VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER SCHICHT BEI ATMOSPHÄRENDRUCK

    公开(公告)号:DE102018120580A1

    公开(公告)日:2020-02-27

    申请号:DE102018120580

    申请日:2018-08-23

    Abstract: Ein Verfahren zum Abscheiden einer Schicht umfasst ein Messen einer physikalischen Eigenschaft, die mit einem Luftdruck in einer Reaktorkammer (450) einer Abscheidungsvorrichtung (400) zusammenhängt. Ein Haupt-Gasgemisch (100), das ein Quellengas (110) und ein Hilfsgas (120) aufweist, wird bei Atmosphärendruck in die Reaktorkammer (450) eingeführt, wobei das Quellengas (110) ein Precursor-Material (112) und ein Trägergas (114) enthält. Ein Gasstrom von zumindest einem des Quellengases (110) und des Hilfsgases (120) in die Reaktorkammer (450) wird als Antwort auf eine Änderung des Luftdrucks in der Reaktorkammer (450) gesteuert.

    SUBSTRAT-PROZESSKAMMER UND PROZESSGASSTRÖMUNGSABLENKER ZUR VERWENDUNG IN DER PROZESSKAMMER

    公开(公告)号:DE102021115349A1

    公开(公告)日:2022-01-20

    申请号:DE102021115349

    申请日:2021-06-14

    Abstract: Eine Prozesskammer zur Prozessierung eines Substrats umfasst einen Kammerkörper, der einen inneren Substratprozessierungsbereich definiert. Die Prozesskammer umfasst ferner einen Substratträger zum Halten eines Substrats und einen Vorwärmring mit einer zentralen Öffnung, die so bemessen ist, dass sie um das auf dem Substratträger zu platzierende Substrat herum angeordnet ist. Ein Prozessgaseinlass ist so konfiguriert, dass er Prozessgas in einer seitlichen Richtung leitet, um über den Vorwärmring und über das auf dem Substratträger zu platzierende Substrat zu strömen. Ein Prozessgasauslass ist gegenüber dem Prozessgaseinlass angeordnet. Ein Prozessgasströmungsablenker umfasst einen radial äußeren Befestigungsabschnitt und einen radial inneren, sich in radialer Richtung erstreckenden, blattförmigen Prozessgasablenkungsabschnitt, wobei der radial innere, blattförmige Prozessgasablenkungsabschnitt als Ringsegment ausgebildet ist. Der radial innere, blattförmige Prozessgasablenkungsabschnitt ist oberhalb des Prozessgaseinlasses angeordnet und so dimensioniert, dass er mit dem Vorwärmring überlappt, wobei der Grad der Überlappung zwischen dem Vorwärmring und dem Prozessgasströmungsablenker in radialer Richtung mindestens 1/2 der radialen Abmessung des Vorwärmrings beträgt.

    GERÄT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERSCHICHT

    公开(公告)号:DE102018103168B4

    公开(公告)日:2019-08-29

    申请号:DE102018103168

    申请日:2018-02-13

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschicht umfasst ein Einbringen eines Quellengases (110), das ein Vorläufermaterial (112) und ein Trägergas (114) enthält, in einen Reaktor (400), wobei ein Gasfluss des Quellengases (110) abhängig von einer Änderung einer Konzentration des Vorläufermaterials (112) in dem Quellengas (110) gesteuert ist. Ein Hilfsgas (120) wird in den Reaktor (400) eingebracht, wobei ein Gasfluss des Hilfsgases (120) derart gesteuert ist, dass ein gesamter Gasfluss des Quellengases (110) und des Hilfsgases (120) in den Reaktor (400) konstant gehalten wird, wenn der Gasfluss des Quellengases (110) sich verändert.

    GERÄT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERSCHICHT

    公开(公告)号:DE102018103168A1

    公开(公告)日:2019-08-14

    申请号:DE102018103168

    申请日:2018-02-13

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschicht umfasst ein Einbringen eines Quellengases (110), das ein Vorläufermaterial (112) und ein Trägergas (114) enthält, in einen Reaktor (400), wobei ein Gasfluss des Quellengases (110) abhängig von einer Änderung einer Konzentration des Vorläufermaterials (112) in dem Quellengas (110) gesteuert ist. Ein Hilfsgas (120) wird in den Reaktor (400) eingebracht, wobei ein Gasfluss des Hilfsgases (120) derart gesteuert ist, dass ein gesamter Gasfluss des Quellengases (110) und des Hilfsgases (120) in den Reaktor (400) konstant gehalten wird, wenn der Gasfluss des Quellengases (110) sich verändert.

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