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公开(公告)号:DE102016104844B4
公开(公告)日:2022-08-04
申请号:DE102016104844
申请日:2016-03-16
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ESCHER-PÖPPEL IRMGARD , GRUBER MARTIN , HEINRICH ALEXANDER , MUNDING ANDREAS , WILLE CATHARINA
Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Chipverbunds, das aufweist:Herstellen von zwei oder mehr Chipbaugruppen (2) jeweils durch stoffschlüssiges und elektrisch leitendes Verbinden eines elektrisch leitenden ersten Ausgleichsplättchens (21) mit einer ersten Hauptelektrode (11) eines Halbleiterchips (1);Stoffschlüssiges Verbinden der Chipbaugruppen (2) mittels eines ersten Teils (4a) einer dielektrischen Einbettmasse (4), wobei der erste Teil (4a) der Einbettmasse (4) zwischen benachbarten ersten Ausgleichsplättchen (21) benachbarter Chipbaugruppen (2) sowie zwischen benachbarten Halbleiterchips (1) benachbarter Chipbaugruppen (2) gebildet wird und wobei sich ein Freiraum (211) zwischen den benachbarten Chipbaugruppen (2), der nicht mit der Einbettmasse (4) gefüllt ist, von einer Oberfläche des ersten Teils (4a) der Einbettmasse (4), die sich zwischen benachbarten Chipbaugruppen (2) befindet, nach unten erstreckt;Anordnen einer Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70) in dem Freiraum (211) zwischen den Ausgleichsplättchen (21) und Herstellen elektrisch leitendender Verbindungen zwischen der Steuerelektrodenverschaltungsstruktur (70) und Steuerelektroden (13) der Halbleiterchips (1) der einzelnen Chipbaugruppen (2).
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公开(公告)号:DE102018118251B4
公开(公告)日:2020-02-06
申请号:DE102018118251
申请日:2018-07-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HEINRICH ALEXANDER , DAECHE FRANK
IPC: H01L23/492 , H01L21/58
Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Chipanordnung (100), das Verfahren aufweisend:• Bereitstellen eines Trägers (102);• Bereitstellen einer kontinuierlichen Schicht aus einem Befestigungsmaterial (104) auf dem Träger (102), wobei das Befestigungsmaterial ein Lotmaterial oder ein Sintermaterial aufweist;• Bereitstellen einer Metallgitteranordnung (106), wobei die Metallgitteranordnung (106) mindestens eine Öffnung (108) aufweist;• Befestigen der Metallgitteranordnung (106) an dem Träger (102) durch das Befestigungsmaterial (104), wobei die Metallgitteranordnung (106) und der Träger (102) mindestens einen Hohlraum (112) definieren, von denen jeder durch eine der mindestens einen Öffnung (108) und den Träger (102) gebildet ist;• Montieren eines elektronischen Chips (116) in jedem von dem mindestens einen Hohlraum (112) durch das Befestigungsmaterial (104), wobei sich die kontinuierliche Schicht aus Befestigungsmaterial unter der Metallgitteranordnung (106) und dem elektronischen Chip (116) erstreckt.
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公开(公告)号:DE102008037835B4
公开(公告)日:2014-09-25
申请号:DE102008037835
申请日:2008-08-14
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GALESIC IVAN , MAHLER JOACHIM , HEINRICH ALEXANDER , HOSSEINI KHALIL
Abstract: Elektronische Komponente, umfassend: ein Metallsubstrat; einen Halbleiter-Chip, der für eine Anbringung einer gesamten unteren Oberfläche des Halbleiter-Chips an dem Metallsubstrat ausgelegt ist; und eine zwischen dem Metallsubstrat und der unteren Oberfläche des Halbleiter-Chips positionierte Pufferschicht, die dafür ausgelegt ist, den Halbleiter-Chip und das Metallsubstrat mechanisch zu entkoppeln, und aus einem Metall gebildet ist, das dehnbarer ist als das Metall des Metallsubstrats, wobei sich die Pufferschicht über weniger als eine gesamte untere Oberfläche des Halbleiter-Chips erstreckt und der Halbleiter-Chip sowohl an das Metallsubstrat als auch an die Pufferschicht gebondet ist.
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公开(公告)号:DE102012111654A1
公开(公告)日:2013-06-06
申请号:DE102012111654
申请日:2012-11-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: JUERSS MICHAEL , ROESL KONRAD , EICHINGER OLIVER , GOH KOK CHAI , SCHMIDT TOBIAS , HEINRICH ALEXANDER
IPC: H01L23/482 , H01L21/283 , H01L21/58
Abstract: Das elektronische Bauelement enthält einen Träger, ein an dem Träger angebrachtes Halbleiter-Substrat und ein zwischen dem Halbleiter-Substrat und dem Träger angeordnetes Schichtsystem. Das Schichtsystem enthält eine auf dem Halbleiter-Substrat angeordnete elektrische Kontaktschicht. Eine Funktionsschicht ist auf der elektrischen Kontaktschicht angeordnet. Eine Klebeschicht ist auf der Funktionsschicht angeordnet. Eine Lötschicht ist zwischen der Klebeschicht und dem Träger angeordnet.
