公开(公告)号：DE102006021959B4

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：DE102006021959

申请日：2006-05-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF DIPL ING ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleiterbauteil mit mindestens einem Leistungshalbleiterchip (6), der auf seiner Oberseite (10) und auf seiner Rückseite (11) großflächige Elektroden (D, S) aufweist, die sich nahezu über den gesamten Leistungshalbleiterchip (6) erstrecken und die über Verbindungselemente (12) mit Außenkontakten (13) elektrisch in Verbindung stehen, wobei der Leistungshalbleiterchip (6) und die Verbindungselemente (12) in ein Kunststoffgehäuse (14) eingebettet sind, das mehrere aufeinander gepresste Kunststoffschichten (15, 16) mit planparallelen Oberseiten (18, 19, 20, 21) aufweist, wobei die Kunststoffschichten (15, 16, 17) eine Kunststoffpressmasse aufweisen und auf mindestens einer der planparallelen Oberseiten (19) zwischen den aufeinander gepressten Kunststoffschichten (15, 16) die Verbindungselemente (12) in einer Umverdrahtungslage als strukturierte Metallschicht (24) angeordnet sind und über Durchkontakte (25) durch mindestens eine der Kunststoffschichten (15) mit den Elektroden und den Außenkontakten (13) elektrisch in Verbindung stehen.

公开(公告)号：DE10262169B4

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE10262169

申请日：2002-04-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON DR ,  STRACK HELMUT DR ,  TIHANYI JENÖ DR ,  SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  KAPELS HOLGER

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: In einem Halbleiterkörper (1) angeordnetes, durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement, mit mindestens einer Sourcezone (27) vom ersten Leitungstyp, die eine elektrisch aktive Dotierungskonzentration von weniger als 1018 cm–3 aufweist, und mit mindestens einer Drainzone (23, 24) vom ersten oder zweiten Leitungstyp und mit einer innerhalb der Sourcezone (27) angeordneten Halbleiterschicht, mit mindestens einer, jeweils zwischen Sourcezone (27) und Drainzone (23, 24) angeordneten Bodyzone (26) vom zweiten Leitungstyp, mit mindestens einer Gate-Elektrode (29), über die bei Anlegen eines Gate-Potenzials an die Gate-Elektrode (29) ein stromführender Kanal (31) in der Bodyzone (26) ausbildbar ist und die gegenüber der Halbleiterkörper (1) durch ein Gate-Oxid (30) isoliert ist. mit mindestens einer metallischen Source-Elektrode (32), die die Halbleiterschicht kontaktiert, wobei zwischen der Source-Elektrode (32) und der Halbleiterschicht ein ohmscher Kontakt vorhanden ist, der dadurch gebildet ist, dass für die Dotierung der Halbleiterschicht ein Dotiermaterial vorgesehen ist, das mit einer Konzentration weit oberhalb von dessen Löslichkeitsgrenze in den Halbleiterkörper (1) eingebracht ist, wobei die elektrisch wirksame Dotierungskonzentration in der Halbleiterschicht ein Bruchteil der eingebrachten Dotierkonzentration ist, und wobei die Source-Elektrode (32) ausschließlich an die innerhalb der Sourcezone (27) angeordnete Halbleiterschicht angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE10361134B4

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：DE10361134

申请日：2003-12-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/332 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/32 ,  H01L29/70 ,  H01L29/76

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines p-Emitters mit geringem Emitterwirkungsgrad bei einem IGBT mittels: – Erzeugen eines transparenten p-Emitters (tE) durch eindiffundierte p-dotierte Gebiete in einen oberflächennahen Bereich eines n-dotierten Silizium-Substrats des herzustellenden IGBTs, – Bestrahlung eines freiliegenden Abschnitts von der oberflächennah einen transparenten p-Emitter (tE) aufweisenden Rückseite (R) des IGBT, mit hochenergetischen Protonen, und – anschließendes Ausheilen des Abschnitts für eine halbe bis zwei Stunden bei einer Ausheiltemperatur zwischen 350°C und 450°C, wobei nach der Ausheilungvon der Oberfläche der Rückseite (R) des IGBT aus gesehen ein an den transparenten p-Emitter (tE) anschließendes tiefes p-dotiertes Gebiet, das gemeinsam mit dem transparenten p-Emitter (tE) den p-Emitter bildet, und gleichzeitig anschließend an den p-Emitter eine n-dotierte Feldstoppzone (FS) erzeugt werden.

