Abstract:
The present invention relates to a method and apparatus for reducing data errors in a magneto-resistive random access memory (MRAM). According to the disclosed method, data bits and associated error correction code (ECC) check bits are stored into a storage area. Thereafter, the data bits and ECC check bits are read out and any errors are detected and corrected. A data refresh is then initiated based on a count and data bits and associated ECC check bits stored in the storage area are then refreshed by accessing the stored data bits and the associated ECC check bits, and ultimately by checking, correcting and restoring the data bits and the ECC check bits to the storage area.
Abstract:
A conductor with improved magnetic field per current ratio is disclosed. The conductor includes a magnetic liner lining a second surface and sides thereof. The corners of the conductor where the second surface and the sides meet are rounded. The rounded corners have been found to improve the concentration of magnetic flux in the magnetic liner.
Abstract:
Eine Lithium-Ionen-Batterie (2) umfasst ein erstes Substrat (100), das eine erste Hauptoberfläche (120) hat, und einen Deckel (200), der ein isolierendes Material umfasst. Der Deckel (200) ist an der ersten Hauptoberfläche (120) des ersten Substrates (100) angebracht, und ein Hohlraum (252) ist zwischen dem ersten Substrat (100) und dem Deckel (200) gebildet. Die Lithium-Ionen-Batterie (2) umfasst weiterhin ein elektrisches Zwischenverbindungselement (230) in dem Deckel (200), wobei das elektrische Zwischenverbindungselement (230) eine elektrische Verbindung zwischen einer ersten Hauptoberfläche (210) und einer zweiten Hauptoberfläche (220) des Deckels (200) vorsieht. Die Lithium-Ionen-Batterie umfasst weiterhin einen Elektrolyten (130) in dem Hohlraum (252), eine Anode (11) an dem ersten Substrat (100), wobei die Anode eine Komponente umfasst, die aus einem Halbleitermaterial hergestellt ist, und eine Kathode (12) an dem Deckel (200).
Abstract:
A method of forming a ferromagnetic liner on conductive lines of magnetic memory devices and a structure thereof. The ferromagnetic liner increases the flux concentration of current run through the conductive lines, reducing the amount of write current needed to switch magnetic memory cells. The conductive lines are formed in a plate-up method, and the ferromagnetic liner is selectively formed on the plated conductive lines. The ferromagnetic liner may also be formed over conductive lines and a top portion of vias in a peripheral region of the workpiece.
Abstract:
Verfahren zum Einstellen der Kapazität oder Induktivität von elektrischen Schaltungen, wobei das Verfahren umfasst:Messen (200) von Induktivitäts- oder Kapazitätswerten von passiven Bauteilen (142), die auf einem ersten Substrat (140) hergestellt sind;Speichern (210) von individuellen Zusammenhängen zwischen den passiven Bauteilen (142) und den jeweiligen Messwerten der passiven Bauteile (142);Bestimmen von elektrischen Verbindungen zwischen den passiven Bauteilen (142) auf der Basis der gespeicherten individuellen Zusammenhänge zwischen den passiven Bauteilen (142) und den jeweiligen Messwerten der passiven Bauteile (142);Trennen (220) der passiven Bauteile (142) in individuelle Chips (152);Positionieren (230) von zumindest einigen der Chips (152) auf oder eingebettet in einem zweiten Substrat (150); undIdentifizieren (240) von einem oder mehreren der Chips (152), die auf dem zweiten Substrat (150) angeordnet oder in dieses eingebettet sind, mit einem Messwert außerhalb eines vorbestimmten Bereichs auf der Basis der gespeicherten individuellen Zusammenhänge zwischen den passiven Bauteilen (142) und den Messwerten.