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公开(公告)号:DE102010037439A1
公开(公告)日:2011-04-21
申请号:DE102010037439
申请日:2010-09-09
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: EDER HANNES , NIKITIN IVAN , SCHNEEGANS MANFRED , GOERLICH JENS , GUTH KARSTEN , HEINRICH ALEXANDER
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公开(公告)号:DE102009021083A1
公开(公告)日:2009-12-17
申请号:DE102009021083
申请日:2009-05-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HEINRICH ALEXANDER , SCHIESS KLAUS , MAHLER JOACHIM
IPC: H01L23/482 , H01L21/58
Abstract: A chip carrier includes first, second and third layers with the second layer situated between the first and third layers. The first and third layers are formed of a first material and the second layer is formed of a second material. The second layer has a plurality of holes extending therethrough and the first material fills the holes.
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公开(公告)号:DE102021110298A1
公开(公告)日:2022-10-27
申请号:DE102021110298
申请日:2021-04-22
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ROTH ALEXANDER , HEINRICH ALEXANDER , WILLE CATHARINA
Abstract: Es wird ein bleifreies Lotmaterial bereitgestellt. Das Lotmaterial kann Lotpartikel aufweisen, die mindestens 30 Gew.-% Nickel aufweisen, und einen Aktivator, der mindestens eines aus einer Gruppe von Aktivator-Materialien aufweist oder daraus besteht, wobei die Gruppe eine organische Säure oder ein Salz davon und ein Amin oder ein Salz davon aufweist.
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公开(公告)号:DE102016107792B4
公开(公告)日:2022-01-27
申请号:DE102016107792
申请日:2016-04-27
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HEINRICH ALEXANDER , OFNER GERALD , GOLLER BERND , MEYER THORSTEN
IPC: H01L23/488 , H01L21/58 , H01L21/60 , H01L23/28
Abstract: Packung (100), umfassend:• einen Chipträger (102);• einen elektronischen Chip (104) auf dem Chipträger (102);• eine Klammer (106) an dem elektronischen Chip (104);• ein Verkapselungsmittel (108), das den elektronischen Chip (104) mindestens teilweise verkapselt;• eine elektrisch leitfähige vertikale Verbindungsstruktur (110), die separat von der Klammer (106) bereitgestellt ist und den Chipträger (102) elektrisch mit der Klammer (106) verbindet, wobei der elektronische Chip (104) und die Verbindungsstruktur (110) nebeneinander zwischen dem Chipträger (102) und der Klammer (106) angeordnet sind,wobei die Verbindungsstruktur (110) separat von dem Chipträger (102) bereitgestellt ist,wobei der elektronische Chip (104) auf einer ersten Hauptoberfläche, die zum Chipträger (102) weist, mindestens ein Chip-Pad (112) aufweist und mindestens ein weiteres Chip-Pad (112) auf einer zweiten Hauptoberfläche aufweist, die zur Klammer (106) weist, und somit elektrisch mit dem Chipträger (102) und der Klammer (106) verbunden ist, wobei die elektrisch leitfähige vertikale Verbindungsstruktur (110) mindestens eine Kugel mit elektrisch leitfähigem Kern (128) und lötbarer Schale (130) aufweist, wobei das Material des elektrisch leitfähigen Kerns (128) und das Material der lötbaren Schale (130) sich unterscheidet.
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公开(公告)号:DE102015112085B4
公开(公告)日:2021-08-19
申请号:DE102015112085
申请日:2015-07-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: FISCHER RUPERT , STROBEL PETER , MAHLER JOACHIM , RÖSL KONRAD , HEINRICH ALEXANDER
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: Verfahren zur Verbindung mehrerer Chips (100, 150) mit einem Chipträger (300), wobei das Verfahren umfasst:Anordnen erster Chips (150) auf einem Überführungsträger (200) ,Anordnen zweiter Chips (100) auf dem Überführungsträger (200) ,Anordnen des Überführungsträgers (200) mit den ersten Chips (150) und zweiten Chips (100) auf dem Chipträger (300), undAusbilden von Verbindungen zwischen den ersten Chips (150) und dem Chipträger (300) und den zweiten Chips (100) und dem Chipträger (300),wobei beim Ausbilden der Verbindungen erste Verbindungen für die ersten Chips (150) unter Verwendung eines elektrisch isolierenden Verbindungsmediums (310) und zweite Verbindungen für die zweiten Chips (100) unter Verwendung eines elektrisch leitenden Verbindungsmediums (140) ausgebildet werden.
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公开(公告)号:DE102017012210A1
公开(公告)日:2019-01-31
申请号:DE102017012210
申请日:2017-07-31
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: RIEDL EDMUND , OTREMBA RALF , REISS WERNER , HEINRICH ALEXANDER , LI WU HU
IPC: H01L21/60 , H01L21/58 , H01L23/485
Abstract: Ein Verfahren zum Löten eines Leiters (150) an eine Aluminiummetallisierung (110) umfasst das Anwenden eines Halogenids mittels eines Plasmaprozesses auf eine Aluminiumoxidschicht (120) auf der Aluminiummetallisierung (110), um eine halogenierte Aluminiumoxidschicht (540) zu produzieren. Anschließend wird ein Lotmaterial (160) über der halogenierten Aluminiumoxidschicht (540) angeordnet. Der Leiter (150) wird an die Aluminiummetallisierung (110) angelötet.
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