公开(公告)号：DE102018132237A1

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102018132237

申请日：2018-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), die eine Leistungshalbleitertransistorkonfiguration aufweist, die Folgendes umfasst: einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109); ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist; und ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert. Das Randabschlussgebiet (17) umfasst auf der Vorderseite (10-1) ein Schutzgebiet (172), das keinerlei metallische Strukturen umfasst, außer die metallische Struktur ist elektrisch von unten durch eine Polysiliciumschicht (178) abgeschirmt, die sich um eine laterale Entfernung (d5) von wenigstens 20 µm weiter zu dem lateralen Chiprand (109) als die metallische Struktur erstreckt. Das Schutzgebiet (172) ist in einem sperrenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) dazu konfiguriert, eine Spannungsänderung von wenigstens 90 % einer Sperrspannung innerhalb des Halbleiterkörpers in einer lateralen Richtung von dem aktiven Gebiet (16) zu dem lateralen Chiprand (109) hin aufzunehmen..

公开(公告)号：DE102018132237B4

公开(公告)日：2025-02-06

申请号：DE102018132237

申请日：2018-12-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  BRANDENBURG JENS ,  CAR DIANA ,  HUMBEL OLIVER ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  KOPROWSKI ANGELIKA ,  KREMP SEBASTIAN ,  KURZMANN THOMAS ,  LERCHER ERWIN ,  RUETHING HOLGER

IPC: H10D62/10 ,  H10D12/01 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D30/67

Abstract: Leistungshalbleitervorrichtung (1), das Folgendes umfasst:- einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist, und einem lateralen Chiprand (109);- ein aktives Gebiet (16), das in einem leitenden Zustand der Leistungshalbleitervorrichtung (1) zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist;- ein Randabschlussgebiet (17), das das aktive Gebiet (16) von dem lateralen Chiprand (109) separiert;- eine Isolationsschicht (15), die auf der Vorderseite (10-1) angeordnet ist, wobei ein lateraler Rand (151) der Isolationsschicht (15) wenigstens ein Kontaktloch (H) definiert, wobei das Kontaktloch (H) mit einer Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) gefüllt ist, die sich in Kontakt mit einem dotierten Halbleitergebiet (1711) des Halbleiterkörpers (10) befindet; und- eine Hartpassivierungsschicht (18), die auf eine solche Weise auf der Vorderseite (10-1) in wenigstens einem Teil des Randabschlussgebiets (17) angeordnet ist, dass sich die Hartpassivierungsschicht (18) nicht oberhalb des lateralen Randes (151) der Isolationsschicht (15) erstreckt, wobei die Hartpassivierungsschicht (18) die Metall- und/oder Polysiliciumschicht (111) zumindest teilweise bedeckt.

公开(公告)号：DE102021107975A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：DE102021107975

申请日：2021-03-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KURZMANN THOMAS ,  SANDOW CHRISTIAN ,  SOELLRADL THOMAS

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/62 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Ein IGBT (1) umfasst ein Drift-Gebiet (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp; mehrere Gräben (14, 16) die sowohl Mesas (17) vom ersten Typ, die ein jeweiliges Source-Gebiet (101) und ein jeweiliges Body-Gebiet (102) aufweisen, als auch Mesas (18) vom zweiten Typ lateral begrenzen. Ein Abschirmgebiet (103) überlappt sich zum Beispiel nicht lateral mit der Mesa (18) vom zweiten Typ, sondern nur mit der Mesa (17) vom ersten Typ.