Abstract:
Vorrichtung (1), welche aufweist:eine elektrische Komponente (18),einen Wandler (5), der angrenzend an die elektrische Komponente (18) angeordnet ist, wobei es sich bei dem Wandler (5) um ein Mikrofon handelt,ein rückseitiges Volumen (12) neben dem Wandler (5), wobei es sich bei dem rückseitigen Volumen (12) um ein rückseitiges Volumen des Mikrofons handelt,ein Verkapselungsmaterial (10), welches die elektrische Komponente (18), den Wandler (5) und einen Teil des rückseitigen Volumens (12) einkapselt, undeinen Deckel (16), der auf dem Verkapselungsmaterial (10) angeordnet ist, wodurch das rückseitige Volumen (12) gedichtet ist,wobei das Verkapselungsmaterial Ätzlöcher (15) aufweist, die durch den Deckel (16) gedichtet sind.
Abstract:
Ein Verfahren (100) zum Programmieren einer einmalig programmierbaren Struktur (220), das Verfahren (100) umfassend:Herstellen (110) einer elektrischen Schaltung (210) mit der einmalig programmierbaren Struktur (220); undDurchtrennen (120) der einmalig programmierbaren Struktur (220) durch Ätzen der einmalig programmierbaren Struktur (220) in einem Trennbereich (230),wobei durch das Durchtrennen (120) der einmalig programmierbaren Struktur (220) eine elektrische Eigenschaft der elektrischen Schaltung (210) verändert wird, wobei die elektrische Eigenschaft ein Wert einer Induktivität der elektrischen Schaltung (210) ist.
Abstract:
Eine Sensorvorrichtung enthält eine Sensoreinheit, die für eine Eigenschaft eines gasförmigen Mediums sensitiv ist. Die Sensoreinheit ist auf einer ersten Oberfläche eines Sensorsubstrats ausgebildet. Eine Rahmenstruktur auf der ersten Oberfläche umfasst einen ersten Schleifenbereich, der einen ersten Bereich lateral umgibt, der die Sensoreinheit enthält. Ein kommunizierender Kanal hat durch zumindest einen eines lateralen Anschlusses in dem ersten Schleifenbereich und eines Basisanschlusses in dem Sensorsubstrat Zugang zum ersten Bereich. Eine Deckelstruktur bedeckt die Rahmenstruktur und den ersten Bereich vollständig.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Chipanordnung geschaffen, wobei das Verfahren aufweist: Anordnen zumindest eines Chips mit zumindest einem Kontaktpad auf einem ersten Teil eines Carriers; Herstellen eines Induktorkerns gemäß folgenden Verfahren: Ausbilden eines ersten elektrischen Leiters auf einer ersten Oberfläche eines plattenförmigen Magnetkerns; Ausbilden eines zweites elektrischen Leiters auf einer zweiten Oberfläche des plattenförmigen Magnetkerns, welche der ersten Oberfläche gegenüberliegt; und Ausbilden des Induktorkerns mittels Zerteilens des plattenförmigen Magnetkerns quer zu dem ersten elektrischen Leiter und dem zweiten elektrischen Leiter, wobei der Induktorkern nur auf zwei Seiten elektrische Leiter aufweist, Anordnen des Induktorkerns auf einem zweiten Teil des Carriers derart, dass die erste Oberfläche des zumindest einen Induktorkerns senkrecht zu einer Hauptoberfläche des Carriers angeordnet ist; Kontaktieren des zumindest einen Kontaktpads mit einem von dem ersten oder zweiten elektrischen Leiter des Induktorkerns.
Abstract:
Eine Lithium-Ionen-Batterie (2) umfasst ein erstes Substrat (100) mit einer ersten Hauptoberfläche (110) und einen Deckel (200) einschließlich eines leitenden Abdeckelementes (205), wobei der Deckel (200) an der ersten Hauptoberfläche (110) angebracht ist. Ein Hohlraum (126) ist zwischen dem ersten Substrat (100) und dem Deckel (200) gebildet. Die Batterie (2) umfasst weiterhin einen Elektrolyten (130), der in dem Hohlraum (126) angeordnet ist. Eine Anode (11) der Batterie (2) umfasst eine aus einem Halbleitermaterial hergestellte Komponente und ist an dem ersten Substrat (100) gebildet, und eine Kathode (12) der Batterie (2) ist an dem Deckel (200) ausgebildet.