1.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102008047028A1

    公开(公告)日:2010-03-25

    申请号:DE102008047028

    申请日:2008-09-13

    Abstract: An embodiment of the invention relates to a circuit assembly having the following components: a power transistor with a control terminal, a first load terminal and a second load terminal, the second load terminal having a floating potential; a driver circuit configured to generate control signals for the control terminal of the power transistor, the relevant reference potential for the driver circuit being the floating potential of the second load terminal; a planar metallization layer sited on or in a substrate and comprising a constant reference potential, a shielding plane isolated from the metallization layer, sited planar on or in the substrate such that it is capacitively coupled to the metallization layer; a power supply circuit for providing a supply voltage referenced to the floating potential of the second load terminal for the driver circuit, the power supply circuit comprising, circuited between the second load terminal and the shielding plane, a first series circuit including a first capacitor and a first diode.

    Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Abdichtung

    公开(公告)号:DE102015113111A1

    公开(公告)日:2017-02-16

    申请号:DE102015113111

    申请日:2015-08-10

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul aufweisend: ein Substrat zur thermisch leitenden Befestigung an einem Kühlkörper; wenigstens ein auf dem Substrat angeordnetes Halbleiterbauelement; wenigstens ein elektrisch leitend mit dem Halbleiterbauelement verbundenes Anschlusselement, das an seinem freien Ende einen Kontaktabschnitt aufweist; ein elektrisch isolierendes Gehäuse, in dem das Substrat und das wenigstens eine Halbleiterbauelement wenigstens teilweise aufgenommen sind, und das Gehäuse wenigstens einen Durchbruch für das Anschlusselement aufweist; wobei das wenigstens eine Anschlusselement den Durchbruch durchgreifend angeordnet ist und wobei auf der Gehäuseaußenseite eine an die Gehäuseaußenseite angrenzende und das Anschlusselement umschließende Schicht aus einem im Vergleich zu dem Gehäusematerial plastisch oder elastisch verformbaren Material vorgesehen ist; wobei der Kontaktabschnitt die Schicht und die Gehäuseaußenseite überragend angeordnet ist.

    Leistungshalbleitermodul mit verbesserter Abdichtung

    公开(公告)号:DE102015113111B4

    公开(公告)日:2020-01-30

    申请号:DE102015113111

    申请日:2015-08-10

    Abstract: Leistungshalbleitermodul (1) aufweisend:ein Substrat (2) zur thermisch leitenden Befestigung an einem Kühlkörper;wenigstens ein auf dem Substrat (2) angeordnetes Halbleiterbauelement (3);wenigstens ein elektrisch leitend mit dem Halbleiterbauelement (3) verbundenes Anschlusselement (7), das an seinem freien Ende einen Kontaktabschnitt (4) aufweist;ein elektrisch isolierendes Gehäuse (5), in dem das Substrat (2) und das wenigstens eine Halbleiterbauelement (3) wenigstens teilweise aufgenommen sind, und das Gehäuse (5) wenigstens einen Durchbruch (6) für das Anschlusselement (7) aufweist;wobei das wenigstens eine Anschlusselement (7) den Durchbruch (6) durchgreifend angeordnet ist und das Anschlusselement (7) mit Spiel in dem Durchbruch (6) angeordnet ist;wobei auf der Gehäuseaußenseite eine an die Gehäuseaußenseite angrenzende und das Anschlusselement (7) umschließende Schicht (10) aus einem im Vergleich zu dem Gehäusematerial plastisch oder elastisch verformbaren Material vorgesehen ist;wobei die Schicht (10) das Spiel zwischen dem Anschlusselement (7) und dem Gehäuse (5) vollständig abdeckt; undwobei der Kontaktabschnitt (4) die Schicht (10) und die Gehäuseaußenseite überragend angeordnet ist.

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