公开(公告)号：DE102018130385A1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102018130385

申请日：2018-11-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC THOMAS RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  MODER IRIS ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  KOBLINSKI CARSTEN VON

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/49

Abstract: Ein Siliziumcarbid-Bauelement umfasst ein Siliziumcarbid-Substrat, umfassend eine Body-Region und eine Source-Region einer Transistorzelle. Ferner umfasst das Siliziumcarbid-Bauelement eine Titancarbid-Gate-Elektrode der Transistorzelle.