公开(公告)号：DE102018114591B4

公开(公告)日：2021-09-02

申请号：DE102018114591

申请日：2018-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOIANCEANU CRISTIAN MIHAI ,  CHEN LIU ,  SOSIN SEBASTIAN ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L23/488 ,  H01L29/78

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:einen Halbleiterkörper (100);einen Source-Leiter (21) auf dem Halbleiterkörper (100);einen Source-Clip (31), der sich auf dem Source-Leiters (21) befindet und mit dem Source-Leiter (21) elektrisch verbunden ist,ein erstes aktives Bauelementgebiet (110), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch den Source-Leiter (21) und den Source-Clip (31) bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10) aufweist; undein zweites aktives Bauelementgebiet (120), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch Bereiche des Source-Leiters (21), die nicht durch den Source-Clip (31) bedeckt sind, bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10, 10') aufweist,wobei das erste aktive Bauelementgebiet (110) einen ersten flächenspezifischen Ein-Widerstand aufweist,wobei das zweite aktive Bauelementgebiet (120) einen zweiten flächenspezifischen Ein-Widerstand aufweist,wobei der zweite flächenspezifische Ein-Widerstand größer als der erste flächenspezifische Ein-Widerstand ist undwobei der das erste aktive Bauelementgebiet (110) und das zweite aktive Bauelementgebiet (120) bedeckende Source-Leiter (21) ein zusammenhängender Source-Leiter (21) ist.

公开(公告)号：DE102018114591A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018114591

申请日：2018-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOIANCEANU CRISTIAN MIHAI ,  CHEN LIU ,  SOSIN SEBASTIAN ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78

Abstract: Es wird ein Transistorbauelement offenbart. Das Transistorbauelement enthält: einen Halbleiterkörper (100); einen Source-Leiter (21) auf dem Halbleiterkörper (100); einen Source-Clip (31), der sich auf dem Source-Leiters (21) befindet und mit dem Source-Leiter (21) elektrisch verbunden ist; ein erstes aktives Bauelementgebiet (110), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch den Source-Leiter (21) und den Source-Clip (31) bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10) aufweist; und ein zweites aktives Bauelementgebiet (120), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch Bereiche des Source-Leiters (21), die nicht durch den Source-Clip (31) bedeckt sind, bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10, 10') aufweist. Das erste aktive Bauelementgebiet (110) weist einen ersten flächenspezifischen Ein-Widerstand auf und das zweite aktive Bauelementgebiet (120) weist einen zweiten flächenspezifischen Ein-Widerstand auf, wobei der zweite flächenspezifische Ein-Widerstand größer als der erste flächenspezifische Ein-Widerstand ist.