公开(公告)号：DE102015101843B4

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：DE102015101843

申请日：2015-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI ,  HEINRICH ALEXANDER ,  TORWESTEN HOLGER ,  SIMBECK TOBIAS

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/485

Abstract: Verfahren zur Herstellung von Halbleitermodulen, welches umfasst:Bereitstellen eines Metallverbundsubstrats (102, 200, 400, 500, 600, 702) mit einer an einer Metallschicht (104, 204, 404, 504, 604, 704) befestigten Metallfolie (106, 202, 402, 502, 602, 706), wobei die Metallfolie dünner als die Metallschicht ist und ein anderes Material als diese umfasst;Befestigen einer ersten Fläche von mehreren Halbleiterchips (110, 206, 408, 508, 608, 710) an der Metallfolie (106, 202, 402, 502, 602, 706) vor dem Strukturieren der Metallfolie;Einschließen der an der Metallfolie befestigten Halbleiterchips in ein elektrisch isolierendes Material (112, 212, 414, 514, 614, 718);Strukturieren der Metallschicht und der Metallfolie, nachdem die Halbleiterchips (110, 206, 408, 508, 608, 710) in das elektrisch isolierende Material eingeschlossen wurden, so dass Oberflächengebiete des elektrisch isolierenden Materials von der Metallfolie (106, 202, 402, 502, 602, 706) und der Metallschicht (104, 204, 404, 504, 604, 704) frei sind; undTeilen des elektrisch isolierenden Materials entlang den Oberflächengebieten, die von der Metallfolie (106, 202, 402, 502, 602, 706) und der Metallschicht (104, 204, 404, 504, 604, 704) frei sind, um einzelne Module zu bilden.

公开(公告)号：DE102015101843A1

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE102015101843

申请日：2015-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI ,  HEINRICH ALEXANDER ,  TORWESTEN HOLGER ,  SIMBECK TOBIAS

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/28 ,  H01L23/485

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitermodulen weist folgende Schritte auf: Bereitstellen eines Metallverbundsubstrats mit einer an einer Metallschicht befestigten Metallfolie, wobei die Metallfolie dünner als die Metallschicht ist und ein anderes Material als diese umfasst, Befestigen einer ersten Fläche von mehreren Halbleiterchips an der Metallfolie vor dem Strukturieren der Metallfolie und Einschließen der an der Metallfolie befestigten Halbleiterchips in ein elektrisch isolierendes Material. Die Metallschicht und die Metallfolie werden strukturiert, nachdem die Halbleiterchips mit dem elektrisch isolierenden Material eingeschlossen wurden, so dass Oberflächengebiete des elektrisch isolierenden Materials von der Metallfolie und der Metallschicht frei sind. Das elektrisch isolierende Material wird entlang den Oberflächengebieten, die von der Metallfolie und der Metallschicht frei sind, geteilt, um einzelne Module zu bilden.