公开(公告)号：DE102018120580A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102018120580

申请日：2018-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FIEDLER OLAF ,  SIMON DANIEL KAI ,  HANNEMANN ULLRICH ,  ZEHNER SIGURD VOLKER ,  HORN ANDRE

IPC: C23C16/455

Abstract: Ein Verfahren zum Abscheiden einer Schicht umfasst ein Messen einer physikalischen Eigenschaft, die mit einem Luftdruck in einer Reaktorkammer (450) einer Abscheidungsvorrichtung (400) zusammenhängt. Ein Haupt-Gasgemisch (100), das ein Quellengas (110) und ein Hilfsgas (120) aufweist, wird bei Atmosphärendruck in die Reaktorkammer (450) eingeführt, wobei das Quellengas (110) ein Precursor-Material (112) und ein Trägergas (114) enthält. Ein Gasstrom von zumindest einem des Quellengases (110) und des Hilfsgases (120) in die Reaktorkammer (450) wird als Antwort auf eine Änderung des Luftdrucks in der Reaktorkammer (450) gesteuert.

公开(公告)号：DE102018103168B4

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：DE102018103168

申请日：2018-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FIEDLER OLAF ,  SIMON DANIEL KAI

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschicht umfasst ein Einbringen eines Quellengases (110), das ein Vorläufermaterial (112) und ein Trägergas (114) enthält, in einen Reaktor (400), wobei ein Gasfluss des Quellengases (110) abhängig von einer Änderung einer Konzentration des Vorläufermaterials (112) in dem Quellengas (110) gesteuert ist. Ein Hilfsgas (120) wird in den Reaktor (400) eingebracht, wobei ein Gasfluss des Hilfsgases (120) derart gesteuert ist, dass ein gesamter Gasfluss des Quellengases (110) und des Hilfsgases (120) in den Reaktor (400) konstant gehalten wird, wenn der Gasfluss des Quellengases (110) sich verändert.

公开(公告)号：DE102018103168A1

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102018103168

申请日：2018-02-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FIEDLER OLAF ,  SIMON DANIEL KAI

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschicht umfasst ein Einbringen eines Quellengases (110), das ein Vorläufermaterial (112) und ein Trägergas (114) enthält, in einen Reaktor (400), wobei ein Gasfluss des Quellengases (110) abhängig von einer Änderung einer Konzentration des Vorläufermaterials (112) in dem Quellengas (110) gesteuert ist. Ein Hilfsgas (120) wird in den Reaktor (400) eingebracht, wobei ein Gasfluss des Hilfsgases (120) derart gesteuert ist, dass ein gesamter Gasfluss des Quellengases (110) und des Hilfsgases (120) in den Reaktor (400) konstant gehalten wird, wenn der Gasfluss des Quellengases (110) sich verändert.