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1.发明专利
公开(公告)号：DE102013111192A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：DE102013111192
申请日：2013-10-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CAMPIDELL JOSEF , LEUSCHNER RAINER , SEEBACHER GOTTFRIED
Abstract: Eine Fotolithografiemaske (201) gemäß einer Ausführungsform kann Folgendes enthalten: ein Maskensubstrat (202), wobei das Maskensubstrat (202) ein dreidimensionales Muster aufweist, das so positioniert und dimensioniert ist, um ein invertiertes dreidimensionales Muster eines mittels der Fotolithografiemaske (201) zu belichtenden Wafers zumindest teilweise aufzunehmen.
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