist, Implantieren von Dotierstoffteilchen des gleichen Leitungstyps wie die Body-Zone (441) über die erste Seite (401) in die Body-Zone (441), so dass ein Bereich (420) mit implantierten Dotierstoffatomen entsteht, der in lateraler Richtung bis an den Graben (460) reicht, Bestrahlen des Halbleiterkörpers (400) über die erste Seite (401) mit weiteren Teilchen wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich (420), wobei die Dotierstoffteilchen ausgehend von der ersten Seite (401) weniger tief in den Halbleiterkörper eingebracht werden als die weiteren Teilchen, Durchführen einer Temperaturbehandlung, durch welche der Halbleiterkörper (400) wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich (420) auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird, um die implantierten Dotierstoffteilchen zu aktivieren, wobei diese Temperatur weniger als 700°C beträgt und wobei die Dauer der Temperaturbehandlung zwischen 30 Minuten und 24 Stunden beträgt.

公开(公告)号：DE102005043913B4

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：DE102005043913

申请日：2005-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  MAUDER ANTON DR ,  SCHULZE HOLGER DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/334 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer dotierten Halbleiterzone (21; 221) in einem Halbleiterkörper (100; 200; 400), das folgende Verfahrensschritte aufweist: – Implantieren von Dotierstoffteilchen über eine Seite (102; 201; 401) in den Halbleiterkörper (100; 200; 400) oder Aufbringen einer Dotierstoffteilchen enthaltenden Schicht (21) auf eine Seite (102) des Halbleiterkörpers (100), – Bestrahlen des Halbleiterkörpers (100; 200; 400) über die eine Seite (102; 201; 401) mit Protonen als weiteren Teilchen wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich, – Durchführen einer Temperaturbehandlung, durch welche der Halbleiterkörper (100; 200; 400) wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird, um die implantierten Dotierstoffteilchen zu aktivieren, wobei diese Temperatur weniger als 500°C beträgt.