公开(公告)号：DE102005030466B4

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：DE102005030466

申请日：2005-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12

Abstract: Halbleiterwafer mit Verdrahtungsstrukturen (1) von in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchippositionen (2) jeweils mit einer Leistungsdiode oder einer integrierten Schaltung und/oder einem Hochleistungs-Feldeffektbauelement, wobei der Halbleiterwafer (3) mindestens eine Beschichtung als selbsttragende formstabile Trägerschicht (4) aus leitfähigem und temperaturfestem Material aufweist, wobei das Beschichtungsmaterial (6) der Trägerschicht (4) einen auf der Rückseite (9) des Halbleiterwafers (3) abgeschiedenen Kohlenstoff und/oder ein abgeschiedenes ternäres Karbid und/oder ein abgeschiedenes ternäres Nitrid aufweist, wobei die Trägerschicht (4) pyrolytisch oder durch Aufdampfen oder durch Sputtern oder durch chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD) hergestellt ist und eine Dicke dc von 50 μm ≤ dc ≤ 300 μm aufweist, wobei die leitfähige selbsttragende Trägerschicht (4) einen gedünnten Halbleiterwafer (12) trägt.

公开(公告)号：DE102005063462B4

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：DE102005063462

申请日：2005-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  MAUDER ANTON DR ,  SCHULZE HOLGER DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L21/334 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer p-dotierten Halbleiterzone in der p-dotierten Body-Zone (441) oder einer n-dotierten Halbleiterzone in der n-dotierten Body-Zone (441) eines Trench-MOSFET oder Trench-IGBT, das folgende Verfahrensschritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (400), der eine erste Seite (401), eine Source-Zone (442), einen sich ausgehend von der ersten Seite (401) in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers (401) in den Halbleiterkörper (400) hineinerstreckenden und sich durch die Source-Zone (442) und die Body-Zone (441) bis in eine Driftzone (443) erstreckenden Graben (460), eine in dem Graben (460) angeordnete Gate-Elektrode (461) und die sich in einer lateralen Richtung bis an den Graben (460) erstreckende Body-Zone (441) aufweist, Implantieren von Dotierstoffteilchen des gleichen Leitungstyps wie die Body-Zone (441) über die erste Seite (401) in die Body-Zone (441), so dass ein Bereich (420) mit implantierten Dotierstoffatomen entsteht, der in lateraler Richtung bis an den Graben (460) reicht, Bestrahlen des Halbleiterkörpers (400) über die erste Seite (401) mit weiteren Teilchen wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich (420), wobei die Dotierstoffteilchen ausgehend von der ersten Seite (401) weniger tief in den Halbleiterkörper eingebracht werden als die weiteren Teilchen, Durchführen einer Temperaturbehandlung, durch welche der Halbleiterkörper (400) wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich (420) auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird, um die implantierten Dotierstoffteilchen zu aktivieren, wobei diese Temperatur weniger als 700°C beträgt und wobei die Dauer der Temperaturbehandlung zwischen 30 Minuten und 24 Stunden beträgt.

公开(公告)号：DE102005001151B4

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：DE102005001151

申请日：2005-01-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： OTREMBA RALF ,  HOSSEINI KHALIL DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L29/78

Abstract: Bauelementanordnung, die folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterchip (10), der einen auf einer ersten Seite (31) des Halbleiterchips (10) angeordneten ersten Lastanschluss (11), einen auf einer der ersten Seite (31) gegenüberliegenden zweiten Seite (32) angeordneten zweiten Lastanschluss (12) und einen Steueranschluss (13) aufweist, – einen Chipträger (21), auf dem der Halbleiterchip (10) angeordnet ist und der elektrisch und thermisch leitend mit dem ersten Lastanschluss (11) des Halbleiterkörpers (10) verbunden ist, – ein Kontaktstück (22), das auf dem zweiten Lastanschluss (12) angeordnet und elektrisch und thermisch leitend mit diesem verbunden ist und auf seiner dem Halbleiterchip (10) abgewandten Seite eine Frontfläche (221) aufweist, – eine dielektrische Masse, mit der der Halbleiterchip (10), der Chipträger (21) und das Kontaktstück (22) umspritzt oder vergossen sind und die ein Gehäuse (30) bildet, wobei der Chipträger (21) an einer ersten Seite (31) des Gehäuses (30) freiliegt, das Kontaktstück (22) an einer...

公开(公告)号：DE102005043913B4

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：DE102005043913

申请日：2005-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM DR ,  MAUDER ANTON DR ,  SCHULZE HOLGER DR ,  STRACK HELMUT DR

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/334 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer dotierten Halbleiterzone (21; 221) in einem Halbleiterkörper (100; 200; 400), das folgende Verfahrensschritte aufweist: – Implantieren von Dotierstoffteilchen über eine Seite (102; 201; 401) in den Halbleiterkörper (100; 200; 400) oder Aufbringen einer Dotierstoffteilchen enthaltenden Schicht (21) auf eine Seite (102) des Halbleiterkörpers (100), – Bestrahlen des Halbleiterkörpers (100; 200; 400) über die eine Seite (102; 201; 401) mit Protonen als weiteren Teilchen wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich, – Durchführen einer Temperaturbehandlung, durch welche der Halbleiterkörper (100; 200; 400) wenigstens in dem die Dotierstoffteilchen enthaltenden Bereich auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird, um die implantierten Dotierstoffteilchen zu aktivieren, wobei diese Temperatur weniger als 500°C beträgt.