公开(公告)号：DE102021107975A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：DE102021107975

申请日：2021-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KURZMANN THOMAS ,  SANDOW CHRISTIAN ,  SOELLRADL THOMAS

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/62 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Ein IGBT (1) umfasst ein Drift-Gebiet (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp; mehrere Gräben (14, 16) die sowohl Mesas (17) vom ersten Typ, die ein jeweiliges Source-Gebiet (101) und ein jeweiliges Body-Gebiet (102) aufweisen, als auch Mesas (18) vom zweiten Typ lateral begrenzen. Ein Abschirmgebiet (103) überlappt sich zum Beispiel nicht lateral mit der Mesa (18) vom zweiten Typ, sondern nur mit der Mesa (17) vom ersten Typ.