公开(公告)号：DE10361696B4

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：DE10361696

申请日：2003-12-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON DR ,  SCHOLZ WOLFGANG ,  ROSSMEIER LUDWIG

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/495 ,  H01L23/58 ,  H01L25/04 ,  H01L25/065 ,  H01L31/16

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung, – bei welchem mindestens ein erster und ein zweiter Chip (10, 20) räumlich eng benachbart ausgebildet und gemeinsam in einer Gehäuseeinrichtung (30) auf einem Leiterrahmen (50) aufgenommen werden, – wobei zur galvanischen Trennung der Chips (10, 20) voneinander jeweils ein erstes Isolationselement (41, 42) nur zwischen der Rückseite jedes einzelnen Chips (10, 20) und dem Leiterrahmen (50) ausgebildet wird, – wobei zur lateralen Beabstandung und lateralen galvanischen Isolation der Chips (10, 20) voneinander zwischen den Chips (10, 20) ein laterales zweites Isolationselement (43) angeordnet wird, das als gefüllte Grabenstruktur eines die Chips (10, 20) lateral trennenden Grabens (70) ausgebildet wird, und – wobei mindestens ein Isolationselement der ersten und zweiten Isolationselemente (41–43) als eine beim Prozessieren mindestens eines Chips (10, 20) integriert mitprozessierte Struktur ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102007063786B3

公开(公告)日：2022-09-15

申请号：DE102007063786

申请日：2007-04-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON DR ,  SCHULZE HOLGER ,  GUTT THOMAS

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Dotierungszone in einem Halbleiterkörper, aufweisend:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1);- Einbringen mindestens eines Dotierstoffs (2) in den Halbleiterkörper (1), wobei der Dotierstoff (2) ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Schwefel und Selen sowie Mischungen davon;- Durchführen zumindest einer kurzzeitigen ersten Temperaturbehandlung (7) bei einer Temperatur T1; und- Durchführen einer im Vergleich zur ersten Temperaturbehandlung (7) längeren zweiten Temperaturbehandlung (8) bei einer Temperatur T2 zur Ausbildung einer Dotierungszone (6), wobei T1 höher als T2 ist.

公开(公告)号：DE50111719D1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：DE50111719

申请日：2001-09-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRIEBL ERICH DR ,  KAPELS HOLGER ,  MAUDER ANTON DR ,  RUPP ROLAND DR ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L27/08

公开(公告)号：DE10262169B4

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE10262169

申请日：2002-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON DR ,  STRACK HELMUT DR ,  TIHANYI JENÖ DR ,  SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  KAPELS HOLGER

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: In einem Halbleiterkörper (1) angeordnetes, durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement, mit mindestens einer Sourcezone (27) vom ersten Leitungstyp, die eine elektrisch aktive Dotierungskonzentration von weniger als 1018 cm–3 aufweist, und mit mindestens einer Drainzone (23, 24) vom ersten oder zweiten Leitungstyp und mit einer innerhalb der Sourcezone (27) angeordneten Halbleiterschicht, mit mindestens einer, jeweils zwischen Sourcezone (27) und Drainzone (23, 24) angeordneten Bodyzone (26) vom zweiten Leitungstyp, mit mindestens einer Gate-Elektrode (29), über die bei Anlegen eines Gate-Potenzials an die Gate-Elektrode (29) ein stromführender Kanal (31) in der Bodyzone (26) ausbildbar ist und die gegenüber der Halbleiterkörper (1) durch ein Gate-Oxid (30) isoliert ist. mit mindestens einer metallischen Source-Elektrode (32), die die Halbleiterschicht kontaktiert, wobei zwischen der Source-Elektrode (32) und der Halbleiterschicht ein ohmscher Kontakt vorhanden ist, der dadurch gebildet ist, dass für die Dotierung der Halbleiterschicht ein Dotiermaterial vorgesehen ist, das mit einer Konzentration weit oberhalb von dessen Löslichkeitsgrenze in den Halbleiterkörper (1) eingebracht ist, wobei die elektrisch wirksame Dotierungskonzentration in der Halbleiterschicht ein Bruchteil der eingebrachten Dotierkonzentration ist, und wobei die Source-Elektrode (32) ausschließlich an die innerhalb der Sourcezone (27) angeordnete Halbleiterschicht angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102005063462B4

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：DE102005063462

申请日：2005-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  MAUDER ANTON DR ,  SCHULZE HOLGER DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L21/334 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer p-dotierten Halbleiterzone in der p-dotierten Body-Zone (441) oder einer n-dotierten Halbleiterzone in der n-dotierten Body-Zone (441) eines Trench-MOSFET oder Trench-IGBT, das folgende Verfahrensschritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (400), der eine erste Seite (401), eine Source-Zone (442), einen sich ausgehend von der ersten Seite (401) in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (401) in den Halbleiterkörper (400) hineinerstreckenden und sich durch die Source-Zone (442) und die Body-Zone (441) bis in eine Driftzone (443) erstreckenden Graben (460), eine in dem Graben (460) angeordnete Gate-Elektrode (461) und die sich in einer lateralen Richtung bis an den Graben (460) erstreckende Body-Zone (441) aufweist, Implantieren von Dotierstoffteilchen des gleichen Leitungstyps wie die Body-Zone (441) über die erste Seite (401) in die Body-Zone (441), so dass ein Bereich (420) mit implantierten Dotierstoffatomen entsteht, der in lateraler Richtung bis an den Graben (460) reicht, Bestrahlen des Halbleiterkörpers (400) über die erste Seite (401) mit weiteren Teilchen wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich (420), wobei die Dotierstoffteilchen ausgehend von der ersten Seite (401) weniger tief in den Halbleiterkörper eingebracht werden als die weiteren Teilchen, Durchführen einer Temperaturbehandlung, durch welche der Halbleiterkörper (400) wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich (420) auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird, um die implantierten Dotierstoffteilchen zu aktivieren, wobei diese Temperatur weniger als 700°C beträgt und wobei die Dauer der Temperaturbehandlung zwischen 30 Minuten und 24 Stunden beträgt.

公开(公告)号：DE102005043913B4

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：DE102005043913

申请日：2005-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  MAUDER ANTON DR ,  SCHULZE HOLGER DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/334 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer dotierten Halbleiterzone (21; 221) in einem Halbleiterkörper (100; 200; 400), das folgende Verfahrensschritte aufweist: – Implantieren von Dotierstoffteilchen über eine Seite (102; 201; 401) in den Halbleiterkörper (100; 200; 400) oder Aufbringen einer Dotierstoffteilchen enthaltenden Schicht (21) auf eine Seite (102) des Halbleiterkörpers (100), – Bestrahlen des Halbleiterkörpers (100; 200; 400) über die eine Seite (102; 201; 401) mit Protonen als weiteren Teilchen wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich, – Durchführen einer Temperaturbehandlung, durch welche der Halbleiterkörper (100; 200; 400) wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird, um die implantierten Dotierstoffteilchen zu aktivieren, wobei diese Temperatur weniger als 500°C beträgt.